最远 的最上部、及设置于所述最上部的箭头y方向的两侧且从最上部朝向基板10的表面的下降 部。使所述限制面朝向基板10来配置盖构件。而且，在盖构件的限制面与基板10的表面 一起形成的空间中，与y方向正交的X方向为开放的。 W例图1W及图2所示的例子中，盖构件12具有使正方形的板材（片状物/膜）弯曲 成圆弧状（圆筒的周面状）而成的形状。
[0050] 所述盖构件12中，圆弧的凹面成为限制面12曰。盖构件12将圆弧的周方向（与中 屯、线正交的方向）设为y方向，使作为限制面12a的凹面朝向基板10而载置于基板10的 表面。因此，与y方向正交的X方向与所述圆弧的中屯、线平行（图2(A)中，X方向为与纸 面垂直的方向）。
[0051] 而且，所述盖构件12是使y方向的两端的整个区域与基板10的表面接触而配置。
[0052] 图示例中，图2中一点链线所示的位置为盖构件12的最上部（圆弧的最上部）。
[0053] 因此，盖构件12的限制面12a成为具有下降部的构成，所述下降部从由一点链线 所示的最上部朝向y方向的两侧而呈圆弧状地朝向基板10的表面。
[0054]本发明的形成方法中，将整个区域与基板10的表面接触的y方向的端部作为基 端，并向所述基端侧填充涂布液E。
[0055] 如上述那样，图示例的盖构件12的限制面12a的y方向的两端部的整个面与基板 10接触。因此，所述盖构件12也可将y方向的任一端部作为基端。图示例中，作为一例，将 图中右侧作为基端b。
[0056] 本发明的形成方法中，向由上述盖构件12与基板10形成的空间16的基端b侦U， 与盖构件12及基板10接触地填充涂布液E，并使所述涂布液E干燥，由此形成有机半导体 膜。
[0057]此处，W如下方式将涂布液E填充于空间16中，即，从基端b观察时，限制面12a上的与基端b为相反侧的y方向的端部的至少一部分不超过最上部即一点链线。
[0058] 而且，W如下两条y方向的线所成的角度即视角0为50°W下的方式将涂布液E 填充于空间16中，即，其中一个是连结基端b及限制面12a上涂布液E在y方向上离基端 b最远的位置e(W下，也称作隔开位置e)的y方向的线（两点链线），另一个是连结从隔 开位置e向基板10下垂的垂线与基板10交叉的点P及基端b的y方向的线。换句话说， W如下方式将涂布液E填充于空间16中，即，连结基端b、隔开位置eW及点P的成为与y 方向平行的平面的直角=角形的基端b侧的顶角为50°W下。
[0059] 进而，涂布液EWX方向的长度Lx除Wy方向的长度Ly所得的x/y比为0. 2W 上的方式填充于空间16中。
[0060] 本发明的有机半导体膜的形成方法使用具有上述规定形状的盖构件12,且W满足 上述=个条件的方式，对由基板10与盖构件12形成的空间16填充涂布液E，并使涂布液E 干燥，从而形成有机半导体膜。
[0061] 本发明通过具有上述构成，而使涂布液E的蒸发空间即空间16中的溶剂浓度增 高，使涂布液E的溶剂的蒸发速度即干燥速度变慢，并且控制涂布液E与外部气体的接触面 积（即溶剂的蒸发面积），从而可适度地调节涂布液E的干燥速度。
[0062] 因此，根据本发明的有机半导体膜的形成方法，对涂布液E的干燥进行适当控制， 而可形成结晶性W及结晶的尺寸适度且缺陷频率少的高品质的有机半导体。
[006引另外，图1W及图2中，为了简化图式化及说明，将填充于空间16的涂布液E的液 面表示为平面状，但填充于空间16的涂布液E的液面未必为平面状，成为凸面状或凹面状 等形状的情况也多。例如，如图3(A)W及图3度）中概念性所示，与y方向的基端b为相反 侧的液面也有时成为凸状。或者相反，所述液面也有时成为凹状。 W64] 所述情况下，如图3所示，将限制面12a上的与基端b为相反侧的液面中在y方向 上离基端b最远的位置设为隔开位置e。 阳0化]而且，如图3所示，在与y方向的基端b为相反侧的液面为凸状等并非平面状的情 况下等，在限制面12a上，不需要使所有涂布液E位于从基端b侧观察为比限制面12a的最 上部更靠基端b侧处。
[0066]目P，本发明中，涂布液E为如图3所示，在限制面12a上，只要一部分位于从基端b 观察为比最上部（一点链线）靠y方向的基端b侧处，则即便从基端b观察y方向上存在 超过最上部的区域亦可。
[0067] 如上述那样，盖构件12的限制面12a具有：离基板10最远的最上部，及在所述最 上部的y方向的两侧从最上部沿y方向延伸且从最上部朝向基板10的表面的下降部。良P， 盖构件12的限制面12a在从填充有涂布液E的基端b沿y方向观察时，在朝向最上部的一 侧具有从最上部朝向基板10下降的区域。 W側上述盖构件12的限制面12a与基板10 -并形成朝向上方（基板10的相反侧） 且W最上部为顶点的凸状的空间16。因此，从涂布液E中蒸发的溶剂将滞留在所述凸状的 空间16内，结果，可使空间16内的溶剂浓度增高，且可降低涂布液E的干燥速度。
[0069] 另外，由基板10与盖构件12形成的空间16的X方向的端面的一部分只要为开放 即可，但优选为图示例所示，整个面开放。
[0070] 由此，利用视角0或x/y比、进而后述的与外部气体的接触面积比例而实现的涂 布液E的干燥的控制性可进一步提高。
[0071] 本发明的形成方法中，填充于空间16中的涂布液E的至少一部分在限制面12a 上，W从基端b观察不超过最上部的方式而被填充。
[0072] 填充于空间16的涂布液E若全部在限制面12a上W从基端b观察超过最上部的 方式被填充，则涂布液E会流向与y方向的基端b为相反侧的端部。因此，涂布液E会涂布 在与空间16的基端b侧即形成有机半导体膜的部位不同的位置，从而无法在目标位置上形 成有机半导体膜。
[0073] 而且，本发明的形成方法中，所谓连结基端b及隔开位置e的线（两点链线）、和连 结来自隔开位置e的垂线与基板10交叉的点P及基端b的线所成的视角0，即为填充于空 间16的涂布液E在基端b的表观上的角度。
[0074] 本发明中，W所述视角0为50°W下的方式向空间16填充涂布液E。若视角0 超过50°，则涂布液E的与外部气体的接触面积变得过大，涂布液E的干燥速度变得过快， 从而有机半导体的结晶性下降。
[00巧]若考虑所述方面，则视角优选为40°W下，更优选为30°W下，尤其优选为20°W下。
[0076] 另一方面，视角0超过0°即可。然而，视角0越小，则涂布液的干燥越慢，因此 生产性下降，而且，在所形成的有机半导体膜上容易产生微细的结晶。
[0077] 若考虑所述方面，则视角0优选为3°W上，更优选为5°W上，尤其优选为10° W上。 阳07引本发明中，W涂布液的X方向的长度Lx除Wy方向的长度Ly所得的x/y比为0. 2W上的方式，将涂布液E填充于空间16中。
[0079] 若x/y比小于0. 2,则涂布液E的与外部气体的接触面积变得过大，涂布液E的干 燥速度变得过快，从而有机半导体的结晶性下降。
[0080]若考虑所述方面，则x/y比优选为0. 2W上，更优选为0. 3W上，尤其优选为0. 45 社。
[0081]另一方面，若考虑对应于显示器用的TFT(薄膜晶体管）的制造等，而形成许多有 机半导体元件的情况，则即便x/y比大也可。
[0082]然而，根据本发明人的研究，x/y比优选为100000 W下，更优选为10000 W下，进 而优选为1000 W下，尤其优选为100 W下。
[0083] 另外，如上述那样，在涂布液E的液面不为平面的情况下，对于y方向的涂布液E 的长度Ly而言，在基板10上，将y方向上离基端b最远的位置的基端b与涂布液E的y方 向的距离设为y方向的涂布液E的长度Ly。
[0084] 而且，对于涂布液E的X方向的长度Lx而言，在基板10上，将X方向上离液面最 远的位置的X方向的距离、即长度设为X方向的长度Lx。
[0085] 本发明的有机半导体膜的形成方法中，若涂布液E与外部气体接触的面积过大， 则涂布液E的干燥速度过快，从而存在有机半导体的结晶性下降的可能性。
[0086] 若考虑所述方面，则涂布液E的与外部气体接触的表面积，即，涂布液E的不与基 板10W及盖构件12接触的表面积优选为涂布液E整体的表面积的35%W下，更优选为 32%W下，进而优选为30%W下，尤其优选为20%W下。
[0087] 相反，本发明的形成方法中，涂布液E的与外部气体接触的面积越小，则涂布液的 干燥越慢，因此生产性下降，而且，在所形成的有机半导体膜