有现有的薄膜晶体管阵列基板I的液晶显示装置进行信号延迟测试，结果显示具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板100的液晶显示装置与具有现有的薄膜晶体管阵列基板I的液晶显示装置相比信号延迟下降了 12.02%。
[0047]以上对本发明所提供的薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，以及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括: 衬底基板(10); 第一金属层(11)，形成在该衬底基板(10)上，该第一金属层(11)包括栅极(111)和扫描线； 第一绝缘保护层(12)，形成在该衬底基板(10)上并覆盖该第一金属层(11); 半导体层(13)，形成在该第一绝缘保护层(12)上并位于该栅极(111)上方； 第二金属层(14)，形成在该第一绝缘保护层(12)上，该第二金属层(14)包括源极(142)、漏极(144)和数据线(146)，该源极(142)和该漏极(144)彼此分隔并分别与该半导体层(13)接触，该半导体层(13)的一部分从该源极(142)和该漏极(144)之间露出，该数据线(146)与该源极(142)相连，由多条该扫描线和多条该数据线(146)交叉形成多个像素单元⑵； 第二绝缘保护层(15)，形成在该第一绝缘保护层(12)上并覆盖该源极(142)、该漏极(144)、该数据线(146)、以及从该源极(142)和该漏极(144)之间露出的部分该半导体层(13)； 第一导电层(16)，形成在该第二绝缘保护层(15)上，该第一导电层(16)包括横跨该数据线(146)的导电连接部(162); 第三绝缘保护层(17)，形成在该第一导电层(16)上，该第三绝缘保护层(17)于对应该导电连接部(162)的位置具有第一通孔(172)以露出部分的该导电连接部(162)，该第三绝缘保护层(17)和该第二绝缘层(15)于对应该漏极(144)的位置具有第二通孔(174)以露出部分的该漏极(144);以及第二导电层(18)，形成在该第三绝缘保护层(17)上，该第二导电层(18)包括彼此分隔设置的第一部分(182)和第二部分(184)，该第一部分(182)对应位于该数据线(146)上方并顺延该数据线(146)设置，该第一部分(182)还填入该第一通孔(172)中与该导电连接部(162)接触实现电连接，由该第一导电层(16)和该第二导电层(18)的该第一部分(182)共同形成第一电极，该第一电极是公共电极，该第二部分(184)位于对应的像素单元(P)内且还填入该第二通孔(174)中与该漏极(144)接触实现电连接，该第二部分(184)形成第二电极，该第二电极是像素电极。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第一导电层(16)于对应该数据线(146)的位置形成第一缺口(164)以露出下方的该第二绝缘保护层(15)，形成在该第一导电层(16)上的该第三绝缘保护层(17)还填入该第一缺口(164)中与该第二绝缘保护层(15)接触。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第一导电层(16)于对应薄膜晶体管所在的位置形成第二缺口(166)以露出下方的该第二绝缘保护层(15)，形成在该第一导电层(16)上的该第三绝缘保护层(17)还填入该第二缺口(166)中与该第二绝缘保护层(15)接触。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第二导电层(18)的第一部分(182)为与该数据线(146)相对应的条状结构并覆盖该数据线(146)。5.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。6.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板(10)上制作形成第一金属层(11)，该第一金属层(11)包括栅极(111)和扫描线； 在该衬底基板(10)上制作形成第一绝缘保护层(12)，该第一绝缘保护层(12)覆盖该第一金属层(11); 在该第一绝缘保护层(12)上制作形成半导体层(13)，该半导体层(13)位于该栅极(111)上方； 在该第一绝缘保护层(12)上制作形成第二金属层(14)，该第二金属层(14)包括源极(142)、漏极(144)和数据线(146)，该源极(142)和该漏极(144)彼此分隔并分别与该半导体层(13)接触，该半导体层(13)的一部分从该源极(142)和该漏极(144)之间露出，该数据线(146)与该源极(142)相连，由多条该扫描线和多条该数据线(146)交叉形成多个像素单元⑵； 在该第一绝缘保护层(12)上制作形成第二绝缘保护层(15)，该第二绝缘保护层(15)覆盖该源极(142)、该漏极(144)、该数据线(146)、以及从该源极(142)和该漏极(144)之间露出的部分该半导体层(13); 在该第二绝缘保护层(15)上制作形成第一导电层(16)，该第一导电层(16)包括横跨该数据线(146)的导电连接部(162); 在该第一导电层(16)上制作形成第三绝缘保护层(17)，该第三绝缘保护层(17)于对应该导电连接部(162)的位置形成第一通孔(172)以露出部分的该导电连接部(162)，该第三绝缘保护层(17)和该第二绝缘层(15)于对应该漏极(144)的位置形成第二通孔(174)以露出部分的该漏极(144);以及 在该第三绝缘保护层(17)上制作形成第二导电层(18)，该第二导电层(18)包括彼此分隔设置的第一部分(182)和第二部分(184)，该第一部分(182)对应位于该数据线(146)上方并顺延该数据线(146)设置，该第一部分(182)还填入该第一通孔(172)中与该导电连接部(162)接触实现电连接，由该第一导电层(16)和该第二导电层(18)的第一部分(182)共同形成第一电极，该第一电极是公共电极，该第二部分(184)位于对应的像素单元(P)内且还填入该第二通孔(174)中与该漏极(144)接触实现电连接，该第二部分(184)形成第二电极，该第二电极是像素电极。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在该第二绝缘保护层(15)上制作形成该第一导电层(16)时，包括在该第一导电层(16)于对应该数据线(146)的位置制作形成第一缺口(164)以露出下方的该第二绝缘保护层(15)，使形成在该第一导电层(16)上的该第三绝缘保护层(17)还填入该第一缺口(164)中与该第二绝缘保护层(15)接触。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在该第二绝缘保护层(15)上制作形成该第一导电层(16)时，包括在该第一导电层(16)于对应薄膜晶体管所在的位置制作形成第二缺口(166)以露出下方的该第二绝缘保护层(15)，使形成在该第一导电层(16)上的该第三绝缘保护层(17)还填入该第二缺口(166)中与该第二绝缘保护层(15)接触。9.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该第二导电层(18)的第一部分(182)为与该数据线(146)相对应的条状结构并覆盖该数据线(146)。10.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该第一部分(182)和该第二部分(184)是在制作该第二导电层(18)的同一道光罩制程中制作形成的。
【专利摘要】一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法，包括衬底基板、第一金属层、第一绝缘保护层、半导体层、第二金属层、第二绝缘保护层、第一导电层、第三绝缘保护层及第二导电层。第二金属层包括源极、漏极和数据线。第一导电层包括横跨数据线的导电连接部。第三绝缘保护层于对应导电连接部的位置具有第一通孔，第三绝缘保护层和第二绝缘层于对应漏极的位置具有第二通孔。第二导电层包括彼此分隔设置的第一部分和第二部分，该第一部分对应位于数据线上方并顺延数据线设置，该第一部分填入第一通孔中与该导电连接部接触实现电连接，由第一导电层和该第一部分共同形成第一电极，该第二部分填入第二通孔中与漏极接触实现电连接，该第二部分形成第二电极。
【IPC分类】H01L27/12, H01L21/77
【公开号】CN105097844
【申请号】CN201510514177
【发明人】王佳骏, 李森龙
【申请人】昆山龙腾光电有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年8月20日