]如图16所示，在衬底基板501之上依次形成栅极502、第一栅绝缘层503和有源层504的图形。
[0090]如图17所示，在有源层504之上形成第二栅绝缘层507及其上的第一过孔510和第二过孔509，第一过孔510和第二过孔509使有源层504暴露出来。
[0091]形成源极505、漏极506和辅助栅极508的图形，使源极505通过第一过孔510连接有源层504，漏极506通过第二过孔509连接有源层504。辅助栅极508形成在第二栅绝缘层507之上，且与漏极506同时且一体形成，最终形成图5所示的TFT。
[0092]上述制作方法中，在制作每一层的图形时均可采用现有的构图工艺(构图工艺通常包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺)形成，此处不再赘述。
[0093]在制作第五实施例的TFT的过程中，制作第二栅绝缘层507和源漏层可在同一次mask工艺中完成。即采用双调掩模板对光刻胶进行曝光，去除第一过孔510和第二过孔509区域对应的光刻胶，刻蚀第一过孔510和第二过孔509 ;对剩余的光刻胶进行灰化，只保留除源漏电极和辅助栅极508对应区域之外的光刻胶；形成源漏金属薄膜，对剩余的光刻胶进行离地剥离，去除覆盖在光刻胶之上的源漏金属薄膜，从而形成源极505、漏极506和辅助栅极508。这样相对实施例四可以节省一次mask工艺。
[0094]为了进一步降低薄膜晶体管的关态电流，上述实施例中，在形成有源层时还包括在有源层形成轻掺杂(LDD)结构。
[0095]本发明还提供了一种阵列基板，包括上述的薄膜晶体管。
[0096]本发明还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。该显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0097]以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管，包括:形成在衬底基板上的栅极、源极、漏极、有源层和栅绝缘层，其特征在于，还包括:与所述漏极连接的辅助栅极，所述辅助栅极与所述有源层之间间隔所述栅绝缘层。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层位于所述衬底基板之上，所述栅绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极位于所述栅绝缘层之上，所述源极和漏极位于有源层上方，且与栅极间隔有绝缘间隔层；所述辅助栅极与所述栅极位于同一层，所述源极通过穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔连接所述有源层，所述漏极通过穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第二过孔连接所述有源层，所述漏极通过所述第二过孔与所述辅助栅极连接。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层位于所述衬底基板之上，所述栅绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极位于所述栅绝缘层之上，所述源极和漏极位于有源层上方，且与栅极间隔有绝缘间隔层；所述源极通过穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔连接所述有源层，所述漏极通过穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第二过孔连接所述有源层，所述第二过孔呈台阶状，穿过所述绝缘间隔层的开口大于穿过所述栅绝缘层的开口，所述辅助栅极形成在所述栅绝缘层的台阶上，且与所述漏极一体形成。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极位于所述衬底基板之上，所述栅绝缘层位于所述栅极之上，所述有源层位于所述栅绝缘层之上，所述源极和漏极位于所述有源层之上，所述辅助栅极与所述栅极位于同一层，通过穿过所述栅绝缘层和有源层的过孔连接所述漏极。
5.一种薄膜晶体管，包括:形成在衬底基板上的栅极、源极、漏极、有源层和第一栅绝缘层，其特征在于，还包括:第二栅绝缘层及与所述漏极连接的辅助栅极，所述有源层位于所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间，所述辅助栅极与所述有源层之间间隔所述第二栅绝缘层。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极位于所述衬底基板之上，所述第一栅绝缘层位于所述栅极之上，所述有源层位于所述第一栅绝缘层之上，所述源极、漏极和第二栅绝缘层位于所述有源层之上，所述辅助栅极位于所述第二栅绝缘层之上，且通过穿过所述第二栅绝缘层的过孔连接所述漏极。
7.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极位于所述衬底基板之上，所述第一栅绝缘层位于所述栅极之上，所述有源层位于所述第一栅绝缘层之上，所述第二栅绝缘层位于所述有源层之上，所述源极和漏极位于所述有源层上方，所述源极通过穿过所述第二栅绝缘层的第一过孔连接所述有源层，所述漏极通过穿过所述第二栅绝缘层的第二过孔连接所述有源层，所述辅助栅极位于所述第二栅极之上，且与所述漏极一体形成。
8.如权利要求1?7中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为具有轻掺杂结构的有源层。
9.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上形成包括有源层、栅绝缘层、栅极和辅助栅极的图形； 形成绝缘间隔层，并形成贯穿所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔和第二过孔，通过所述第一过孔和第二过孔暴露出有源层，且通过所述第二过孔暴露出所述辅助栅极； 形成源极和漏极的图形，且使所述源极通过所述第一过孔连接所述有源层，使所述漏极通过第二过孔连接有源层和辅助栅极。
10.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上形成包括有源层、栅绝缘层和栅极的图形； 形成绝缘间隔层，并形成贯穿所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔和第二过孔，通过所述第一过孔和第二过孔暴露出有源层，且所述第二过孔穿过所述绝缘间隔层的开口大于穿过所述栅绝缘层的开口，使形成栅绝缘层台阶； 形成源极、漏极和辅助栅极的图形，且使所述源极通过所述第一过孔连接所述有源层，所述辅助电极和漏极一体形成，所述辅助栅极形成在所述栅绝缘层台阶上，所述漏极通过第二过孔连接有源层。
11.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上形成包括栅极、辅助栅极、栅绝缘层和有源层的图形； 形成穿过所述栅绝缘层和有源层的过孔，使暴露出所述辅助栅极； 在有源层之上形成源极和漏极的图形，所述漏极通过所述过孔连接所述辅助栅极。
12.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上形成包括栅极、第一栅绝缘层和有源层的图形； 在有源层上方形成包括源极、漏极、第二栅绝缘层和辅助栅极的图形，使所述有源层和辅助栅极之间间隔所述第二栅绝缘层，所述辅助栅极连接所述漏极。
13.如权利要求12所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述在有源层上方形成包括源极、漏极、第二栅绝缘层和辅助栅极的图形，使所述有源层和辅助栅极之间间隔所述第二栅绝缘层，所述辅助栅极连接所述漏极的步骤具体包括: 在有源层之上形成源极和漏极的图形； 形成第二栅绝缘层及其上过孔的图形，所述过孔使漏极暴露出来； 形成辅助栅极的图形，所述辅助栅极通过过孔连接所述漏极。
14.如权利要求12所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述在有源层上方形成包括源极、漏极、第二栅绝缘层和辅助栅极的图形，使所述有源层和辅助栅极之间间隔所述第二栅绝缘层，所述辅助栅极连接所述漏极的步骤具体包括: 在有源层之上形成第二栅绝缘层及其上的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和第二过孔使有源层暴露出来； 形成所述源极、漏极和辅助栅极的图形，使所述源极通过第一过孔连接所述有源层，漏极通过第二过孔连接所述有源层，辅助栅极形成在所述第二栅绝缘层之上，且与漏极一体形成。
15.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1?8中任一项所述的薄膜晶体管。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求15所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管，包括：形成在衬底基板上的栅极、源极、漏极、有源层和栅绝缘层，还包括：与所述漏极连接的辅助栅极，所述辅助栅极与所述有源层之间间隔所述栅绝缘层。还公开了一种薄膜晶体管制作方法、阵列基板及显示装置。本发明的薄膜晶体管能够有效降低关态电流。
【IPC分类】H01L29-786, H01L29-41, H01L21-336, H01L21-28
【公开号】CN104681631
【申请号】CN201510132002
【发明人】石磊, 孙亮, 许晓伟
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2015年3月24日