控制字线研磨工艺的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种控制字线研磨工艺的方法。
【背景技术】
[0002]当前的闪存工艺中，研磨工艺的工艺窗口很有限。例如，研磨工艺的规格可能是
0.21 ±0.04nm。但是，即使采用更加严格的规格0.21 ±0.02nm，后续的氮化硅SiN去除步骤中有时候会由于氢氟酸HF溶液不能完全去除氧化物而产生残留杂质。
[0003]在关键尺寸较大时，氧化物可能会在溶液中浸泡得不够。或者，在关键尺寸较小时，氮化硅SiN隔离物会在氮化硅SiN去除步骤中被一并去除。这都会导致缺陷。
[0004]因此，希望能够提供一种能够有效控制字线研磨工艺的方法。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够有效控制字线研磨工艺的方法，其中既能够有效去除氧化物从而减小残留风险，同时能够防止氮化硅隔离物被不小心去除。
[0006]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种控制字线研磨工艺的方法，包括:针对具有不同研磨关键尺寸的多个测试晶圆执行研磨处理；使得所述多个测试晶圆在氢氟酸溶液中浸泡预定时间，以便通过湿法刻蚀对所述多个测试晶圆执行氮化物去除工艺，并随后取出所述多个测试晶圆；检查所述多个测试晶圆上的氮化物的刻蚀情况，并根据所述刻蚀情况来针对不同研磨关键尺寸设置待处理晶圆在氮化物去除工艺中在氢氟酸溶液中的浸泡时间。
[0007]优选地，所述方法用于控制闪存存储器的字线研磨工艺。
[0008]优选地，所述不同研磨关键尺寸包括0.18nm和0.225nm。
[0009]优选地，所述研磨处理是化学机械研磨处理。
[0010]优选地，所述预定时间介于100秒至500秒之间。
[0011]优选地，所述预定时间为150秒。
[0012]优选地，氢氟酸溶液的浓度介于0.49%?2%之间。
[0013]优选地，氢氟酸溶液的浓度为I %。
[0014]优选地，所述氮化物是氮化硅。
[0015]优选地，所述刻蚀情况指的是氮化物是否存在过刻蚀以及氮化物是否存在刻蚀不足。
[0016]由此，本发明提供了提供一种能够有效控制字线研磨工艺的方法，其中既能够有效去除氧化物从而减小残留风险，同时能够防止氮化硅隔离物被不小心去除。而且，本发明的方法易于操作，处理过程稳定，而且能够提高各批次晶圆处理的良率。
【附图说明】
[0017]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0018]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的控制字线研磨工艺的方法的流程图。
[0019]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0020]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0021]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的控制字线研磨工艺的方法的流程图。例如，所述方法可用于控制闪存存储器的字线研磨工艺。当然，本发明也适用于其它类型的存储器。
[0022]如图1示所示，根据本发明优选实施例的控制字线研磨工艺的方法包括:
[0023]第一步骤S1:针对具有不同研磨关键尺寸的多个测试晶圆执行研磨处理；例如，所述不同研磨关键尺寸包括0.1Snm和0.225nm。而且，一般，所述研磨处理是化学机械研磨处理。
[0024]第二步骤S2:使得所述多个测试晶圆在氢氟酸溶液中浸泡预定时间，以便通过湿法刻蚀对所述多个测试晶圆执行氮化物去除工艺，并随后取出所述多个测试晶圆；所述预定时间介于100秒至500秒之间。例如，所述预定时间为150秒。优选地，氢氟酸溶液的浓度介于0.49%?2%之间。例如，选用的氢氟酸溶液的浓度为1%。例如，所述氮化物是氮化娃。
[0025]第三步骤S3:检查所述多个测试晶圆上的氮化物的刻蚀情况(即，氮化物是否存在过刻蚀以及氮化物是否存在刻蚀不足)，并根据所述刻蚀情况来针对不同研磨关键尺寸设置待处理晶圆在氮化物去除工艺中在氢氟酸溶液中的浸泡时间。
[0026]具体地，例如，将研磨关键尺寸分别为0.18nm和0.225nm的两个测试晶圆在氢氟酸溶液中浸泡150秒，取出这两个测试晶圆之后发现，研磨关键尺寸为0.1Snm的测试晶圆存在氮化硅过度刻蚀的风险，而研磨关键尺寸为0.225nm的测试晶圆存在氮化硅刻蚀不足的缺陷。由此，根据这种刻蚀情况，进行这样的设置:对于研磨关键尺寸处于0.20?0.2Inm范围内的晶圆，使得待处理晶圆在氢氟酸溶液中的浸泡180秒；对于研磨关键尺寸处于
0.19?0.20范围内的晶圆，使得待处理晶圆在氢氟酸溶液中的浸泡100秒；对于研磨关键尺寸处于0.21?0.22范围内的晶圆，使得待处理晶圆在氢氟酸溶液中的浸泡250秒。
[0027]由此，本发明提供了提供一种能够有效控制字线研磨工艺的方法，其中既能够有效去除氧化物从而减小残留风险，同时能够防止氮化硅隔离物被不小心去除。而且，本发明的方法易于操作，处理过程稳定，而且能够提高各批次晶圆处理的良率。
[0028]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0029]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种控制字线研磨工艺的方法，其特征在于包括: 针对具有不同研磨关键尺寸的多个测试晶圆执行研磨处理； 使得所述多个测试晶圆在氢氟酸溶液中浸泡预定时间，以便通过湿法刻蚀对所述多个测试晶圆执行氮化物去除工艺，并随后取出所述多个测试晶圆； 检查所述多个测试晶圆上的氮化物的刻蚀情况，并根据所述刻蚀情况来针对不同研磨关键尺寸设置待处理晶圆在氮化物去除工艺中在氢氟酸溶液中的浸泡时间。2.根据权利要求1所述的控制字线研磨工艺的方法，其特征在于，所述方法用于控制闪存存储器的字线研磨工艺。3.根据权利要求1或2所述的控制字线研磨工艺的方法，其特征在于，所述不同研磨关键尺寸包括0.18nm和0.225nm。4.根据权利要求1或2所述的控制字线研磨工艺的方法，其特征在于，所述研磨处理是化学机械研磨处理。5.根据权利要求1或2所述的控制字线研磨工艺的方法，其特征在于，所述预定时间介于100秒至500秒之间。6.根据权利要求1或2所述的控制字线研磨工艺的方法，其特征在于，所述预定时间为150 秒。7.根据权利要求1或2所述的控制字线研磨工艺的方法，其特征在于，氢氟酸溶液的浓度介于0.49%?2%之间。8.根据权利要求1或2所述的控制字线研磨工艺的方法，其特征在于，氢氟酸溶液的浓度为1%。9.根据权利要求1或2所述的控制字线研磨工艺的方法，其特征在于，所述氮化物是氮化娃。10.根据权利要求1或2所述的控制字线研磨工艺的方法，其特征在于，所述刻蚀情况指的是氮化物是否存在过刻蚀以及氮化物是否存在刻蚀不足。
【专利摘要】本发明提供了一种控制字线研磨工艺的方法，包括：针对具有不同研磨关键尺寸的多个测试晶圆执行研磨处理；使得所述多个测试晶圆在氢氟酸溶液中浸泡预定时间，以便通过湿法刻蚀对所述多个测试晶圆执行氮化物去除工艺，并随后取出所述多个测试晶圆；检查所述多个测试晶圆上的氮化物的刻蚀情况，并根据所述刻蚀情况来针对不同研磨关键尺寸设置待处理晶圆在氮化物去除工艺中在氢氟酸溶液中的浸泡时间。
【IPC分类】H01L21/8247, H01L21/3105
【公开号】CN105206582
【申请号】CN201510694924
【发明人】沈思杰
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年10月22日