一种具有触控面板的有机发光二极管显示器的制造方法_2

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DLl的数据电压传输给驱动晶体管T2。存储电容器Cl与开关晶体管Tl和电源线VDD相连,并且存储与开关晶体管Tl所传输的电压与提供给电源线VDD的电压之间的电压差相对应的电压。
[0027]驱动晶体管T2与电源线VDD和存储电容器Cl相连,并且提供输出电流Imd给0LEDL1,该I_D与提供给电源线VDD的电压与存储在存储电容器Cl中的阈值电压之间的电压差的平方按比例对应,由于此输出电流1_,OLED LI发光。
[0028]结合图4所示,驱动晶体管T2包括两个源/漏极34和栅电极36。在一个实施例中,阳极26、有机层28和阴极30构成OLED LI,OLED LI阳极26被连接至驱动晶体管T2的其中一源/漏极34。子像素的配置不限于所描述的,可以被适当地改变。
[0029]多个光传感器240以矩阵形式被布置在第二基板200上,且每个光传感器240位于导电层230面向第一基板100 —侧的表面被光伏材料层250覆盖,光伏材料层250与导电层230耦合,并形成导电通路。
[0030]本实施例的光伏材料层250不仅能够通过防止(或防护)光泄漏来提高对比度,还能够通过防止(或防护)光传感器240受有机发光二极管像素单元110的OLED LI发出的光的影响来实现触控面板功能,并且充分利用了 OLED LI发出的光能,在光伏材料层250产生电流后通过导电层230输出,在于装置的电池等负载连接后即可实现装置的自充电。当外部物质(例如,手指或笔)接近时,光传感器240检测到该接近,产生相应的信号并执行相应位置的命令。
[0031]实施例2
如图2所示,其为本实施例的具有触控面板的有机发光二极管显示器的剖面图。本实施例与实施例1基本相同,其区别在于,本实施例的具有触控面板的机发光二极管显示器在光伏材料层250与光传感器240之间还设置有反射层260。
[0032]具体地,结合图2,本实施例的具有触控面板的有机发光二极管显示器包括:
第一基板100 ;
有机发光二极管像素单元110,位于第一基板100上;
第二基板200,其通过密封单元280与第一基板100连接;
触控电极210,位于第二基板200上;
透明绝缘层220,形成于触控电极210上;
导电层230,形成于透明绝缘层210上,透明绝缘层220和导电层230的对应位置设有多个通孔;
检测外部源所产生的入射光的多个光传感器240,其穿过形成于透明绝缘层220和导电层230对应位置的通孔设置于所述触控电极上;
多个反射层260,各反射层260覆盖其对应的一光传感器位于导电层230面向第一基板100 一侧的表面;
多个光伏材料层250,各光伏材料层250覆盖其对应的一反射层260的表面,光伏材料层250与导电层230稱合,光伏材料层250与导电层230稱合形成一导电通路。
[0033]本实施例中,触控电极210和导电层230均为透明导电材料,透明导电材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化氟锡(FTO)、氧化锑锡(ATO)及石墨烯之类的一种或多种导电材料制成,可为一种材料构成的单层也可为多种材料叠加构成的多层结构。
[0034]光伏材料层250为半导体材料层,半导体材料层可以是:1、硅薄膜,如单晶硅、多晶硅或非晶硅(如:a-S1:H, a-S1:H:F, a-SixGel-X:H等)等;2、化合物半导体薄膜,其分为III V族(如:GaAs, InP,GaAlAs等)、IIVI族(CdS系)和磷化锌(Zn3P2)等的一种或几种材料复合。光伏材料层250可为单层,也可为多种材料层叠加构成的多层复合层。
[0035]透明绝缘层220为透明绝缘材料,如:Si02*SiN等,也可为有机透明绝缘材料,如聚合物树脂类等。
[0036]反射层260为光反射材料,其可为高反射金属层,如Ag层、Al层、Cu层或其层叠结构,也可为反光效果良好的非金属材料,如镀银薄膜、镀Al薄膜等。
[0037]本实施例中,有机发光二极管像素单元的OLED发出光照射在光伏材料层250上时,光子与光伏材料中的自由电子作用产生电流,电流通过与光伏材料层250耦合并形成导电通路的导电层230输出,若有小部分光未被转化而是穿透过光伏材料层250时,则反射层260会将此部分光反射至光伏材料层250中继续转化为电流输出。与实施例1相比,本实施例防止(或防护)光传感器240受有机发光二极管像素单元110的OLED发出的光的影响效果更佳(由于反射层260将完全隔阻OLED的光照射至光传感器240上),且光能的利用更加充分(反射层230将所有透过光伏材料层250的光能均有效利用转化为电能)。
[0038]以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例,本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换,均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。
【主权项】
1.一种具有触控面板的有机发光二极管显示器,其特征在于,包括: 第一基板; 有机发光二极管像素单元,位于第一基板上; 第二基板,与第一基板连接; 触控电极,位于第二基板上; 透明绝缘层,形成于触控电极上; 导电层,形成于透明绝缘层上; 检测外部源所产生的入射光的光传感器,其通过形成于透明绝缘层和导电层对应位置的通孔设置于所述触控电极上; 光伏材料层,其遮挡所述光传感器位于导电层面向第一基板一侧的表面,光伏材料层与导电层耦合形成一导电通路。
2.根据权利要求1所述的具有触控面板的有机发光二极管显示器,其特征在于,还包括反射层,设于所述光传感器与所述光伏材料层之间;所述反射层遮挡所述光传感器位于导电层面向第一基板一侧的表面;所述光伏材料层遮挡所述反射层的表面,所述光伏材料层与导电层耦合形成一导电通路。
3.根据权利要求2所述的具有触控面板的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述反射层形成于光传感器的表面上,其覆盖所述光传感器位于导电层面向第一基板一侧的表面;所述光伏材料层形成于所述反射层上,其覆盖所述反射层的表面,所述光伏材料层与导电层耦合形成一导电通路。
4.根据权利要求1所述的具有触控面板的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述光伏材料层形成于光传感器的表面上,其覆盖所述光传感器位于导电层面向第一基板一侧的表面。
5.根据权利要求1或4所述的具有触控面板的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管像素单元为多个,以矩阵形式布置;所述光传感器为多个,所述光传感器对应各有机发光二极管像素单元之间的空隙处。
6.根据权利要求5所述的具有触控面板的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述光伏材料层为多个,各光伏材料层遮挡其对应的一光传感器位于导电层面向第一基板一侧的表面。
7.根据权利要求2或3所述的具有触控面板的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管像素单元为多个,以矩阵形式布置;所述光传感器为多个,所述光传感器对应各有机发光二极管像素单元之间的空隙处。
8.根据权利要求7所述的具有触控面板的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述反射层为多个,各反射层遮挡其对应的一光传感器位于导电层面向第一基板一侧的表面;所述光伏材料层为多个,各光伏材料层遮挡其对应的一反射层的表面,所述光伏材料层与导电层耦合形成一导电通路。
9.根据权利要求Γ3任一项所述的具有触控面板的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述触控电极和所述导电层均为透明导电材料;所述光伏材料层为半导体材料中的一种构成的单层或多种构成的多层复合层。
10.根据权利要求2或3所述的具有触控面板的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述反射层为光反射材料。
【专利摘要】本发明公开了一种具有触控面板的有机发光二极管显示器,包括:第一基板;有机发光二极管像素单元,位于第一基板上;第二基板,与第一基板连接;触控电极,位于第二基板上;透明绝缘层,形成于触控电极上;导电层,形成于透明绝缘层上;检测外部源所产生的入射光的光传感器,其通过形成于透明绝缘层和导电层对应位置的通孔而位于所述触控电极上;光伏材料层,其遮挡所述光传感器位于导电层面向第一基板一侧的表面,光伏材料层与导电层耦合。本发明设置的光伏材料层阻止OLED发出的光被光传感器检测到,减少OLED光对光传感器的影响,并且其能够吸收OLED发出的光转化为电能,进行自发电,以实现终端产品自充电。
【IPC分类】H01L27-32, G06F3-042
【公开号】CN104752462
【申请号】CN201310734301
【发明人】李南征, 苟琦, 王磊, 程保龙, 卜维亮
【申请人】昆山国显光电有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月27日
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