物台17。检测器22对来自载置于管芯焊接载物台17的半导体芯片10的弹性波进行检测。检测器22也可以安装于管芯焊接载物台17的任何位置。
[0029]检测器21、22例如为压电元件(AE (Acoustic Emiss1n)传感器)。检测器21、22对半导体芯片10的变形及破坏时放出的弹性能量进行检测，并将检测到的弹性能量变换为电信号。弹性能量为弹性波的能量。
[0030]弹性能量通常成为声波而放出。声波主要具有几万赫兹到几百万赫兹高的频率分量。该声波伴随于材料达到破坏之前的变形和/或裂纹的产生而产生。半导体制造装置通过对该声波以检测器21、22进行检测，对半导体芯片10的变形及裂纹的产生进行检测。
[0031]检测器21、22也可以具备除去噪声的滤波器。噪声为与通过半导体芯片10的裂纹而产生的声波不相同的频带的声波。滤波器也可以由硬件及软件的任一构成。由此，半导体制造装置能够对半导体芯片10中的裂纹的产生高精度地进行检测。
[0032]控制装置4对拾取装置I及管芯焊接装置2的驱动进行控制。控制装置4具备存储器6及判定部7。存储器6对用于对拾取装置I及管芯焊接装置2的驱动进行控制的各种数据进行保持。作为判定单元的判定部7相应于在检测器21、22的弹性波的检测结果，对半导体芯片10中的裂纹的产生进行判定。
[0033]半导体制造装置并不限于I个控制装置4对拾取装置I及管芯焊接装置2的驱动进行控制。半导体制造装置也可以相对于拾取装置I及管芯焊接装置2，分别具备的控制装置。该情况下，也可以将相应于在检测器21的弹性波的检测结果对裂纹的产生进行判定的判定部7设置于对拾取装置I进行控制的控制装置。也可以将相应于在检测器22的弹性波的检测结果对裂纹的产生进行判定的判定部7设置于对管芯焊接装置2进行控制的控制
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[0034]作为显示单元的显示装置5对判定部7中的判定结果进行显示。显示装置5也可以除此以外，对关于拾取装置I及管芯焊接装置2的驱动的各种数据进行显示。
[0035]在校准器3，会附着来源于拾取装置I及管芯焊接装置2的驱动系统的异物和硅屑及粘接材料片等的来源于材料的异物。硅屑及粘接材料片例如在半导体晶片的划片产生。这些异物也灰堆积于校准器3上。管芯拾取机构11在向载有异物的校准器3载置半导体芯片10时，负荷集中于半导体芯片10之中的与异物接触的部分。通过负荷集中，在半导体芯片10产生裂纹。在管芯焊接机构15从载有异物的校准器3上提举半导体芯片10时，通过负荷集中于与异物接触的部分，也会在半导体芯片10产生裂纹。
[0036]安装于校准器3的检测器21对向校准器3载置半导体芯片10时的弹性能量及从校准器3提举半导体芯片10时的弹性能量进行检测。判定部7相应于检测器21中的检测结果，对向校准器3载置半导体芯片10时及从校准器3提举半导体芯片10时的裂纹的产生进行判定。
[0037]校准器3使用金属构件例如铝材、不锈钢材等构成。通过应用使用金属构件构成的校准器3，能够对从半导体芯片10向检测器21进行传播的弹性波之中的主要的频率分量的衰减进行抑制。
[0038]校准器3之中的使弹性波传播的部分尽量节省金属构件以外的构件例如弹性构件和构件彼此间的界面。通过成为节省金属构件以外的构件及界面的结构，校准器3能够对弹性波的衰减进行抑制。通过对向检测器21进行传播的弹性波的衰减进行抑制，检测器21能够对在半导体芯片10产生的弹性波高精度地进行检测。还有，校准器3只要可以对在半导体芯片10产生的弹性波以检测器21进行充分地检测即可，也可以使用任何构件构成。
[0039]在管芯焊接载物台17，会附着或者堆积来源于管芯焊接装置2的驱动系统的异物和来源于构成基板、粘接层等的材料的异物。管芯焊接机构15在载有异物的管芯焊接载物台17，向对象物16载置半导体芯片10时，负荷集中于半导体芯片10的一部分。通过负荷集中，在半导体芯片10产生裂纹。此外，在管芯焊接载物台17上的平行度的确保不充分的情况下，通过偏负荷施加于半导体芯片10，产生裂纹。
[0040]安装于管芯焊接载物台17的检测器22对向对象物16载置半导体芯片10时的弹性能量进行检测。判定部7相应于检测器22中的检测结果，对向对象物16载置半导体芯片10时的裂纹的产生进行判定。
[0041]管芯焊接载物台17使用金属构件如铝材、不锈钢材等构成。通过应用使用金属构件构成的管芯焊接载物台17，能够对从半导体芯片10向检测器22进行传播的弹性波之中的主要的频率分量的衰减进行抑制。
[0042]检测器22例如直接安装于管芯焊接载物台17。通过尽量缩短从载置半导体芯片10的位置到检测器22为止的距离，能够对从半导体芯片10向检测器22进行传播中的弹性波的衰减进行抑制。
[0043]管芯焊接载物台17之中的使弹性波传播的部分尽量节省金属构件以外的构件如弹性构件和构件彼此间的界面。通过成为节省金属构件以外的构件及界面的结构，管芯焊接载物台17能够对弹性波的衰减进行抑制。通过对向检测器22进行传播的弹性波的衰减进行抑制，检测器22能够对在半导体芯片10产生的弹性波高精度地进行检测。
[0044]还有，管芯焊接载物台17只要可以对在半导体芯片10产生的弹性波以检测器22充分地进行检测即可，也可以使用任何构件构成。在第I实施方式中，检测器22具备即使受到来自加热器18的热传播也可以正常地工作的耐热性。
[0045]图2是表示拾取装置的工作顺序的流程图。控制装置4对成为拾取装置I所拾取的对象的半导体芯片10通过作为识别信息的ID进行识别(步骤SI)。存储器6对在步骤SI识别的ID进行存储。管芯拾取机构11相应于来自控制装置4的控制信号，从划片板13提举半导体芯片10(步骤S2)。
[0046]管芯拾取机构11将提举的半导体芯片10，通过向水平方向的移动，向校准器3进行移送。管芯拾取机构11将移动到校准器3为止的半导体芯片10载置于校准器3上(步骤 S3)。
[0047]检测器21对在步骤S3载置半导体芯片10时的弹性能量e进行检测(步骤S4)。检测器21将弹性能量e的检测结果向控制装置4进行输出。存储器6对弹性能量e的检测结果进行保持。
[0048]存储器6保持有预先设定的阈值el。阈值el为关于在检测器21检测到的弹性能量的用于对裂纹的产生进行判定的阈值。判定部7对在步骤S4检测到的弹性能量e和从存储器6读出的阈值el进行比较(步骤S5)。
[0049]在步骤S4检测到的弹性能量e比阈值el小的情况下(步骤S5，是)，判定部7判定为，在步骤SI识别的ID的半导体芯片10未产生裂纹。校准器3对于判定为未产生裂纹的半导体芯片10，实施位置修正。
[0050]从进行未产生裂纹的判定起，控制装置4对划片板13上的全部的半导体芯片10的提举是否完成进行判断(步骤S6)。在提举未完成的半导体芯片10残留于划片板13的情况下(步骤S6，否)，控制装置4返回到步骤SI，对成为识别拾取装置I接下来拾取的对象的半导体芯片10的ID进行识别。
[0051]在划片板13上的全部的半导体芯片10的提举完成的情况下(步骤S6，是)，拾取装置I结束对于