制造用于封装件的基板的方法
【专利说明】制造用于封装件的基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2014年I月13日提交的题为“Method for ManufacturingSubstrate for Package (制造用于封装件的基板的方法)”的韩国专利申请序列号10-2014-0003986的外国优先权，通过引用将其全部内容结合于本申请中。
技术领域
[0003]本发明涉及制造用于封装件的基板的方法。更具体地，本发明涉及在不使用等离子蚀刻、薄化学制品(thinness chemicals)或显影液的情况下制造用于封装件的基板的方法。
【背景技术】
[0004]在制造印刷电路板(PCB)时的阻焊剂(SR)工艺中，打开阻焊剂(SR)是保证电连接至要封装的芯片的通道所必须的任务。近来，已关注三维(3D)封装件并且需要多层SR以满足相应的技术要求。除了别的以外，阻焊剂形成为曝光(expose)铜(Cu)图案或铜(Cu)焊盘。为了实现该目的，已知使用抛光的方法、使用等离子蚀刻的方法、使用薄化学制品的方法、使用普通显影化学制品的方法等。在此，抛光方法或等离子蚀刻方法是SR先被固化并随后通过物理或物理化学方法形成为具有低于Cu高度的高度的方法，并且使用薄化学制品的方法或使用显影化学制品的方法是通过针对SR的未曝光部分(未固化部分)使用薄化学制品或者调整现有显影液的浓度或显影时间使SR形成为高度低于Cu高度的化学方法。由于使用薄化学制品的方法或使用显影化学制品的方法具有简单的工艺并不使用物理击打力，因此与抛光方法或等离子蚀刻方法相比具有低质量风险。然而，薄化学制品的在针对各种SR的使用方面具有限制并且使用现有显影化学制品的方法在根据SR的非均匀溶解性调整厚度方面具有限制。
[0005][现有技术文献]
[0006][专利文献]
[0007](专利文献I)韩国专利公开第10-1084811号(登记于2011年11月11日)
[0008](专利文献2)韩国专利公开第10-2009-0006787号(公布于2009年I月15号)
【发明内容】
[0009]本发明的目的是通过使用高能光选择性地显影曝光和未曝光部分来提供制造用于封装件的基板的方法。
[0010]根据本发明的示例性实施方式，提供了一种制造用于封装件的基板的方法，该方法包括:在具有形成在其上的电极焊盘的未涂覆的基板上形成阻焊层以覆盖电极焊盘；通过将阻焊层划分为包括覆盖某些或全部电极焊盘的第一区域和由第一区域之外的区域形成的第二区域的区域并曝光区域中的某一些来曝光某些区域；以及利用高能光显影包括曝光区域和未曝光区域的阻焊层，以便第一区域的剩余高度低于第二区域的剩余高度并且曝光第一区域中的电极焊盘的至少上表面。
[0011]在利用高能光显影阻焊层时，根据曝光区域和未曝光区域中的阻焊层的内部键合强度之间的差值，第一区域的显影深度可形成为深于第二区域的深度。
[0012]在曝光某些区域时，可通过光固化反应波长带的光来曝光和光固化除了负型的阻焊层的第一区域以外的区域，并且在利用高能光显影阻焊层时，可通过光固化反应波长带之外的高能光来显影阻焊层。
[0013]在曝光某些区域时，可曝光正型的阻焊层的第一区域。
[0014]在利用高能光显影阻焊层时，紫外光或红外光可用作高能光。
[0015]在利用高能光显影阻焊层时，第一区域的阻焊层的高度可被显影为低于第一区域中的电极焊盘的上表面。
[0016]在曝光某些区域时，第二区域可形成在第一区域的外部。
[0017]该方法可进一步包括后固化通过高能光显影的阻焊层。
[0018]被后固化的阻焊层的第一区域和第二区域可具有形成为彼此不同的表面特性。
[0019]被后固化的阻焊层的第一区域可具有形成为比第二区域的表面粗糙度大的表面粗糙度。
[0020]在曝光某些区域时，阻焊层可被划分为第一区域、第二区域和形成在第一和第二区域之外的第三区域并且可利用不同的曝光能量顺序地曝光某些区域以便形成第一曝光区域、第二曝光区域以及未曝光区域。在利用高能光显影阻焊层时，第一曝光区域和第二曝光区域以及未曝光区域可通过使用高能光来显影并可显影成第一区域的剩余高度低于第二区域的剩余高度，曝光第一区域中电极焊盘的至少上表面，并且第二区域的剩余高度低于第三区域的剩余高度。
[0021]被后固化的阻焊层的第一区域可具有形成为比第二区域和第三区域的表面粗糙度大的表面粗糙度。
[0022]在曝光某些区域时，第二区域可形成于第一区域的外部，并且该方法可进一步包括通过在被后固化的阻焊层上涂布、部分曝光和显影额外的阻焊剂来形成从第二区域的边缘区域突出的第三区域。
[0023]在形成第三区域之后被固化的阻焊层的表面粗糙度的值可形成为使得第一区域的表面粗糙度大于第二区域和第三区域的表面粗糙度。
[0024]在利用高能光显影阻焊层时，可通过使用准分子(excimer)紫外线(UV)来显影阻焊层。
[0025]准分子UV可具有300nm或更小的波长。
【附图说明】
[0026]图1A至图1D是示意性地示出在根据本发明示例性实施方式的制造用于封装件的基板的方法中的每个步骤的横截面的视图。
【具体实施方式】
[0027]将参考附图描述用于实现上述目标的本发明的示例性实施方式。在描述中，相同的参考标号将用于描述相同的部件，为了使本领域技术人员理解本发明，将省略对相同部件的详细说明。
[0028]在本说明书中，将理解，除非诸如“直接”的术语被用于连接、耦接、或一个部件与另一部件之间的布置关系，否则一个部件可“直接连接至”、“直接耦接至”或“直接布置到”另一元件，或者可具有介于其间的其他元件来连接至、耦接至或布置到另一元件。
[0029]虽然在本说明书中使用了单数形式，但只要其与本发明构思不相反，在解读上不矛盾，或者不是用作明显不同的含义，其可用作表示所有复数形式的概念。应理解，在本说明书中使用的“包括”，“具有”，“包含”，“被配置为包括”等不排除一个或多个其他特征、部件或其组合的存在或添加。
[0030]在本说明书中提到的附图可以是用于描述本发明的示例性实施方式的实例。在附图中，为了有效地描述技术特征，形状、尺寸、厚度等可被夸大。
[0031]将参考附图详细地描述根据本发明示例性实施方式的制造用于封装件的基板的方法。在说明书中，遍及附图，将使用相同的参考标号来描述相同的部件。
[0032]图1A至图1D是示意性地示出在根据本发明示例性实施方式的制造用于封装件的基板的方法中的每个步骤的横截面的视图。
[0033]参考图1A至图1C，制造用于封装件的基板的方法可被配置成包括形成阻焊层(参见图1A)，曝光某些区域(参见图1B)、以及利用高能光显影阻焊层(参见图1C)。此外，参考图1D，根据本发明示例性实施方式的制造用于封装件的基板的方法可进一步包括后固化显影的阻焊层(参见图1D)。
[0034]参照图1A，在阻焊层的形成中，阻焊层50’可形成在具有在其上形成的电极焊盘30的未涂覆的基板10上以覆盖电极焊盘30。在本说明书中，未涂覆的基板10是指在没有涂覆阻焊层50’前的基板。
[0035]接下来，参照图1B，在某些区域的曝光中，可曝光阻焊层50’。在图1B中，参考标号50’b表示其中通过图1A的阻焊层的形成所形成的阻焊层50’被曝光的区域，例如，第二区域50’b。首先，阻焊层50’被划分为区域并且曝光所划分的区域中的某些区域。阻焊层50’的区域可包括覆盖某些或全部电极焊盘30的第一区域50’ a以及由第一区域50’ a之外的区域形成的第二区域50’ b。在这种情况下，可曝光第一区域50’ a和第二区域50’ b的某些区域。尽管未示出，通过使用光掩模可曝光某些区域。例如，在负性方法(negativemethod)的情况下，可曝光未通过随后的显影过程移除的第二区域50’b。例如，在某些区域的曝光中，可通过使用在光致反应波长带中的光(例如，紫外光、可见光和/或红外光)来执行曝光。在这种情况下，可根据包括在阻焊剂(SR)中的光引发剂来确定光致反应波长带。
[0036]例如，根据本发明的示例性实施方式，在某些区域的曝光中，阻焊层50’的区域可被划分成使得第二区域50’ b形成在第一区域50’ a的外部。
[0037]例如