晶片的加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及将在晶片的背面外周形成有环状凸部的晶片分割成一个个器件的晶片的加工方法。
【背景技术】
[0002]近年来，为了实现电机设备的轻量化和小型化，要求晶片的厚度更薄，例如在50 μπι以下。形成这样薄的晶片不仅刚性降低，而且容易发生翘曲，因此处理困难，在搬送等中有可能破损。因此，提出了如下磨削方法:仅对晶片的与形成有器件的器件形成区域对应的背面进行磨削，由此在与围绕器件形成区域的外周剩余区域对应的背面形成加强用的环状凸部(例如，参照专利文献I)。
[0003]作为沿着分割预定线分割这样的晶片的方法，提出了在晶片的分割前除去环状凸部的方法(例如，参照专利文献2)。在该方法中，沿着环状凸部突出的晶片的背面粘贴切割带，借助切割带而将晶片的背面侧支承于卡盘工作台。在卡盘工作台上，从工作台上表面突出的多孔部进入晶片的凹部并卡合，利用切削刀具从晶片的正面侧切离环状凸部。然后，利用切削刀具从正面侧切削晶片而分割成一个个器件。
[0004]专利文献1:日本特开2007-173487号公报
[0005]专利文献2:日本特开2010-186971号公报
[0006]在专利文献2所记载的方法中，在晶片的背面形成有环状凸部和凹部，因此当以沿着晶片的背面的方式粘贴切割带时，在晶片的凹部的角落会残留气泡。当从晶片切离环状凸部时，在利用切削刀具从晶片的正面侧朝向形成有凹部的背面切入时，因气泡而会使切削刀具发生抖动，或者切肩进入气泡内，从而对晶片造成不良影响。因此，在除去了环状凸部后的晶片中，存在晶片的外周侧的器件的品质劣化的问题。
【发明内容】
[0007]本发明正是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，能够不使品质劣化地将在背面外周形成有环状凸部的晶片分割成一个个器件。
[0008]在本发明的晶片的加工方法中，所述晶片具有:在正面利用分割预定线形成有多个器件的大致圆形形状的器件形成区域；和围绕该器件形成区域的外周剩余区域，所述晶片的加工方法由以下工序构成:凹部形成工序，对晶片正面侧粘贴保护带，仅对晶片的与该器件形成区域对应的背面侧的区域磨削规定厚度而将该器件形成区域减薄至期望厚度，在该背面形成凹部，并且在该外周剩余区域形成向背面侧突出的环状凸部；环状凸部分割工序，在实施该凹部形成工序后，在该环状凸部和该凹部的边界处形成圆形的分割槽，分割该环状凸部和该凹部；转移工序，在实施该环状凸部分割工序后，对晶片的背面的该分割槽的内侧整个面粘贴切割带，并且将该保护带剥离来除去该环状凸部；以及器件形成区域分割工序，在实施该转移工序后，沿着该器件形成区域的分割预定线进行分割。
[0009]根据该结构，在晶片的正面侧粘贴有保护带的状态下，在晶片的背面侧的环状凸部和凹部的边界处形成有圆形分割槽。因此，当对晶片的背面粘贴切割带时，能够使晶片的背面和切割带之间的空气逃向分割槽。从而，通过在晶片的整个背面没有气泡残留地粘贴切割带，并且从晶片的正面剥离保护带，从晶片除去环状凸部，能够将晶片从保护带良好地转移到切割带上。并且，在晶片的背面没有气泡残留的状态下分割晶片，因此不会因气泡的影响而使器件的品质降低。
[0010]发明效果
[0011]根据本发明，在将切割带粘贴到晶片的背面前，在环状凸部和凹部的边界处形成分割槽，由此能够不使品质劣化地将在背面外周形成有环状凸部的晶片分割成一个个器件。
【附图说明】
[0012]图1是本实施方式的晶片的立体图。
[0013]图2是示出本实施方式的凹部形成工序的一例的图。
[0014]图3是不出本实施方式的环状凸部分割工序的一例的图。
[0015]图4是示出本实施方式的转移工序的一例的图。
[0016]图5是示出本实施方式的器件形成区域分割工序的一例的图。
[0017]图6是比较例的晶片的加工方法的说明图。
[0018]标号说明
[0019]11:晶片的正面；
[0020]12:晶片的背面；
[0021]15:凹部；
[0022]16:环状凸部
[0023]17:分割槽；
[0024]18:分割预定线；
[0025]Al:器件形成区域；
[0026]A2:外周剩余区域；
[0027]Tl:保护带；
[0028]T2:切割带；
[0029]D:器件；
[0030]W:晶片。
【具体实施方式】
[0031]本实施方式的晶片的加工方法针对仅将晶片的背面的外周部分留下、并仅对其内侧进行了磨削的所谓的TAIKO晶片来实施。在将这样的晶片分割成一个个器件的情况下，当仅晶片的背面中央被减薄成凹状时，无法利用从晶片的背面侧突出的外周部分使晶片的背面侧保持于卡盘工作台。因此通常，在将晶片的外周部分除去来使晶片的背面平坦化后，将晶片分割成一个个芯片。
[0032]在该情况下，需要对晶片的背面粘贴切割带，但由于外周部分从晶片的背面突出，因此在晶片的背面和切割带之间会残留气泡。因此，在本实施方式的晶片的加工方法中，在对晶片的背面粘贴切割带前，在晶片的凹状部分和外周部分的边界处形成作为气泡的排气道的分割槽。由此，即使晶片的外周部分突出，也能够使切割带无间隙地粘贴到晶片的整个背面。
[0033]以下，参照附图，对本实施方式的晶片的加工方法进行详细说明。图1是本实施方式的晶片的立体图。图2是示出本实施方式的凹部形成工序的一例的图。图3是示出本实施方式的环状凸部分割工序的一例的图。图4是示出本实施方式的转移工序的一例的图。图5是示出本实施方式的器件形成区域分割工序的一例的图。
[0034]如图1所示，晶片W形成为大致圆板状，并且由排列在正面11的格子状的分割预定线18划分出多个区域。在晶片W的中央，在由分割预定线18划分出的各区域形成有器件D。晶片W的正面11被分成形成有多个器件D的器件形成区域Al和围绕器件形成区域Al的外周剩余区域A2。并且，在晶片W的外缘13形成有表示结晶方向的缺口 14。晶片W以在正面11粘贴有保护带Tl的状态被搬入磨削装置21 (参照图2)。
[0035]如图2所示，首先实施凹部形成工序。在凹部形成工序中，借助保护带Tl而将晶片W的正面11侧保持于磨削装置21的卡盘工作台22。然后，磨削装置21的磨削轮23绕Z轴旋转并靠近卡盘工作台22，通过磨削轮23和晶片W的背面12旋转接触来磨削晶片W。此时，在晶片W的背面12中，只有正面11的器件形成区域Al的背面侧被磨削。由此，在晶片W的背面12，与器件形成区域Al对应的区域被减薄至期望的厚度而形成圆形的凹部15，与外周剩余区域A2对应的区域从晶片W的背面12侧突出而形成环状凸部16。
[0036]这样，由于凹部15而只有晶片W的中央部分被减薄，并且利用包围凹部15的环状凸部16提高了晶片W的刚性。从而，在晶片W的器件形成区域Al被减薄的同时，利用环状凸部16抑制了晶片W的翘曲，防止搬送时的破损等。另外，晶片W可以是硅、砷化镓等半导体晶片，也可以是陶瓷、玻璃、蓝宝石类的光器件晶片。形成有凹部15和环状凸部16的晶片W在粘贴有保护带Tl的状态下被搬入切削装置31 (参照图3)。
[0037]如图3所示，在凹部形成工序后实施环状凸部分割工序。在环状凸部分割工序中，借助保护带Tl而将晶片W的正面11侧保持于切削装置31的卡盘工作台32。此时，以使晶片W的中心与卡盘工作台32的旋转轴(Z轴)一致的方式，来使晶片W相对于卡盘工作台32对准位置。并且，切削刀具33被定位于晶片W的环状凸部16和凹部15的边界处，利用高速旋转的切削刀具33从晶片W的背面12侧切入环状凸部16和凹部15的边界。
[0038]然后，在利用切削刀具33切入到保护带Tl的中途后，旋转卡盘工作台32而利用切削刀具33呈圆形切削晶片W。由此，沿着晶片W的外周在凹部15和环状凸部16之间形成圆形的分割槽17，从而环状凸部16被从晶片W切离。形成有分割槽17晶片W被搬入转移装置(未图示)。在该情况下，在晶片W的器件形成区域Al借助保护带Tl而支承于环状凸部16的状态下被搬送。即，环状凸部16作为环状框架发挥功能，抑制晶片W的被减薄的器件形成区域Al的挠曲。
[0039]另外，环状凸部分割工序不限定于利用切削刀具33的切削加工(旋转切割)。环状凸部分割工序只要构成为在晶片W的圆形的凹部15和环状凸部16之间形成分割槽17即可，例如，可以通过使用对于晶片W具有吸收性的波长的激光束的烧蚀加工来实施。所谓烧蚀是指如下现象:当激光束的照射强度达到规定的加工阈值以上时，在固体表面转换成电、热、光学及力学上的能量，其结果为，爆发性地放出中性原子、分子、正负的离子、原子团、聚簇、电子、光，对固体表面进行蚀刻。
[0040]如图4所示，在环状凸部分割工序之后实施转移工序。在转移工序中，如图4的(A)所示，沿着晶片W的背面12粘贴切割带T2。在该情况下，例如在转移装置的减压空间内的工作台上，将晶片W配置于环状框架F的内侧，利用与晶片W的凹部15对应的圆形板将切割带T2按压于晶片W的背面12。然后，切割带T2被向径向外侧拉伸，并从晶片W的背面12的中央朝向径向外侧粘贴切割带T2。
[0041]在该切割带T2的粘贴时，如图4的(B)所示，晶