再赘述。
[0113]如图10所示，本发明还提出了一种薄膜晶体管，包括:
[0114]遮光层I;
[0115]绝缘层2，设置在遮光层I之上；
[0116]半导体层3，设置在绝缘层2之上。
[0117]优选地，遮光层I的宽度大于绝缘层2的宽度，绝缘层2的宽度大于半导体层3的宽度。
[0118]优选地，还包括:
[0119]栅绝缘层6，设置在半导体层3之上；
[0120]栅极7，设置在栅绝缘层6之上；
[0121]层间介质层8，设置在栅极7之上；
[0122]源极11和漏极12，设置在层间介质层8之上，通过层间介质层8和栅绝缘层6中的过孔与半导体层3电连接。
[0123]本发明还提出了一种显示基板，包括上述薄膜晶体管。
[0124]本发明还提出了一种显示装置，包括权上述显示基板。
[0125]需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为:显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0126]以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，考虑到现有技术中的顶栅型薄膜晶体管需要单独一道掩膜工艺形成遮光层，使得整体工艺流程较为繁琐。根据本发明的技术方案，可以通过一个掩膜来形成多晶硅层作为有源层，以及形成非晶硅层作为遮光层，相对于现有技术中在有源层之下通过金属额外再通过一个掩膜来形成遮光层，可以减少一道掩膜工艺，简化了薄膜晶体管的制作流程。
[0127]需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
[0128]在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0129]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括: 依次形成遮光层、绝缘层和半导体层； 通过一次构图工艺形成遮光层、绝缘层和半导体层的图形。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成遮光层、绝缘层和半导体层的图形包括: 在所述半导体层的第一区域形成光刻胶； 对所述半导体层进行蚀刻，以去除所述第一区域以外的半导体层； 对所述绝缘层进行第一次蚀刻，以去除所述第一区域以外的绝缘层； 对所述光刻胶进行处理，以使所述光刻胶的宽度小于所述第一区域的宽度，其中，处理后的光刻胶对应于第二区域； 对所述遮光层和半导体层进行蚀刻，以去除第一区域以外的遮光层，以及去除第二区域以外的半导体层。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，还包括: 对所述绝缘层进行第二次蚀刻，以使所述绝缘层的宽度大于第二区域的宽度，且小于第一区域的宽度。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，对所述半导体层进行蚀刻包括: 在SFf^P Cl 2的流量比例为10/400至40/400，射频发生器对工艺腔体等离子体输入的功率为600W至1000W的条件下，对所述半导体层蚀刻110秒至120秒。5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，对所述绝缘层进行第一次蚀刻包括: 在CFjP O 2的流量比例为200/40至200/20，射频发生器对工艺腔体等离子体输入的功率为600W至1000W的条件下，对所述绝缘层蚀刻250秒至350秒。6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，对所述光刻胶进行处理包括: 对所述光刻胶进行灰化处理。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，对所述光刻胶进行灰化处理包括: 在SFf^P O 2的流量比例为20/400至40/400，射频发生器对工艺腔体等离子体输入的功率为350W至450W的条件下，对所述光刻胶灰化处理40秒至60秒。8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，对所述遮光层和半导体层进行蚀刻包括: 在SFf^P Cl 2的流量比例为10/400至40/400，射频发生器对工艺腔体等离子体输入的功率为600W至1000W的条件下，对所述遮光层和半导体层蚀刻110秒至120秒。9.根据权利要求3所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，对所述绝缘层进行第二次蚀刻包括: 在CFjP O2的流量比例为200/50至200/30，射频发生器对工艺腔体等离子体输入的功率为600W至1000W的条件下，对所述绝缘层蚀刻35秒至45秒，在SFf^P O 2的流量比例为10/200至30/200，射频发生器对工艺腔体等离子体输入的功率为300W至500W的条件下，对所述绝缘层蚀刻18秒至22秒。10.根据权利要求1至9中任一项所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，在半导体层的第一区域形成光刻胶之前还包括: 在缓冲层上形成第一非晶硅层以作为所述遮光层； 在所述遮光层上形成绝缘层； 在所述绝缘层上形成第二非晶硅层； 对所述第二非晶硅层退火处理，将所述第二非晶硅层转化为多晶硅层，以作为所述半导体层。11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为SiNx，所述绝缘层的材料为S1x。12.根据权利要求3或9所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，在对所述绝缘层进行第二次蚀刻之后还包括: 剥离半导体层之上的光刻胶； 在半导体上形成栅绝缘层； 在栅绝缘层之上形成栅极； 在栅极之上形成层间介质层； 在层间介质层之上形成源极和漏极，通过所述层间介质层和所述栅绝缘层中的过孔与所述半导体层电连接。13.—种薄膜晶体管，其特征在于，包括: 遮光层； 绝缘层，设置在所述遮光层之上； 半导体层，设置在所述绝缘层之上。14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层的宽度大于所述绝缘层的宽度，所述绝缘层的宽度大于所述半导体层的宽度。15.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括: 栅绝缘层，设置在所述半导体层之上； 栅极，设置在所述栅绝缘层之上； 层间介质层，设置在所述栅极之上； 源极和漏极，设置在所述层间介质层之上，通过所述层间介质层和所述栅绝缘层中的过孔与所述半导体层电连接。16.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求13至15中任一项所述的薄膜晶体管。17.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求16所述的显示基板。
【专利摘要】本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法，以及显示基板和显示装置，上述方法包括：依次形成遮光层、绝缘层和半导体层；通过一次构图工艺形成遮光层、绝缘层和半导体层的图形。本发明可以通过一个掩膜来形成多晶硅层作为有源层，以及形成非晶硅层作为遮光层，相对于现有技术减少一道掩膜工艺，简化了薄膜晶体管的制作流程。
【IPC分类】H01L21/336, H01L27/12, H01L29/786
【公开号】CN105185714
【申请号】CN201510609039
【发明人】舒适, 张斌, 徐传祥, 齐永莲
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年9月22日