上容易产生微细的结晶。
[0088] 若考虑所述方面，则涂布液E的与外部气体接触的表面积优选为涂布液的表面积 的1%W上，更优选为5%W上，进而优选为10%W上，尤其优选为15%W上。
[0089] 另外，如上述那样，涂布液E的液面未必为平面状，为凹状或凸状的情况也多，因 而正确算出涂布液的表面积是非常困难的。
[0090]因此，本发明中，涂布液E的与y方向的基端b为相反侧的液面被视作在基端b与 涂布液E在y方向上相隔最远的位置处与X方向平行的平面状。而且，X方向的两侧的涂 布液E的液面使用如上述那样设定的y方向的液面，被视作连结基端b、隔开位置e及点P 的成为与y方向平行的平面的直角=角形。本发明中，将使用如上述那样设定的液面而算 出的表观的涂布液E的表面积作为涂布液E的表面积。
[0091] 本发明的有机半导体膜的形成方法中，盖构件除图示例所示的使限制面12a的y 方向的两端与基板10接触的圆弧状W外，只要可形成如上述那样凸状的空间，则可利用各 种形状。
[0092] 而且，盖构件可在各种状态下配置于基板10上。
[0093] 例如，如图4(A)W及图4做中概念性所示，圆弧状的盖构件中，y方向的一端也 可为不与基板10接触而构成。另外，图4中，所有例中，图中的横方向为y方向。
[0094] 而且，此时，也可视需要由柱状的构件来支持盖构件的不与基板10接触的一侧。 或者，也可从上方悬挂支持盖构件的不与基板10接触的一侧。
[0095] 然而，就可适度增高涂布液E的蒸发空间内的溶剂浓度且容易进行涂布液E的蒸 发的控制等方面而言，盖构件优选为y方向的两端与基板10接触，尤其优选为如图1等所 示y方向的两端的整个区域与基板10接触。
[0096]而且，如图4似中概念性所示，在与图1或图2相同的圆弧状的盖构件中，也可 为如下构成：y方向的一端部的整个区域与基板10接触，另一端部的一部分不与基板10接 触，而是部分性地与基板10接触。
[0097] 或者，如图4值）中概念性所示，在与图1或图2相同的圆弧状的盖构件中，也可为 如下构成：y方向的一端部的整个区域与基板10接触，另一端部具有矩形状的切口，所述切 口W外的端部与基板10接触。所述切口除矩形W外，也可为=角形或圆形等各种形状。更 进一步来说，切口不仅可形成于X方向的中央，也可形成于端部。
[0098] 而且，盖构件的平面形状（成为盖构件的板材的形状）除图示例所示的正方形W 夕F，也可利用各种形状。
[0099]例如，盖构件如图4似W及图4(巧中概念性所示，也可为梯形。如图1等所示的 正方形或所述梯形或长方形那样，盖构件具有与y方向的两端部平行的区域，由此可容易 地使盖构件的y方向的两端与基板10接触，优选为可使y方向的两端的整个区域与基板10 接触。
[0100] 进而，盖构件如上述例那样，也可不为具有从最上部向y方向的两侧而逐渐接近 于基板10的下降部的形状。 阳101] 例如，如图4(G)中概念性所示，也可为如下构成：将长方体的端部呈直角弯折而 成的形状（即，使作为最大面的一面W及对向的两侧面开放的立方体形状）的盖构件的弯 折的一侧设为y方向，弯折的端部与基板10接触。此时，最上部为平面状，呈直角弯折的部 分为下降部。 阳102] 或者，上表面也可并非为如图4(G)所示的平面状，而是如图4(H)中概念性所示， 呈=角形状倾斜，更进一步来说，也可为如图4(1)中概念性所示，在下降部的一侧具有朝 向基板10倾斜的部分的构成。 阳103]另外，本发明的形成方法中，也可为如所述图4(G)~图4(1)所示的盖构件具有平 面状（直线状）的最上部的构成，上述视角0与之前同样地，如图5中概念性所示，将如下 两条线所成的角度设为视角e，其中一个为连结限制面上在y方向上离基端b最远的隔开 位置e及基端b的线，另一个为连结来自隔开位置e的垂线与基板10交叉的点P及基端b 的线。 阳104] 进而，本发明的形成方法中，盖构件不限定于图示例所示的板状物，只要为形成有 形成如上述那样的凸状的空间的限制面的，则可利用各种形状的构件。例如，也可在如立方 体或长方体运样的块状构件的一面，形成圆弧柱状等的凹部，将所述面作为限制面，从而在 与基板10之间形成用W填充溶液的空间。
[01化]而且，本发明的形成方法中，配置于基板10的表面的盖构件不限定于1个，也可将 多个盖构件配置于一个基板的表面，而形成有机半导体膜。进一步来说，一个盖构件也可具 有与多个有机半导体膜的形成相对应的多个限制面。 阳106]本发明的形成方法中，盖构件12可由各种材料形成。 阳107]具体而言，优选为聚四氣乙締、聚氯S氣乙締（S氣树脂、聚偏氣乙締、聚氣乙締、 氣树脂共聚物、全氣烷氧基氣树脂、四氣乙締-六氣丙締共聚物、乙締-四氣乙締共聚物、乙 締-立氣氯乙締共聚物等氣树脂、娃酬树脂等拒液性（liquidr巧ellency)的材料。 阳10引而且，优选为使用在树脂等的表面涂布拒液性树脂或实施拒液处理者来作为盖构 件12。
[0109] 而且，盖构件12的大小根据所形成的有机半导体膜而适当决定即可。
[0110] 如上述那样，本发明的形成方法在基板10的表面配置盖构件12,在由基板10的表 面与盖构件12形成的空间16的基端b侧，填充溶解成为有机半导体膜的有机半导体材料 而成的涂布液E，使涂布液E干燥后，卸下盖构件12,由此在基板10的表面形成有机半导体 膜。 阳111] 另外，本发明的形成方法中，也可视需要，在将盖构件12配置于基板10上之前，对 基板10的表面实施紫外线（ultraviolet,UV)光的照射或臭氧处理等提高基板10的涂敷 性的处理等各种表面处理。
[0112] 本发明中，有机半导体材料可利用各种在有机半导体元件的制造中用于由涂布法 等所谓湿式的工艺（wetprocess)而形成的有机半导体膜的公知材料。
[0113] 具体而言，例示6,13-双（S异丙基娃烷基乙烘基）并五苯 ((triisopropylsil^ethynyl，TIP巧并五苯）等并五苯类、红巧締类、富勒締类、献菁类、 四氯基酿二甲烧（tetra巧anoquinodimethane，TCNQ)类等。
[0114] 而且，本发明中，并不限于运些有机半导体材料，优选为利用低分子系的有机半导 体材料。
[0115] 而且，只要涂布液E中含有的溶剂可溶解所使用的有机半导体材料，则可利用各 种溶剂（solvent)。
[0116]例如，在有机半导体材料为TIPS并五苯等的并苯类等的情况下，优选为例示甲 苯、苯甲酸、正下基苯、丙酬等。
[0117] 而且，涂布液E中的有机半导体材料的浓度根据有机半导体材料的种类、溶剂的 种类、形成的有机半导体膜的厚度、盖构件12的形状等而适当设定即可。
[0118] 本发明的有机半导体膜的形成方法中，涂布液E除有机半导体材料W及溶剂W 夕F，也可视需要含有表面活性剂或聚合物等。
[0119]另外，在涂布液E含有此种有机半导体材料W及溶剂W外的成分的情况下，其含 量优选为50质量％W下。
[0120] W上，已对本发明的有机半导体膜的形成方法进行了详细说明，但本发明并不限 定于上述例，在不脱离本发明的主旨的范围内，当然可进行各种改良或变更。
[0121] 实施例
[0122] W下，列举本发明的具体的实施例，对本发明的有机半导体膜的形成方法进行更 详细说明。 阳123][实施例1]
[0124] 准备20mmX20mm且厚度为0. 5mm的n型娃基板。对所述娃基板的表面进行热处 理，形成厚度为300nm的热氧化膜，从而制成基板10。
[01巧]进而，对热氧化膜的表面照射UV光，而提高涂敷性。 阳126] 另一方面，准备16mmX16mm且厚度为0. 2mm的铁氣龙板。 阳127] 使所述铁氣龙板向I个方向弯曲，从而制成如图IW及图2所示的高度为Imm的 圆弧状（圆筒周面状）的盖构件12。
[0128] 进而，在甲苯中溶解TIPS并五苯，制备出涂布液E。涂布液的TIPS并五苯的浓度 设为1质量％。
[0129] 如图1所示，在基板10上载置盖构件12。由于盖构件12为高度Inm的圆弧状，因 此盖构件12的最上部的高度为1mm。
[0130] 然后，使用滴管（spuit)向空间16的基端b侧填充涂布液E。另外，W在y方向 上，盖构件12的限制面12a上离基端b最远的位置与最上部一致，X方向上，到达盖构件12 的整个区域的方式，来进行涂布液E的填充。因此，本例中，涂布液E的y方向的长度Ly为 8mm，X方向的长度Lx为16mm。<