单元的加热器18的位置传播弹性波。检测器22安装于传播板30。
[0078]传播板30使用金属构件例如铝材、不锈钢材等构成。传播板30具备一块平板弯曲为L字型的弯曲形状。传播板30的一端连接于管芯焊接载物台17之中的加热器18以外的部分的侧面。
[0079]检测器22配置于传播板30之中的与连接于管芯焊接载物台17侧相反侧的端部附近。传播板30通过具备弯曲形状，在设置检测器22的部分与加热器18之间构成敞开部分。如此的敞开部分使热从加热器18向检测器22的传播受抑制，并促进来自传播板30的散热。
[0080]管芯焊接载物台17也可以在如此的敞开部分，设置包括陶瓷等的绝热构件的层。由此，管芯焊接载物台17在该层，能够隔绝热从加热器18向检测器22的传播。
[0081]管芯焊接载物台17通过应用使用金属构件构成的传播板30，能够使从半导体芯片10向检测器22进行传播的弹性波之中的主要的频率分量的衰减受抑制。
[0082]管芯焊接载物台17通过成为在传播弹性波的部分尽量节省包括金属构件以外的构件例如弹性构件的部分和/或构件彼此间的界面的构造，能够对向检测器22进行传播的弹性波的衰减进行抑制。通过对向检测器22进行传播的弹性波的衰减进行抑制，检测器22能够对在半导体芯片10产生的弹性波高精度地进行检测。
[0083]还有，传播板30只要可以对在半导体芯片10产生的弹性波以检测器22充分地进行检测即可，也可以使用任何构件构成。传播板30只要可以向离开加热器18的位置传播弹性波即可，形状及配置的位置为任意。
[0084]管芯焊接载物台17通过设置传播板30，在离开加热器18的位置配置检测器22。传播板30对来自加热器18的热进行散放。管芯焊接载物台17能够以传播板30向检测器22传播弹性波，并使热向检测器22的传播受抑制。传播板30也可以相应于热对检测器22的影响，适当设定敞开部分的宽度。
[0085]根据第2实施方式，半导体制造装置即使是不具备例如可耐在100°C以上的高温环境下的使用的耐热性的检测器22也能够应用。检测器22能够应用为，重视耐热性以外的条件例如价格、检测灵敏度等。
[0086]在第2实施方式中，半导体制造装置与第I实施方式同样地，也能够对半导体芯片10中的裂纹的产生实时地进行检测。
[0087]虽然对本发明的几个实施方式进行了说明，但是这些实施方式提示为例，并非意图对发明的范围进行限定。这些新的实施方式可以在其他的各种方式下实施，在不脱离发明的要旨的范围，能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式和/或其变形包括于发明的范围和/或要旨，并包括于记载于权利要求的范围的发明及其等同的范围。
【主权项】
1.一种半导体制造装置，其特征在于，具有: 第I载物台，其载置半导体芯片，对所述半导体芯片的位置进行修正； 第2载物台，其对安装所述半导体芯片的对象物进行支持； 移送单元，其将从所述第I载物台提举的所述半导体芯片向所述第2载物台进行移送，并在所述对象物载置所述半导体芯片；和 检测器，其安装于所述第I载物台及所述第2载物台的至少一方，并对来自所述半导体芯片的弹性波进行检测。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于: 具有判定单元，该判定单元相应于在所述检测器的所述弹性波的检测结果，对所述半导体芯片中的裂纹的产生进行判定。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于: 所述判定单元在检测到的所述弹性波的能量超过预先设定的阈值的情况下，判定为产生所述裂纹。4.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于: 进一步具有对所述判定单元中的判定结果进行显示的显示单元。5.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于: 所述检测器安装于所述第I载物台，对向所述第I载物台载置所述半导体芯片时的所述弹性波的能量和从所述第I载物台提举所述半导体芯片时的所述弹性波的能量进行检测。6.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于: 所述检测器安装于所述第I载物台； 所述第I载物台使用金属构件而构成。7.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于: 所述检测器安装于所述第2载物台，对向所述对象物载置所述半导体芯片时的所述弹性波的能量进行检测。8.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于: 所述检测器安装于所述第2载物台； 所述第2载物台使用金属构件而构成。9.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于， 所述第2载物台具备: 加热单元，其对所述对象物进行加热，和 传播构件，其向离开所述加热单元的位置传播所述弹性波； 所述检测器安装于所述传播构件。10.根据权利要求9所述的半导体制造装置，其特征在于: 所述传播构件使用金属构件而构成。11.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于: 所述检测器具备除去对所述弹性波的能量进行检测时的噪声的滤波器。12.—种半导体制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 对载置于第I载物台的半导体芯片的位置进行修正， 从所述第I载物台提举所述半导体芯片，向对安装所述半导体芯片的对象物进行支持的第2载物台移送所述半导体芯片， 在所述对象物载置所述半导体芯片； 在所述第I载物台及所述第2载物台的至少一方中，对来自所述半导体芯片的弹性波进行检测； 相应于所述弹性波的检测结果，对所述半导体芯片中的裂纹的产生进行判定。13.根据权利要求12所述的半导体制造方法，其特征在于: 单片化且移送到所述第I载物台的所述半导体芯片载置于所述第I载物台。14.根据权利要求13所述的半导体制造方法，其特征在于: 在相应于在所述第I载物台的所述弹性波的检测结果而判定为产生所述裂纹的情况下，停止向所述第I载物台的所述半导体芯片的移送。15.根据权利要求12所述的半导体制造方法，其特征在于: 在相应于在所述第2载物台的所述弹性波的检测结果而判定为产生所述裂纹的情况下，停止从所述第I载物台向所述第2载物台的所述半导体芯片的移送。16.根据权利要求12所述的半导体制造方法，其特征在于: 在检测到的所述弹性波的能量超过预先设定的阈值的情况下，判定为产生所述裂纹。17.根据权利要求12所述的半导体制造方法，其特征在于: 显示对所述裂纹的产生判定的结果。18.根据权利要求12所述的半导体制造方法，其特征在于: 在所述第2载物台中，对经过安装于所述第2载物台的传播构件的所述弹性波进行检测。
【专利摘要】本发明涉及半导体制造装置及半导体制造方法。根据实施方式，半导体制造装置具有第1载物台、第2载物台、移送单元及检测器。第1载物台对半导体芯片的位置进行修正。第2载物台对安装半导体芯片的对象物进行支持。移送单元将从第1载物台提举的半导体芯片向第2载物台进行移送。检测器对来自半导体芯片的弹性波进行检测。检测器安装于第1载物台及第2载物台的至少一方。
【IPC分类】H01L21/66, H01L21/67
【公开号】CN104900562
【申请号】CN201410409333
【发明人】广濑治
【申请人】株式会社 东芝
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2014年8月19日
【公告号】US20150255421