有机半导体膜的形成方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种使用有机半导体材料的薄膜晶体管等中所使用的有机半导体膜 的形成方法。
【背景技术】
[0002] 因可轻量化、低成本化、柔软化，故在使用液晶显示器或有机电致发光 (electroluminescence,EL)显示器中所使用的薄膜晶体管（ThinFilmTransistor,TFT)、 射频识别（RadioRrequen巧Identification,RFID) (RF标签（RadioRrequen巧tag))或 存储器等的逻辑电路的装置等中，利用的是具有包含有机半导体材料的有机半导体膜（有 机半导体层）的有机半导体元件。
[0003] 在有机半导体元件的制造中，作为有机半导体膜的形成方法之一，如下湿式的方 法已为人所知，即，将有机半导体材料溶解于溶剂中所得的涂料涂布于基板上，并使溶液干 燥，由此形成有机半导体膜。
[0004] 所述湿式的有机半导体膜的形成方法具有可廉价地形成有机半导体膜W及可对 应于大面积而形成有机半导体膜等各种优点。 阳〇化]然而，为了获得迁移率（mobility)高的有机半导体膜，重要的是提高有机半导体 膜的结晶性。因此，在上述湿式的有机半导体膜的形成中，也提出各种提高有机半导体膜的 结晶性的方法。
[0006] 例如，专利文献1中记载了如下方法：W包围基板上的有机半导体膜的形成位置 的方式形成框体，向所述框体中填充溶解有有机半导体材料的溶液，并使所述溶液干燥，由 此形成有机半导体的结晶。
[0007] 而且，专利文献2中记载了如下方法：使用具有接触面的接触构件，所述接触面供 溶解有有机半导体材料的溶液附着，W所述接触面相对于基板的表面为固定的关系的方式 配置接触构件，使溶液保持于接触构件的接触面，并进行干燥，由此形成结晶性的有机半导 体膜。
[000引具体而言，记载了如下方法：使用具有垂直地立设于基板的接触面的接触构件，向 接触面与基板所成的角部填充溶液，并进行干燥，由此形成结晶性的有机半导体膜。另外， 作为另一方法，也记载了如下方法：使用具有相对于基板倾斜的接触面的接触构件，将接触 面与基板依规定的间隔隔开配置，在接触面与基板之间，与两个接触地填充溶液，并进行干 燥，由此形成结晶性的有机半导体膜。
[0009] [现有技术文献]
[0010] [专利文献]
[0011] [专利文献1]国际公开第2007/142238号
[0012] [专利文献2]国际公开第2011/040155号
【发明内容】
[0013] 发明所要解决的问题
[0014] 根据运些方法，可形成具有结晶性的有机半导体膜。
[0015] 然而，近年来，对于有机半导体膜的形成的要求更为严格，故期望出现一种可稳定 地形成具有更好的结晶性且获得高迁移率的半导体元件的有机半导体膜的方法。
[0016] 本发明的目的在于解决上述现有技术的问题，且提供一种可稳定地形成具有良好 的结晶性且迁移率高的有机半导体膜的有机半导体膜的形成方法。
[0017] 解决问题的技术手段
[0018] 为了达成上述目的，本发明提供一种有机半导体膜的形成方法，其特征在于：在使 用溶解有有机半导体材料的溶液来形成包含有机半导体材料的有机半导体膜时，
[0019] 使用盖构件，向盖构件与基板之间的空间填充溶液，并使填充的溶液干燥，由此形 成有机半导体膜，其中上述盖构件配置于形成有机半导体膜的基板上且与基板之间形成空 间，
[0020] 盖构件具有限制面，上述限制面形成有离基板最远的最上部W及从最上部朝向基 板而设置于最上部的y方向的两侧的下降部，且，限制面所形成的空间的与y方向正交的X 方向为开放的形状，在将限制面朝向基板而使y方向的至少一端部的整个区域与基板接触 的状态下配置上述盖构件。
[0021] 而且，在将盖构件的整个区域与基板接触的y方向的端部作为基端时，在限制面 上的与基端为相反侧的y方向的端部的溶液的至少一部分位于从基端观察时不超过限制 面的最上部的部位，且，连结基端及限制面上的作为溶液在y方向上离基端最远的位置的 隔开位置的最短的线、与连结从隔开位置向基板下引的垂线和基板交叉的点及基端的最短 的线所成的角度即视角（a卵arentangle)为50°W下，进而，WX方向的长度除Wy方向 的长度所得的x/y比为0. 2W上的方式，向盖构件与基板之间的空间的基端侧填充溶液。
[0022] 上述本发明的有机半导体膜的形成方法中，优选为溶液的不与记基板W及盖构件 接触的部分的表面积为溶液整体的表面积的35%W下。
[0023] 而且，优选为溶液的不与基板W及盖构件接触的部分的表面积为溶液整体的表面 积的1 %W上。
[0024] 而且，优选为视角为3°W上。
[0025] 而且，优选为x/y比为100000W下。
[00%] 而且，优选为将y方向的两端部与基板接触来配置盖构件。
[0027] 而且，优选为使y方向的两端部的整个区域与基板接触来配置盖构件。
[0028] 而且，优选为盖构件为板状。
[0029] 进而，优选为盖构件具有与y方向的两端部平行的区域。
[0030] 发明的效果
[0031] 根据上述本发明，在使用溶解有有机半导体材料的溶液的有机半导体膜的形成 中，能适当地控制溶剂的蒸发，并可稳定地形成结晶性良好的有机半导体膜。
【附图说明】
[0032]图1是概念性地表示本发明的有机半导体膜的形成方法的一例的立体图。
[003引图2(A)是图1所示的有机半导体膜的形成方法的正视图，做是图1所示的有机 半导体膜的形成方法的平面图。
[0034] 图3(A)是本发明的有机半导体膜的形成方法的另一例的正视图，度）是平面图。
[0035] 图4(A)~（I)是概念性地表示本发明的有机半导体膜的形成方法的另一例的图。
[0036]图5是用W说明本发明的有机半导体膜的形成方法的概念图。
【具体实施方式】
[0037] 图1W及图2中概念性地表示本发明的有机半导体膜的形成方法的一例。
[0038] 另外，图2 (A)表示从箭头X方向观察图1的正视图，图2度）是从上方观察图1的 平面图。
[0039] 本发明的有机半导体膜的形成方法（W下，也简称作"本发明的形成方法"）为使 用溶液来形成有机半导体膜，上述溶液是将成为有机半导体膜的有机半导体材料溶解于溶 剂中而成。
[0040] 如图1W及图2中概念性所示，本发明的有机半导体膜的形成方法是在形成有机 半导体膜的基板10上，配置与基板10之间形成空间16的盖构件12,W与基板10W及盖构 件12接触的方式向所述空间16填充溶液（W下，称作涂布液巧，其中所述溶液是将成为有 机半导体膜的有机半导体材料溶解于溶剂中而成，并使所述涂布液E干燥，然后，卸下盖构 件12,由此形成有机半导体膜。
[0041] 本发明的形成方法中，基板10在其表面形成有机半导体膜。目P，基板10为有机半 导体元件的基板等。
[0042] 作为基板10,只要可形成溶解有有机半导体材料的有机半导体膜，则可利用包含 娃等金属、陶瓷、玻璃、塑料等各种材料所形成的板状物（片状物/膜）。
[0043] 而且，形成有机半导体膜的基板除图示例所示的单纯的板状物W外，可利用有机 半导体元件的制造中的各种构成的。
[0044] 作为一例，基板可为在支持体（半导体元件的基板）的表面的整个面或者一部分 形成绝缘层的，也可为在支持体上形成栅极电极并覆盖支持体W及栅极电极而形成绝缘层 的，还可为在成为栅极电极的支持体的表面形成绝缘层并在所述绝缘层上形成源极电极W 及漏极电极的。
[0045]目P，本发明的有机半导体膜的形成方法可用于公知的各种有机半导体元件的制造 步骤中的有机半导体膜（有机半导体层）的形成中，上述公知的各种有机半导体元件为底 部栅极-底部接触型、顶部栅极-底部接触型、底部栅极-顶部接触型、顶部栅极-底部接 触型等。
[0046] 另外，作为运些基板的支持体，W上述基板10而进行了例示，但可利用各种支持 体。
[0047] 盖构件12在与基板10的有机半导体膜的形成面（W下，也称作表面）之间，形成 用W填充成为有机半导体膜的涂布液E的空间（即，限制涂布液E的涂布区域），进而，控制 涂布液E的干燥（溶剂的蒸发）。
[0048] 本发明的形成方法中，盖构件具有限制面，所述限制面具有离基板10的表面