阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示
目.0
【背景技术】
[0002]随着显示技术的进步与发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)已成为平板显示器件的主流，TFT是由源极、漏极和栅极组成的三极管，打开TFT，在栅极和源极加上电压后，经由三极管给予漏极一定的电压，漏极再将电压传给像素电极，相对的公共电极的电压由外部提供，由像素电极和公共电极之间形成的电压差进行驱动液晶分子，以达到显示的目的，TFT关闭后，像素需要保持一帧的画面，因此需要利用存储电容保持液晶分子不动，以达到显示一帧画面的目的，因此存储电极和像素电极形成的存储电容就尤其重要。
[0003]为了保证更好的保持一帧的画面，需要增加存储电容以提高电压保持率，并降低相应的漏电流，在现有的技术条件下，要增大存储电容，一般是降低绝缘膜厚度和增加存储电极的宽度，绝缘膜的厚度在工艺条件确定后很少再做变更，因此存储电容的大小主要取决于存储电极的宽度，但增大存储电极的宽度，同时增加了 TFT的负载容量，并且会降低像素的开口率。
【发明内容】
[0004]本发明的一个目的在于克服上述技术问题。
[0005]第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括:基底以及形成在基底上的开关晶体管阵列、第一电极图形和第二电极图形；其中，所述开关晶体管阵列包括多个开关晶体管，所述第一电极图形包括多个第一电极、所述第二电极图形包括多个第二电极；其中，每一个第二电极连接一个开关晶体管，并与一个第一电极构成一个存储电容。
[0006]进一步的，每一个开关晶体管包括一个栅极，所述第一电极图形中的第一电极与各个开关晶体管的栅极同层形成。
[0007]进一步的，具有纳米通道结构的电极所属的电极图形通过气相沉淀工艺或者射频溅射工艺形成。
[0008]进一步的，所述阵列基板为扭曲向列型阵列基板、共平面切换型阵列基板、垂直排列型阵列基板和边缘电场切换型阵列基板中的一种。
[0009]第二方面，本发明提供了一种制作阵列基板的方法，在基底上形成开关晶体管阵列、第一电极图形和第二电极图形的步骤；其中，所述开关晶体管阵列包括多个开关晶体管，所述第一电极图形包括多个第一电极、所述第二电极图形包括多个第二电极；其中，每一个第二电极连接一个开关晶体管，并与一个第一电极构成一个存储电容；所述第一电极朝向所述第二电极的一面和/或所述第二电极朝向所述第一电极的一面具有纳米通道结构，所述纳米通道结构适于增大所述的电极的表面积；其中，
[0010]形成具有纳米通道结构的电极所属的电极图形的步骤包括:
[0011]通过气相沉淀工艺或者射频溅射工艺沉积电极材料层，使所形成的电极材料层的表面具有纳米通道结构；
[0012]对所述电极材料层进行图案化得到相应的电极图形。
[0013]进一步的，所形成的开关晶体管阵列中的每一个开关晶体管均包括一个栅极，在基底上形成开关晶体管阵列、第一电极图形和第二电极图形的步骤包括:
[0014]通过图案化工艺，同层形成第一电极图形中的第一电极以及各个开关晶体管中的栅极。
[0015]进一步的，所述对所述电极材料层进行图案化得到相应的电极图形包括:
[0016]在所述电极材料层上涂覆光刻胶层；
[0017]采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影得到光刻胶保留区域和光刻胶去除区域；
[0018]以剩余的光刻胶作为掩膜刻蚀掉光刻胶去除区域的电极材料层，得到相应的电极图形。
[0019]进一步的，所述方法用以制作扭曲向列型阵列基板、共平面切换型阵列基板、垂直排列型阵列基板和边缘电场切换型阵列基板中的一种。
[0020]第三方面，本发明提供了一种显示面板，包括上述任一项所述的阵列基板。
[0021]第四方面，本发明提供了一种显示装置，其特征在于，包括上述的液晶显示面板。
[0022]本发明提供的阵列基板中，构成存储电容的第一电极和第二电极中至少有一个在朝向相对的电极的一面上具有纳米通道结构，这样可以提高电容的电极板的面积，在不降低绝缘膜厚度或者增加存储电极的宽度的前提下增大电容的容值。
【附图说明】
[0023]图1为本发明提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0024]图2为图1中的阵列基板中的部分结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本发明保护的范围。
[0026]第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括:基底以及形成在基底上的开关晶体管阵列、第一电极图形和第二电极图形；其中，所述开关晶体管阵列包括多个开关晶体管，所述第一电极图形包括多个第一电极、所述第二电极图形包括多个第二电极；其中，每一个第二电极连接一个开关晶体管，并与一个第一电极构成一个存储电容；所述第一电极朝向所述第二电极的一面和/或所述第二电极朝向所述第一电极的一面具有纳米通道结构，所述纳米通道结构适于增大所属的电极的表面积。
[0027]第二方面，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，该方法可以用于制作第一方面所述的阵列基板，该方法包括:在基底上形成开关晶体管阵列、第一电极图形和第二电极图形的步骤；其中，所述开关晶体管阵列包括多个开关晶体管，所述第一电极图形包括多个第一电极、所述第二电极图形包括多个第二电极；其中，每一个第二电极连接一个开关晶体管，并与一个第一电极构成一个存储电容；所述第一电极朝向所述第二电极的一面和/或所述第二电极朝向所述第一电极的一面具有纳米通道结构，所述纳米通道结构适于增大所述的电极的表面积；其中，
[0028]形成具有纳米通道结构的电极所属的电极图形的步骤包括:
[0029]通过气相沉淀工艺或者射频溅射工艺沉积电极材料层，使所形成的电极材料层的表面具有纳米通道结构；
[0030]对所述电极材料层进行图案化得到相应的电极图形。
[0031]本发明提供的阵列基板以及利用本发明提供的阵列基板制作方法制作的阵列基板中，构成存储电容的第一电极和第二电极中至少有一个在朝向相对的电极的一面上具有纳米通道结构，这样可以提高电容的电极板的面积，在不降低绝缘膜厚度或者增加存储电极的宽度的前提下增大电容的容值。
[0032]不难理解的是，这里所指的纳米通道是指相应的通道的直径的尺寸为纳米级，一般为几个纳米到几十个纳米。
[0033]在具体实施时，上述的阵列基板除了包括上述的各个结构之外，还可能包含其他结构，比如用于将第一电极图形和第二电极图形间隔开的绝缘层等。另外，上述的各个结构一般构成多个基本的像素单元实现相应的显示功能。具体来说，上述的开关晶体管阵列中的一个开关晶体管与第一电极图形中的一个第一电极以及第二电极图形中的一个第二电极会构成一个基本的像素单元，用于实现发光显示。此时，这里的第二电极相当于像素电极。下面结合附图对本发明提供的其中一种阵列基板在一个像素单元处的结构进行简要说明。
[0034]参考图1，该阵列基板在一个像素单元处的结构包括基底100、形成在基底100上的开关晶体管200、形成在基底上的第一电极300和第二电极400，另外还包括间隔在开关晶体管200、第一电极300和第二电极400之间的第一绝缘层500和第二绝缘层600 ;该开关晶体管200包括栅极210、源极221和漏极222 ;栅极210和第一电极300同层形成在基底100上，第一绝缘层500覆盖在该栅极210和第一电极300上，源极221和漏极222以及有源层230形成在第一绝缘层500上，源极221和漏极222被有源层230分隔开；第二绝缘层600在源极221和漏极222以及有源层230之上，其中形成有过孔，第二电极400通过该过孔与漏极222相连。参见图2为第一电极300的上表面(朝向第二电极400的一面)或者第二电极400的下表面(朝向第一电极300的