清除led芯片光刻标记点残金的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED芯片制作技术领域，具体涉及一种清除LED芯片光刻圆环标记点残金的方法。
【背景技术】
[0002]蒸镀是在真空条件下，将金属蒸镀在薄膜基材的表面而形成复合薄膜的一种工
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[0003]在现有LED芯片金属蒸镀和光刻一般采用闭环和环内图形套合，以实现套刻的目的。半导体及LED芯片上的一般有很多层复杂的图形组成，且各层之间需要对准，标记点主要的作用是用于多次曝光之间的对准，一般在第一层上做出一个图形(第一层不需要对准)，用以后的每一层光刻版上的图形(一般是闭环)与第一层的图形进行对准/套合，以实现各层之间的对准。镀金前光刻版上的闭环会复制到芯片上，在芯片上留下不容易去除的残金。
[0004]而闭环不利于后道环内金属去除，有一定比例出现金属块将环内图形覆盖，从而在晶元中形成一个不稳定的点，该点可吸收残液污染芯片，且会导致后道光刻将无法对准，无法实现后续制程。
【发明内容】
[0005](一)解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本发明提供了一种解决LED芯片光刻标记点残金的方法，解决了现有LED芯片上残留金属不宜去除的问题。
[0007]( 二)技术方案
[0008]为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现:
[0009]一种清除LED芯片光刻标记点残金的方法，其特征在于:包括以下步骤:
[0010]S1、对所述LED芯片光刻标记点进行重新设计；
[0011]所述重新设计包括:对所述晶元上LED芯片光刻标记点的闭环断开部分的数量、宽度、开口方向、角度和圆角半径进行重新设计；
[0012]S2、设置重新设计后所述LED芯片光刻标记点的光刻相关参数；
[0013]所述光刻相关参数包括:匀胶软烘温度、曝光剂量、PEB温度和显影时间；
[0014]S3、依据所述光刻相关参数设置所述LED芯片光刻标记点进行蒸镀的温度，进而对晶元上所述LED芯片光刻标记点进行蒸镀；
[0015]S4、待所述LED芯片光刻标记点蒸镀完成，设置金属剥离工艺条件，对所述闭环断开部分的金属进行剥离；
[0016]所述金属剥离工艺条件包括:晶元固定的方向、位置与滚轮来回滚动次数、拉膜角度和拉膜时间。
[0017]优选的，所述步骤S4后还包括步骤S5，步骤S5包括:对所述金属剥离后的LED芯片光刻标记点上的封闭圆环断开部分进行去胶。
[0018]优选的，所述去胶工艺条件包括:去膜剂温度、超声清洗时间、超声清洗后非超声浸泡时间、机械抖动频率、冲水时间和旋干转速和旋干时间。
[0019]优选的，所述去膜剂融化温度为80-90°C ;所述超声清洗时间为7min ;所述机械抖动频率为20次/分；所述冲水用水为蒸馏水，所述冲水时间为120s，所述旋干转速为1200RPM，所述旋干时间为600s。
[0020]优选的，步骤SI中所述LED芯片光刻标记点上晶元的闭环至少断开两个部分，所述断开部分宽度为15-20 μπι，所述断开部分开口方向固定，所述断开部分角度范围在25° -65°，所述断开部分的圆角半径为3-10 μπι。
[0021]优选的，步骤SI中所述LED芯片光刻标记点上晶元的闭环断开部分采用内大外小的方式。
[0022]优选的，步骤S2中所述匀胶软烘温度为110-115°C，所述曝光剂量为50_80mJ，所述PEB温度100-110°C，所述显影时间为80-120s。
[0023]优选的，步骤S3中对所述LED芯片光刻标记点进行的蒸镀为金属蒸镀，所述蒸镀的温度小于50°C。
[0024]优选的，步骤S4中所述的晶元水平固定在剥金机上，所述滚轮滚动次数为2-5次，所述拉膜角度为45°，所述拉膜时间为2-4s。
[0025](三)有益效果
[0026]本发明提供了一种清除LED芯片光刻圆环标记点残金的方法，先对所述LED芯片光刻标记点进行重新设计，然后设置重新设计后所述LED芯片光刻标记点的光刻相关参数，依据所述光刻相关参数设置所述LED芯片光刻标记点进行蒸镀的温度，进而对晶元上所述LED芯片光刻标记点进行蒸镀，待所述LED芯片光刻标记点蒸镀完成，通过对LED芯片光刻标记点上的残留金属进行剥离与去胶，清除了 LED芯片光刻标记点上的残留金属，达到将光刻标记点上因蒸镀而残留的金属清除，避免了因残留金属导致LED芯片镀金后光刻无法进行，减少制备返工率，保证产品的一致性，去除不稳定因素，提升产品良率。
【附图说明】
[0027]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本发明实施例中一种清除LED芯片光刻圆环标记点残金的方法的工艺流程图；
[0029]图2为本发明实施例1中中心点被金属覆盖的标记点效果图；
[0030]图3为本发明实施例1中更改干净后的标记点效果图；
[0031]图4为本发明实施例2中中心点被金属覆盖的标记点效果图；
[0032]图5为本发明实施例2中更改干净后的标记点效果图。
【具体实施方式】
[0033]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0034]如图1所示，图1是去除LED芯片光刻圆环标记点残金的解决方法的工艺流程图，通过这种方法可以有效解决LED芯片标记点上的金块残留问题，从而达到下道工序正常进行，减少制备返工率，保证产品的一致性，去除不稳定因素，提高产品产率的目的，该方法包括:
[0035]S1、对所述LED芯片光刻标记点进行重新设计；
[0036]将保留在晶元上的闭环断开为至少两个部分，保证金属剥离部分的金属连成整体，以利于环内金属去除；其中，闭环断开部分宽度为15-20 μm，闭环断开部分开口方向固定，角度范围在25° -65°，闭环断开部分的圆角半径为3-10μπι，闭环断开部分采用内大外小的方式，保证金属剥离时金属连成整体，利于环内金属残留物的去处。
[0037]S2、设置重新设计后所述LED芯片光刻标记点的光刻相关参数；
[0038]设置匀胶软烘温度，曝光剂量，PEB温度，显影时间；其中匀胶软烘温度为110-115°C，曝光剂量为 50-80mJ，PEB 温度 100-110°C，显影时间为 80_120s。
[0039]S3、依据所述参数设置所述LED芯片光刻标记点进行蒸镀的温度，进而对晶元上所述LED芯片光刻标记点进行蒸镀；其中LED芯片光刻标记点蒸镀为金属蒸镀，温度小于50。。。
[0040]S4、对LED芯片光刻标记点的金属剥离；
[0041]设置金属剥离的工艺条件，包括晶元固定的方向、位置，滚轮来回滚动次数，拉膜角度和拉膜时间；其中，滚轮滚动次数为2-5次，拉膜角度为45°，拉膜时间为2-4s。
[0042]S5、对所述金属剥离后的LED芯片光刻标记点上的闭环断开部分进行去胶；
[0043]设置去胶工艺条件，包括去膜剂温度，超声清洗时间和超声清洗后非超声浸泡时间，机械抖动频率，冲水时间，旋干转速和时间。其中，去膜剂融化温度为80-90°C，再温度范围内用于去除匀胶；超声清洗时间为7min用于清除不溶于去膜剂的杂质；机械抖动频率为20次/分；冲水用水为蒸馏水，冲水时间120s，旋干转速1200RPM，旋干时间600s。解决光刻标记点残留金属对后道光刻的无法对准，从而无法实现后续制程的问题。
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