br>[0131] 在所述状态下，涂布液E的y方向的长度LyW及X方向的长度Lx、视角0 [° ]、 涂布液E的表面积[mm2]、与外部气体的接触面积[mm2]W及与所述外部气体接触的面积的 比例[% ]、x/y比表示于下述表中。
[0132] 将如此填充有涂布液E的基板10W及盖构件12在通风室内干燥10分钟。
[0133] 在干燥后从通风室取出基板10,并卸下盖构件12,制作出表面形成有机半导体薄 膜的基板10。
[0134] 在如此形成的有机半导体膜（TIPS并五苯膜）上，利用真空蒸锻而W50ym间隔 形成两个一边为Imm的正方形图案的金电极，从而制作出有机半导体元件（有机薄膜晶体 管）。
[0135] 所述有机半导体元件的构成中，娃晶片为栅极电极，热氧化膜为栅极绝缘膜，两个 金电极分别为源极电极W及漏极电极。 阳136][实施例2]~[实施例9] 阳137] 除将盖构件12的圆弧的高度设为1. 6mmW外（实施例2)，
[0138] 除将成为盖构件12的铁氣龙板的X方向的长度设为8mmW外（实施例3)，
[0139] 除将成为盖构件12的铁氣龙板的X方向的长度设为4mmW外（实施例4)，
[0140] 除将成为盖构件12的铁氣龙板的y方向的长度设为32mm(即，涂布液的长度Ly 为16mm)W外（实施例W， 阳14U 除将盖构件的圆弧的高度设为2. 5mmW外（实施例6)， 阳14引除将盖构件的圆弧的高度设为5mmW外（实施例7)， 阳143] 除将成为盖构件12的铁氣龙板的X方向的长度设为64mmW外（实施例8)，
[0144] 除将成为盖构件12的铁氣龙板的X方向的长度设为160mmW外（实施例9)，分别 与实施例1同样地形成有机半导体膜，从而制作出有机半导体元件。
[0145] 另外，在成为盖构件12的铁氣龙板比基板10大的例子中，使用大的n型娃基板， 在其中央部载置盖构件12。
[0146] [比较例1]W及[比较例2] 阳147] 除将成为盖构件12的铁氣龙板的X方向的长度设为ImmW外（比较例1)，W及将 盖构件12的圆弧的高度设为7mmW外（比较例2)，分别与实施例1同样地形成有机半导体 膜，从而制作出有机半导体元件。
[0148][比较例引
[0149] 除不使用盖构件且利用滴管将涂布液滴加至基板10,形成与实施例I中形成的有 机半导体膜为相同尺寸的有机半导体膜W外，与实施例1同样地制作出有机半导体元件。
[0150] [比较例41
[0151] 不使铁氣龙板弯曲，W平面状态将1端部的整个区域与基板10接触，且W角度 7.2°而立设于基板10上。 阳152] 除在所述铁氣龙板与基板10接触的端部侧，Wy方向的长度Ly为8mm的方式填 充涂布液EW外，与实施例1同样地形成有机半导体膜，从而制作出有机半导体元件。 阳153] 在实施例2~实施例9、W及比较例1、比较例2及比较例4中，在空间16中填充有 各例的涂布液E的状态下，涂布液E的y方向的长度LyW及X方向的长度Lx、视角0[° ]、 涂布液E的表面积[mm2]、与外部气体的接触面积[mm2]W及与所述外体气体接触的面积的 比例[% ]、x/y比表示于下述表中。 阳154] <迁移率的测定〉
[0K5] 将如此制作出的各有机半导体元件的各电极与连接于安捷伦科技（Agilent Technologies)公司制造的4155C的手动探测器（manualprober)的各端子加W连接，并进 行场效晶体管（FieldEffect化ansistorJET)的评价。具体而言，通过测定漏极电流-栅 极电压（Id-Vg)特性而算出场效迁移率（[cm2/V?sec])。 阳156] 结果，实施例1为1X101;实施例2为1. 5X101;实施例3为8X102实施例4 为5X102;实施例5为1.5X101;实施例6为7X102;实施例7为4X102;实施例8为1. 5X101;实施例9为2X101。 阳157] 而且，比较例1为5 X 10 3;比较例2为5 X 10 3;比较例3为1 X 10 3;比较例4为 5X10 3。 阳15引将结果一并记录于下述表中。 阳159]
[0160] 如上述表所示，由于利用本发明的制造方法制作的半导体元件（TFT)中，可对涂 布液E的干燥加W适当控制而形成有机半导体元件，因此均具有良好的迁移率。 阳161] 与此相对，涂布液的x/y比过小的比较例1、涂布液E的视角过大的比较例2W及 不使用盖构件而形成有机半导体膜的比较例3均无法控制涂布液E的干燥，从而无法获得 高迁移率。更进一步来说，不具有从最上部朝向基端的相反侧的下降部的比较例4中，因从 涂布液E中蒸发的溶剂被排出至盖构件的外部，盖构件内部的溶剂浓度无法变高，故同样 地无法控制涂布液E的干燥，从而无法获得高迁移率。 阳162] 根据W上的结果，本发明的效果明确。 阳163] 产业上的可利用性
[0164] 本发明可适宜地用于使用TFT等有机半导体材料的有机半导体元件的制造中。 阳1化]符号的说明
[0166] 10:基板
[0167] 12:盖构件
[0168] 16:空间
【主权项】
1. 一种有机半导体膜的形成方法，其特征在于： 在使用溶解有有机半导体材料的溶液来形成包含所述有机半导体材料的有机半导体 膜时， 使用盖构件，向所述盖构件与基板之间的空间填充所述溶液，并使填充的溶液干燥，由 此形成所述有机半导体膜，其中所述盖构件配置于形成所述有机半导体膜的基板上且与所 述基板之间形成空间， 所述盖构件具有一限制面，所述限制面形成有离所述基板最远的最上部以及从所述最 上部朝向所述基板而设置于所述最上部的y方向的两侧的下降部，且，所述限制面所形成 的空间的与所述y方向正交的X方向为开放的形状，在将所述限制面朝向所述基板而使 y 方向的至少一端部的整个区域与所述基板接触的状态下配置所述盖构件， 而且，在将所述盖构件的整个区域与所述基板接触的y方向的端部作为基端时， 所述限制面上的与所述基端为相反侧的y方向的端部的溶液的至少一部分位于从所 述基端观察时不超过所述限制面的最上部的部位，且， 连结所述基端及所述限制面上的溶液在y方向上离基端最远的位置的隔开位置的最 短的线与连结从所述隔开位置向所述基板下垂的垂线和所述基板交叉的点及所述基端的 最短的线所成的角度即视角为50°以下， 进而，以所述X方向的长度除以所述y方向的长度所得的x/y比为0. 2以上的方式，向 所述盖构件与所述基板之间的空间的基端侧填充所述溶液。2. 根据权利要求1所述的有机半导体膜的形成方法，其中所述溶液的不与所述基板以 及所述盖构件接触的部分的表面积为所述溶液整体的表面积的35%以下。3. 根据权利要求1或2所述的有机半导体膜的形成方法，其中所述溶液的不与所述基 板以及盖构件接触的部分的表面积为所述溶液整体的表面积的1%以上。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的有机半导体膜的形成方法，其中所述视角为 3°以上。5. 根据权利要求1至4中任一项所述的有机半导体膜的形成方法，其中所述x/y比为 100000 以下。6. 根据权利要求1至5中任一项所述的有机半导体膜的形成方法，其中使所述y方向 的两端部与所述基板接触来配置所述盖构件。7. 根据权利要求6所述的有机半导体膜的形成方法，其中使所述y方向的两端部的整 个区域与所述基板接触来配置所述盖构件。8. 根据权利要求1至7中任一项所述的有机半导体膜的形成方法，其中所述盖构件为 板状。9. 根据权利要求1至8中任一项所述的有机半导体膜的形成方法，其中所述盖构件具 有与所述y方向的两端部平行的区域。
【专利摘要】本发明提供一种可稳定地形成具有良好的结晶性且迁移率高的有机半导体膜的有机半导体膜的形成方法。本发明在有机半导体膜的形成中，将盖构件覆盖至基板表面的有机半导体膜的形成位置的上部，上述盖构件具有在一方向上与基板隔离并形成凸的空间的限制面，以满足规定的条件的方式向盖构件与基板之间填充溶液，并使所述溶液干燥，由此形成有机半导体膜。由此，使用溶解有有机半导体材料的溶液，来形成具有良好的结晶性的有机半导体膜。
【IPC分类】H01L21/368, H01L51/40, H01L51/05, H01L29/786
【公开号】CN105144357
【申请号】CN201480011019
【发明人】宇佐美由久
【申请人】富士胶片株式会社
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年2月19日
【公告号】WO2014141838A1