2a、12b的相对位置只偏差例如0.5_，毫米波就将损失3dB左右(一半左右)的功率。因此再现性优异、例如能够将输入输出用信号线路22a、22b相对于导波管12a、12b高精度地配置在期望位置这一点，在毫米波段用半导体封装件20以及毫米波段用半导体装置10中极其重要。
[0060]另外，根据以上说明的涉及本实施例的毫米波段用半导体封装件20以及毫米波段用半导体装置10，构成导波管12a、12b主体的第一、第二贯通孔26、27设置在基体21上，并且从正面21a朝着侧面21b、21c贯通基体21。因此，能够将基体21的背面固定在散热鳍片等的冷却机构上。其结果是能够使散热性提高。
[0061]以上，对本发明的几个实施方式进行了说明，这些实施方式作为示例而提出，并不意味着限定发明的保护范围。这些新的实施方式可以以其他多种方式实施，在不偏离发明宗旨的范围内，可以进行各种省略、替换、变更。本实施方式及其变形包含于发明的保护范围以及宗旨内，并包含于权力要求书中记载的发明及其同等的保护范围内。
【主权项】
1.一种毫米波段用半导体封装件，其特征在于， 具备: 金属制的基体，具有第一贯通孔以及第二贯通孔； 电路基板，配置在该基体上，正面设置有输入用信号线路以及输出用信号线路；以及 金属制的盖体，配置在该电路基板上，具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔； 其中，所述盖体以所述第一非贯通孔配置在所述基体的所述第一贯通孔的正上方、且所述第二非贯通孔配置在所述基体的所述第二贯通孔的正上方的方式配置在所述电路基板上； 所述第一非贯通孔以及所述第一贯通孔构成第一导波管，而所述第二非贯通孔以及所述第二贯通孔构成第二导波管。
2.根据权利要求1所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于， 所述基体的所述第一贯通孔以及所述第二贯通孔分别是从正面朝侧面贯通所述基体的L字状的贯通孔。
3.根据权利要求2所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于， 所述基体的所述第一贯通孔以及所述第二贯通孔分别是E面弯型的贯通孔。
4.根据权利要求1所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于， 所述输入用信号线路的一侧端部插入到所述第一导波管内，插入长度为λ /4， 并且，所述输出用信号线路的一侧端部插入到所述第二导波管内，插入长度为λ /4。
5.根据权利要求1所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于， 所述第一非贯通孔的底面配置在自所述输入用信号线路朝上方相隔λ /4长度的位置， 并且，所述第二非贯通孔的底面配置在自所述输出用信号线路朝上方相隔λ/4长度的位置。
6.根据权利要求1所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于， 所述电路基板的正面上进一步设置有用于向半导体芯片供给直流偏压的偏压供给线路； 所述盖体的背面中与所述偏压供给线路相对置的区域被挖除，以使该区域比其他区域薄。
7.根据权利要求6所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于， 所述电路基板的正面上进一步设置有第一接地图案； 所述第一接地图案设置成与所述输入用信号线路、所述输出用信号线路以及所述偏压供给线路绝缘。
8.根据权利要求7所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于， 所述第一接地图案未设置在所述第一导波管内以及所述第二导波管内。
9.根据权利要求8所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于， 所述电路基板的背面上设置有与所述第一接地图案电连接的第二接地图案。
10.根据权利要求9所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于， 所述第二接地图案设置在所述电路基板的背面上的除了配置于所述第一导波管内以及所述第二导波管内的区域以外的整个面上。
11.一种毫米波段用半导体装置，其特征在于， 具备: 金属制的基体，具有第一贯通孔以及第二贯通孔； 电路基板，配置在该基体上，在该电路基板的一部分上具有贯通孔，正面设置有输入用信号线路以及输出用信号线路； 金属制的盖体，配置在该电路基板上，具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔；以及半导体芯片，以配置在所述电路基板的贯通孔内的方式载置于所述基体的正面上，并与所述输入用信号线路以及所述输出用信号线路电连接； 其中，所述盖体以所述第一非贯通孔配置在所述基体的所述第一贯通孔的正上方、且所述第二非贯通孔配置在所述基体的所述第二贯通孔的正上方的方式配置在所述电路基板上； 所述第一非贯通孔以及所述第一贯通孔构成第一导波管，而所述第二非贯通孔以及所述第二贯通孔构成第二导波管。
12.根据权利要求11所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于， 所述基体的所述第一贯通孔以及所述第二贯通孔分别是从正面朝侧面贯通所述基体的L字状的贯通孔。
13.根据权利要求12所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于， 所述基体的所述第一贯通孔以及所述第二贯通孔分别是E面弯型的贯通孔。
14.根据权利要求11所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于， 所述输入用信号线路的一侧端部插入到所述第一导波管内，插入长度为λ /4， 并且，所述输出用信号线路的一侧端部插入到所述第二导波管内，插入长度为λ /4。
15.根据权利要求11所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于， 所述第一非贯通孔的底面配置在自所述输入用信号线路朝上方相隔λ /4长度的位置， 并且，所述第二非贯通孔的底面配置在自所述输出用信号线路朝上方相隔λ/4长度的位置。
16.根据权利要求11所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于， 所述电路基板的正面上进一步设置有用于向所述半导体芯片供给直流偏压的偏压供给线路； 所述盖体的背面中与所述偏压供给线路相对置的区域被挖除，以使该区域比其他区域薄。
17.根据权利要求16所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于， 所述电路基板的正面上进一步设置有第一接地图案； 所述第一接地图案设置成与所述输入用信号线路、所述输出用信号线路以及所述偏压供给线路绝缘。
18.根据权利要求17所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于， 所述第一接地图案未设置在所述第一导波管内以及所述第二导波管内。
19.根据权利要求18所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于， 所述电路基板的背面上设置有与所述第一接地图案电连接的第二接地图案。
20.根据权利要求19所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于， 所述第二接地图案设置在所述电路基板的背面上的除了配置于所述第一导波管内以及所述第二导波管内的区域以外的整个面上。
【专利摘要】本发明涉及毫米波段用半导体封装件以及毫米波段用半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种毫米波段用半导体封装件。一种毫米波段用半导体封装件，具有金属制的基体、电路基板、以及金属制的盖体。基体具有第一贯通孔以及第二贯通孔。电路基板配置在基体上，正面设置有输入用信号线路以及输出用信号线路。盖体配置在电路基板上，具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔。该盖体以第一非贯通孔配置在基体的第一贯通孔的正上方、且第二非贯通孔配置在基体的第二贯通孔的正上方的方式配置在电路基板上。另外，第一非贯通孔以及第一贯通孔构成第一导波管，并且第二非贯通孔以及第二贯通孔构成第二导波管。
【IPC分类】H01L23-66, H01P5-107, H01P3-00
【公开号】CN104835807
【申请号】CN201410453175
【发明人】高木一考
【申请人】株式会社东芝
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2014年9月5日
【公告号】EP2911236A1, US20150229014