芯片电子组件及其制造方法
【专利说明】芯片电子组件及其制造方法
[0001]本申请要求于2014年I月7日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0001659号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
[0002]本公开涉及一种芯片电子组件及其制造方法。
【背景技术】
[0003]电感器(芯片电子组件)是与电阻器和电容器一起形成电子电路以去除噪声的有代表性的无源元件。电感器与电容器利用电磁特性结合以构成放大特定频段中的信号的谐振电路或者滤波电路等。
[0004]近来，随着加快了诸如各种通信装置或显示装置等的信息技术(IT)装置的小型化和薄化，对于小型化和薄化诸如电感器、电容器和晶体管等的各种元件的技术的研究已持续地进行。
[0005]近来，由于电子装置中需要小型化和高性能，所以功耗增加。对应于功耗的增加，在电子装置的电源电路中使用的电源管理集成电路(PMIC)或DC-DC转换器中，开关频率增加且从其输出的电流增大，使得用于使从PMIC或DC-DC转换器输出的电流稳定的功率电感器的使用也增加。
[0006]功率电感器的发展具有向小型化、高电流和低直流电阻集中的趋势，但在根据相关技术的多层功率电感器中实现小型化、高电流和低直流电阻受到限制。因此，已经开发出通过将磁粉与树脂混合在线圈图案上而形成的薄膜型电感器，线圈图案是通过在薄绝缘基底的上表面和下表面上进行镀覆形成的。
[0007]在薄膜型电感器中，为了在通过镀覆形成线圈图案之后极大地确保电感，将除了其上形成有线圈图案的区域之外的其他区域中的绝缘基底去除。然而，在除了其上形成有线圈图案的区域之外的所有区域中的绝缘基底被去除的情况下，因为绝缘基底的用于支撑线圈的力可能是不足够的，所以在堆叠和压制磁性层的工艺期间，会发生线圈变形的问题，并且因线圈的变形发生暴露缺陷。
[0008][现有技术文献]
[0009]第2006-278479号日本专利特许公开
【发明内容】
[0010]本公开的一方面可以提供一种芯片电子组件及其制造方法，所述芯片电子组件能够通过增大用于支撑内线圈部的力防止内线圈部在堆叠和压制磁性层期间变形，并且能够减少因内线圈部的变形引起的暴露缺陷。
[0011]根据本公开的一方面，一种芯片电子组件可以包括:磁体，包括绝缘基底；内线圈部，形成在绝缘基底的至少一个表面上；以及外电极，形成在磁体的端表面上并连接到内线圈部。绝缘基底可以包括其上未形成有内线圈部的桥接图案部。
[0012]桥接图案部可以暴露于磁体的彼此相对的两个侧表面。
[0013]桥接图案部可以在磁体的宽度方向上暴露于磁体的彼此相对的两个侧表面。
[0014]桥接图案部可以防止形成在绝缘基底上的内线圈部的变形。
[0015]当绝缘基底的厚度定义为t并且磁体的使桥接图案部暴露的一个侧表面的长度定义为I时，桥接图案部的暴露于磁体的一个侧表面的表面的面积与txi的面积的比率可以为0.02至0.88。
[0016]绝缘基底可以包括形成在绝缘基底的中心部分中的通孔，通孔可以填充有磁性材料以形成核心部。
[0017]绝缘基底可以利用从包括聚丙二醇(PPG)基底、铁素体基底和金属基软磁基底的组中选择的一种或更多种来形成。
[0018]根据本公开的另一方面，一种芯片电子组件可以包括:磁体，包括绝缘基底，绝缘基底包含形成在绝缘基底的中心部分中的通孔；内线圈部，形成在绝缘基底的两个表面上，并具有暴露于磁体的彼此相对的两个端表面的第一引线部分和第二引线部分；以及第一外电极和第二外电极，形成在磁体的两个端表面并且分别连接到内线圈部的第一引线部分和第二引线部分。绝缘基底可以包括在磁体的宽度方向上暴露于磁体的彼此相对的两个侧表面的桥接图案部，以防止内线圈部的变形。
[0019]当绝缘基底的厚度定义为t并且磁体的使桥接图案部暴露的一个侧表面的长度定义为I时，桥接图案部的暴露于磁体的一个侧表面的表面的面积与txi的面积的比率可以为0.02至0.88。
[0020]通孔可以填充有磁性材料以形成核心部。
[0021]绝缘基底可以利用从包括聚丙二醇(PPG)基底、铁素体基底和金属基软磁基底的组中选择的一种或更多种来形成。
[0022]根据本公开的又一方面，一种芯片电子组件的制造方法可以包括:在绝缘基底的至少一个表面上形成内线圈部；去除绝缘基底的其上未形成有内线圈部的部分；将磁性层堆叠在包括内线圈部的绝缘基底的上部和下部上以形成磁体；以及在磁体的端表面上形成外电极以连接到内线圈部。在去除绝缘基底的其上未形成有内线圈部的部分的步骤中，可以仅去除所述部分中的一部分。
[0023]桥接图案部可以暴露于磁体的彼此相对的两个侧表面。
[0024]桥接图案部可以在磁体的宽度方向上暴露于磁体的彼此相对的两个侧表面。
[0025]桥接图案部可以防止在堆叠磁性层以形成磁体时形成在绝缘基底上的内线圈部的变形。
[0026]当绝缘基底的厚度定义为t并且磁体的使桥接图案部暴露的一个侧表面的长度定义为I时，桥接图案部的暴露于磁体的一个侧表面的表面的面积与txi的面积的比率可以为0.02至0.88。
[0027]绝缘基底可以包括形成在绝缘基底的中心部分中的通孔，通孔可以用磁性材料填充以在堆叠磁性层时形成核心部。
【附图说明】
[0028]根据下面结合附图进行的详细的描述，本公开的以上和其他方面、特征和其他优点将被更清楚地理解，在附图中:
[0029]图1是示出根据本公开的示例性实施例的包括内线圈部的芯片电子组件的示意性透视图；
[0030]图2是根据本公开的示例性实施例的芯片电子组件的示意性平面图；
[0031]图3是根据本公开的示例性实施例的芯片电子组件的示意性平面图；
[0032]图4是示出根据本公开的示例性实施例的芯片电子组件的桥接图案部的横截面区域的示意性透视图；
[0033]图5是示出根据本公开的示例性实施例的芯片电子组件的制造方法的流程图；以及
[0034]图6至图8是顺序地示出根据本公开的示例性实施例的芯片电子组件的制造方法的视图。
【具体实施方式】
[0035]现在将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
[0036]然而，本公开可以以很多不同的形式来举例说明，并不应该被解释为局限于在此阐述的特定实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并将把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。
[0037]在附图中，为了清晰起见，可以夸大元件的形状和尺寸，并将始终采用相同的附图标记来表示相同或相似的元件。
[0038]芯片电子纟目件
[0039]在下文中，将描述根据本公开的示例性实施例的芯片电子组件。详细地，将描述薄膜型电感器，但本公开不限于此。
[0040]图1是示出根据本公开的示例性实施例的包括内线圈部的芯片电子组件的示意性透视图。
[0041]参照图1，作为芯片电子组件的示例，提供在电源电路的电源线中使用的薄膜型芯片电感器100。芯片电子组件可以适当地作为芯片磁珠和芯片滤波器等以及芯片电感器来应用。
[0042]薄膜型电感器100可以包括磁体50、绝缘基底20、内线圈部40以及外电极81和82。
[0043]磁体50可以由任意材料形成而不受具体的限制，只要该材料可以形成薄膜型电感器100的外型并且呈现磁的性质即可。例如，磁体50可以通过利用铁素体或金属基软磁材料来形成。
[0044]作为铁素体的示例,可以使用诸如Mn-Zn基铁素体、N1-Zn基铁素体、N1-Zn-Cu基铁素体、Mn-Mg基铁素体、Ba基铁素体