基板处理装置及方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于处理基板的设备及方法，更详细而言，本发明涉及一种利用电浆处理基板的设备及方法。
【背景技术】
[0002]经过了前道工序(FEOL:Front End Of Line)工序的基板，其厚度超过所需要厚度以上，因而需要经由背面研磨(Back Grinding)工序而变薄。但是，背面研磨工序后，基板的厚度过薄，因而不容易进行基板的操作(Handling)。因此，为基板操作，利用接合剂将载体附着于基板。载体在作为后续工序的芯片接合(Chip Bonding)、底部填充(Underfill)、成型(Molding)工序后去除。
[0003]载体去除后，基板在附着于框架环上固定的安装用带的状态下进行操作。安装用带不仅使得基板的操作容易，而且在基板分离为个别芯片时防止芯片散开。
[0004]在去除载体的基板上，接合剂去除不完全而留下一部分。残余接合剂不容易去除。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种基板处理装置及方法，其能够容易地去除在去除了载体后的基板上残留的接合剂。
[0006]另外，本发明的实施例提供一种能够防止框架环变性的基板处理装置及方法。
[0007]另外，本发明的实施例提供一种能够防止工序处理时基板的扭曲现象的基板处理装置及方法。
[0008]另外，本发明的实施例提供一种基板处理装置及方法，其能够防止在非传导性薄膜层压(NCF Laminat1n)时可能发生的空洞(Void)的产生。
[0009]另外，本发明的实施例提供一种能够防止安装用带与基座之间的静电的基板处理装置及方法。
[0010]本发明的目的不限定于此，本领域的技术人员能够根据以下记载而明确理解未提及的其它目的。
[0011]本发明提供一种基板处理装置。根据一个实施例，基板处理装置包括:工序腔室，其内部形成有空间；支撑单元，其位于工序腔室内部以支撑处理对象物；气体供应部，其向工序腔室内部供应工序气体；且支撑单元包括:基座；陶瓷环，其环绕基座来提供；还包括垫片，其在放置于支撑单元中的处理对象物与陶瓷环之间提供间隙。
[0012]另外，为使处理对象物位于基座顶部，还包括在陶瓷环的顶部边缘部分凸出提供的引导部。所述引导部提供为多个，其环绕基座相互间隔开。
[0013]另外，在基座的顶部形成有压纹。
[0014]处理对象物包括:框架环；固定于框架环的内侧面的安装用带；以及附着于安装用带的顶部的基板；且该基板处理装置还包括阻塞构件，其为覆盖框架环的环形状，以使得框架环不暴露于电浆。
[0015]阻塞构件提供来使安装用带暴露于电浆。
[0016]本发明提供基板处理方法。根据一个实施例，该基板处理方法包括:在固定于框架环的安装用带上附着已完成背面研磨的基板以构成处理对象物的步骤；使处理对象物位于基板处理装置内的步骤；以及，利用激发为电浆的工序气体去除基板表面的接合剂残余物的步骤。
[0017]另外，该方法的特征在于，在该去除接合剂残余物的步骤中，使所述安装用带暴露于该电楽。
[0018]另外，该方法的特征在于，在该去除接合剂残余物的步骤中，所述框架环由阻塞环覆盖，所述安装用带不由该阻塞环覆盖。
[0019]本发明的实施例能够容易地去除在去除了载体后的基板上残留的接合剂。
[0020]另外，本发明的实施例使框架环最小地暴露于电浆中，从而能够防止框架环的变性。
[0021]另外，根据本发明的实施例，为诱导安装用带与基座之间空气的排出，在陶瓷环上提供垫片等，从而使空气容易排出，由此能够防止工序进行时基板的扭曲现象等。
[0022]另外，本发明的实施例使安装用带暴露于电浆，去除接合剂，从而能够防止在非传导性薄膜层压(NCF Laminat1n)时会发生的空洞(Void)的产生。
[0023]另外，本发明的实施例在基座顶部形成压纹，从而能够防止安装用带与基座之间的静电。
【附图说明】
[0024]图1为示出了本发明实施例的基板处理装置中所处理的处理对象物的一个实例的立体图。
[0025]图2至图8为依次示出了制作图1所示的处理对象物的流程图。
[0026]图9为示出了本发明的一个实施例的基板处理装置的剖面图。
[0027]图10为示出了图9的基座与陶瓷环的立体图。
[0028]图11为示出了图9的基座与阻塞构件的俯视图。
[0029]图12为示出了沿着图11的A-A’线截取的支撑单元与阻塞构件的剖面图。
[0030]图13及图14为分别示出了本发明另一实施例的基板处理装置的剖面图。
[0031]其中，附图标记的说明如下:
[0032]A-A’ 线
[0033]G 间隙
[0034]50处理对象物
[0035]51 基板
[0036]51a 基板
[0037]51b 基板
[0038]51c 基板
[0039]52硅贯通电极
[0040]53 凸块
[0041]54 载体
[0042]55接合剂
[0043]55a接合层
[0044]61芯片接合
[0045]62底部填充
[0046]63 成型
[0047]71框架环
[0048]72安装用带
[0049]310工序腔室
[0050]311 主体
[0051]312密闭盖
[0052]313排气孔
[0053]314扩散空间
[0054]317排气管线
[0055]320支撑单元
[0056]322 基座
[0057]324陶瓷环
[0058]324a 容纳槽
[0059]324b 引导部
[0060]324c 垫片
[0061]330 挡板
[0062]331分配孔
[0063]340电浆产生部
[0064]341振荡器
[0065]342波导管
[0066]343介电管
[0067]350阻塞构件
[0068]351阻塞环
[0069]352 主体
[0070]353内侧部
[0071]354外侧部
[0072]355升降构件
[0073]361移动杆
[0074]362 杆 / 第一杆
[0075]363 杆 / 第二杆
[0076]364杆/第三杆
[0077]365 托片
[0078]368驱动部
[0079]370气体供应部
[0080]372气体供应管线
[0081]374气体储集部
[0082]376气体埠
[0083]410排气板
[0084]411排气孔
【具体实施方式】
[0085]以下参照附图，更详细地说明本发明的实施例。本发明的实施例可变形为多种形态，不应解释为本发明的范围限定于以下实施例。本发明实施例提供来用于向本领域的技术人员更完全地说明本发明。因此，为更明确地强调说明，对附图中组件的形状进行夸示。
[0086]图1为示出了本发明实施例的基板处理装置中提供的处理对象物的立体图，图2至图8为依次示出了制作图1所示的处理对象物的流程图。
[0087]如图1至图8所不，提供如图2所不完成如道工序(FEOL)工序的基板51。在基板51上，如图3所示依次形成有硅贯通电极(TSV:Through Silicon Via)52及接合于载体54的凸块53。载体54作为硅或玻璃材质的板，当基板51经过背面研磨工序时，因厚度非常薄而难以操作，因而，需要提供用于基板51的操作。载体54借助接合剂55而接合于基板51顶部。
[0088]为减小封装(Package)的组装尺寸，将附着有载体54的基板51提供至背面研磨(Back Grinding)工序。经过了前道工序(FEOL)工序的基板51由于厚度不必要地过厚，因而如图4所示，在背面研磨工序中将基板51背面研磨得极薄。
[0089]背面研磨工序后，基板51a如图5所示进行倒装(flip)、芯片接合(chipbonding)61。而且，如图6所示，依次进行底部填充(under fill)62与成型(molding)63工序。
[0090]如图7所示，完成成型63工序的基板51b附着于在框架环71上固定的安装用带72上。框架环71为具有大于基板51b的半径的环形状，其以不锈钢(Stainless)或