接器70的另一端部72侧的下表面，设置了与图2B所示的第3引线框架41的内部引线42接合的第3接合面70a。
[0087]第2连接器70与第I连接器50同时形成。因此，在第2连接器70中的第3接合面70a与下表面70c之间，也设置了与第I连接器50的第I阶梯部52b同样的第2阶梯部70b。第2阶梯部70b在例如相对第2连接器70的突出方向正交的方向上连续地延伸。
[0088]由此，第3引线框架41的内部引线42的端部碰撞到第2阶梯部70b的侧面，由此与第I连接器50同样地，第2连接器70的位置偏移被限制。第2连接器70的位置偏移的抑制提高经由第2连接器70将半导体芯片10与第3引线框架41之间电连接的可靠性。
[0089]图9是又一种实施方式的半导体装置的示意剖面图。
[0090]在第I连接器50的第2部分52的下表面，作为朝向第2部分52的上表面侧凹陷的第I凹部，设置了第I槽部61。
[0091]图1OA是将成形有图9中的第I连接器50以及第2连接器70的连接器框架放大了的示意俯视图。另外，图1OB是图1OA所示的第I连接器50的沿着Y方向的剖面图，图1OC是图1OA所示的第2连接器70的沿着Y方向的剖面图。
[0092]如图1OA以及图1OB所示，第I槽部61在例如相对第2部分52的突出方向正交的方向上连续地延伸。
[0093]如图1OA以及图1OC所示，在第2连接器70的下表面，设置了与图2B所示的第3引线框架41的内部引线42接合的第3接合面70a、作为朝向第2连接器70的上表面凹陷的第2凹部的第2槽部73。第2槽部73在例如相对第2连接器70的突出方向正交的方向上连续地延伸。
[0094]在图9、10A?C所示的实施方式中，第2连接器70也与第I连接器50同时形成。因此，第I连接器50的第I槽部61、和第2连接器70的第2槽部73同时形成。
[0095]图11是在图9的半导体装置中将树脂80去掉了的示意顶视图。在图11中，关于树脂80，仅图示了侧面的外形线。
[0096]比第2接合面52a更靠近第I部分51侧，与第2接合面52a接近地设置了第I连接器50的第I槽部61。第I槽部61未重叠于第2引线框架31的内部引线32的上表面32a上，比内部引线32更靠近第I引线框架21侧地形成。
[0097]比第3接合面70a更靠近一端部71侧，与第3接合面70a接近地设置了第2连接器70的第2槽部73。第2槽部73未重叠于第3引线框架41的内部引线42的上表面42a上，比内部引线42更靠近第I引线框架21侧地形成。
[0098]通过形成第I槽部61以及第2槽部73，在接合材料35被熔融时，得到自对准的效果O
[0099]S卩，通过与第I连接器50的第2接合面52a接近地形成第I槽部61，限制了第2接合面52a的宽度(Y方向上的宽度)。
[0100]通过该第I槽部61，抑制了熔融的接合材料35在第I连接器50的第2部分52的下表面蔓延到第I部分51侧。因此，第2部分52的Y方向上的位置偏移被抑制。
[0101]相对第2引线框架31的第2部分52的位置偏移的抑制能够抑制第I连接器50整体的位置偏移，还抑制相对半导体芯片10的第I部分51的位置偏移。
[0102]同样地，通过与第2连接器70的第3接合面70a接近地形成第2槽部73，限制了第3接合面70a的宽度(Y方向上的宽度)。
[0103]通过该第2槽部73，抑制了熔融的接合材料在第2连接器70的下表面蔓延。因此，第2连接器70的Y方向上的位置偏移被抑制。
[0104]另外，如图11所示，如果在第I连接器50的第2接合面52a和第2引线框架31的内部引线32的上表面32a处，使第2部分52的突出方向(Y方向)上的宽度a相同，则熔融了的接合材料35不会超过该宽度a而在宽度方向上扩展，第I连接器50的第2部分52没有在宽度方向上偏移的余地。
[0105]通过形成上述第I槽部61，能够简单地使第2接合面52a的宽度与第2引线框架31的上表面32a的宽度一致。
[0106]进而，如果在第2接合面52a和第2引线框架31的内部引线32的上表面32a处，使相对第2部分52的突出方向正交的方向上的长度b相同，则熔融了的接合材料35不会超过该长度b而在长度方向上扩展，第I连接器50的第2部分52没有在长度方向上偏移的余地。
[0107]虽然说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式仅作为例子而提出，并不旨在限定发明的范围。这些新的实施方式能够通过其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式、实施方式的变形包含于发明的范围、主旨内，并且包含于权利要求书记载的发明和其均等范围内。
【主权项】
1.一种连接器框架，其特征在于，具备: 框架部； 第I连接器，从所述框架部突出而一体地设置于所述框架部，且具有第I部分、和设置于所述第I部分与所述框架部之间且比所述第I部分薄的第2部分；以及 第2连接器，从所述框架部突出而一体地设置于所述框架部，厚度与所述第I连接器的所述第2部分相同。
2.根据权利要求1所述的连接器框架，其特征在于， 所述第I连接器的所述第I部分的所述第2部分侧的端、与所述第2连接器的突出方向的前端之间的距离大于等于0.2mm。
3.根据权利要求1所述的连接器框架，其特征在于， 所述框架部在第I方向上延伸， 所述第I连接器以及所述第2连接器向与所述第I方向正交的第2方向突出， 在所述第I方向上等间距地排列了多个所述第I连接器，在所述第I方向上等间距地排列了多个所述第2连接器。
4.根据权利要求1所述的连接器框架，其特征在于， 所述框架部的厚度与所述第I连接器的所述第2部分的厚度、以及所述第2连接器的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的连接器框架，其特征在于， 所述连接器框架包含铜。
6.一种半导体装置，其特征在于，具备: 第I引线框架； 第2引线框架，相对所述第I引线框架隔开间隔地设置； 第3引线框架，相对所述第I引线框架以及所述第2引线框架隔开间隔地设置；半导体芯片，设置于所述第I引线框架上，且具备具有第I面和与所述第I面相对的第2面的半导体层、设置于所述第I面并与所述第I引线框架接合了的第I电极、设置于所述第2面的第2电极、以及设置于所述第2面的第3电极； 树脂，对所述半导体芯片进行密封； 第I连接器；以及 第2连接器， 所述第I连接器具有: 第I部分，设置于所述半导体芯片的所述第2面上并与所述第2电极接合，且具有与所述半导体芯片的所述第2电极接合的第I接合面、和与所述第I接合面相对并从所述树脂露出了的散热面；以及 第2部分，通过与所述第I部分相同的材料而与所述第I部分一体地设置，从所述第I部分向所述第2引线框架侧突出，比所述第I部分薄，与所述第2引线框架接合， 所述第2连接器连接所述半导体芯片的所述第3电极和所述第3引线框架，且由与所述第I连接器相同的材料构成，厚度与所述第2部分相同。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于， 所述第I连接器以及所述第2连接器包含铜。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于， 所述散热面的面积与所述第2电极的面积的比大于等于100%。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于， 所述第2部分被所述树脂覆盖。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于， 所述第I部分的厚度是大于等于0.5毫米且小于等于I毫米。
11.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于， 所述第I连接器的所述第2部分具有: 第2接合面，重叠于所述第2引线框架上；以及 第I阶梯部，比所述第2接合面更靠近所述第I部分一侧，与所述第2接合面接近地设置， 所述第2连接器具有: 第3接合面，重叠于所述第3引线框架上；以及 第2阶梯部，与所述第3接合面接近地设置。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于， 在所述第2部分中的与所述第2接合面接近的下表面设置了第I凹部，在所述第I凹部与所述第2接合面之间设置了所述第I阶梯部， 在所述第2连接器中的与所述第3接合面接近的下表面设置了第2凹部，在所述第2凹部与所述第3接合面之间设置了所述第2阶梯部。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于， 所述第I连接器的所述第2接合面、和与所述第2接合面接合了的所述第2引线框架的上表面的、所述第2部分的突出方向的宽度相同。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于， 所述第I连接器的所述第2接合面、和与所述第2接合面接合了的所述第2引线框架的上表面的、与所述第2部分的突出方向正交的方向上的长度相同。
15.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于， 所述第I凹部以及所述第2凹部是在与所述第2部分的突出方向正交的方向上延伸的槽。
【专利摘要】本发明涉及连接器框架以及半导体装置。连接器框架具备框架部、从所述框架部突出并一体地设置于所述框架部的第1连接器、以及从所述框架部突出并一体地设置于所述框架部的第2连接器。所述第1连接器具有第1部分、和设置于所述第1部分与所述框架部之间且比所述第1部分薄的第2部分。所述第2连接器的厚度与所述第1连接器的所述第2部分相同。
【IPC分类】H01L23-31, H01L23-495
【公开号】CN104821303
【申请号】CN201410302823
【发明人】宫川毅
【申请人】株式会社东芝
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2014年6月30日
【公告号】US20150221582