有效遮挡，从而避免边缘漏电问题的发生，进而省去激光扫边工序，简化太阳能电池电极的制备工艺。同时，底托和上盖都设置了镂空部，分别与正电极与背电极对应，一面处理结束后翻转即可对另一面处理，可以省去更换制备模具的步骤，简化电极的制备过程。此外，原来单套模具仅放一片两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片改为可以放多片两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片，由原来只属实验性质的模具改进的具有生产可操作性，且减少人工翻片和更换模具过程，操作简易，节省人工，易于批量生产。
[0056]下面进行具体说明。
[0057]在实施说明中，对于在凹槽部周围设置的、用于定位的限位结构，以及配合其定位的限位配合结构，是一个上位概念，为了更好地理解限位结构以及限位配合结构的实施，具体实施中将直接以典型的、应用最为广泛的限位结构以及限位配合结构的下位具体结构装置限位销、限位销孔来进行说明；但是，用其它的装置也是可以的，是要其能够实现限位的作用即可，限位销、限位销孔仅用于教导本领域技术人员具体如何实施本发明，但不意味仅能使用限位销、限位销孔一种装置，实施过程中可以结合实践需要来确定相应的装置。
[0058]图1为太阳能电池电极制备模具结构示意图，图2为模具底托的结构示意图，图3为模具上盖的结构示意图，如图1所示，太阳能电池电极制备模具中包括:上盖101与底托103，其中:
[0059]底托包括至少一个放置待处理部件102的凹槽部107 ;实施中，容易理解，凹槽部不是一个部件，而是一个设有凹槽的部分，该凹槽部用以放置待处理部件，凹槽部的尺寸可以与待处理部件的尺寸相对应。关于尺寸相对应，在实施中，一个待处理部件将会占据一定的空间，凹槽部是用于放置待处理部件的，容易理解，该凹槽部留下的空间可以容纳待处理部件，就是待处理部件占据的空间与凹槽部留下的空间相对应，同时，待处理部件会表现出一定的形状，例如长宽高，那么，凹槽部在空间上能够容纳的同时，还与待处理部件的形状也是吻合的，本领域技术人员容易知晓，在需要将一个物体放入一个相适应的空间时，应该如何设计该空间，在对凹槽部进行设计时，至少可以按这样的方式进行设计。
[0060]实施中，待处理部件102是指欲用该模具进行处理的部件，以太阳能电池采用该模具进行电极制备为例，待处理部件为两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片。采用该模具制备电池时的处理手段有多种，例如可以为蒸镀、涂敷或者印刷等，因此，实施中，将欲用该模具进行处理的部件称为“待处理部件”，而具体的处理手段本领域技术人员可以视需要确定。
[0061]又如图2所示，在凹槽部周围设有限位销1031，如前所述，此处的限位销是限位结构的具体下位实例。
[0062]进一步的，底托还可以设有底托遮挡部1032和第二镂空部1033，这两个部分的【具体实施方式】会在下面进行说明。
[0063]又如图3所示，上盖包括与待处理部件的电极对应的第一镂空部1013，以及与限位销对应的限位销孔1011，第一镂空部与待处理部件的一面的电极尺寸相对应。需要说明的是，第一镂空部1013在空间位置上是与凹槽部对应的，同时，第一镂空部是用于保证待处理部件的处理形状的，因此，第一镂空部1013在形状上是与欲镀电极尺寸相对应的，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，其与正电极的处理尺寸相对应，实施中尺寸相对应的意思是，需要镀什么尺寸的电极形状，就将镂空部的形状设置成什么尺寸的形状，比如，电极是边长1cm的正方形，那么就将镂空部的形状设置成边长1cm的正方形。额外的，镂空部是用于保证待处理部件的处理形状的，因此下述的第二镂空部与第一镂空部的尺寸并无关系，而是与各自的处理形状相关，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，正电极与背电极处理的尺寸不同，两个镂空部尺寸也不同。
[0064]具体实施中，待处理部件可以是需要对两面都进行处理的部件，例如:两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片(在图2中以网格状图案示意)。以上述硅片为例，将硅片放入凹槽部后，通过上盖和底托的共同配合使用，即可实现硅片两侧的正电极、背电极的处理。其中，凹槽部，主要作用是承载硅片和在硅片镀背电极时对边缘遮挡，还可以包括下述的底托镂空部和底托遮挡部，凹槽部的尺寸需要根据两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片尺寸和边缘遮挡尺寸来确定。
[0065]在下述说明中，为了增加直观性，更好地理解本发明实施例提供的技术方案，将会在涉及实例时直接以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例进行说明，但这并不意味本发明实施例提供的技术方案仅能用于两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片。
[0066]限位销1031:底托限位销，与上盖的限位销孔配合，对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片精确限位，具体可以沿凹槽部的四角对称分布。
[0067]具体的，限位销设置于底托上，与位于上盖的限位销孔相对应，实现对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的精确限位，从而保证边缘遮挡精准。限位销可以设置于四个角的对角线位置，选用尽量靠近四个角的位置是为了以最大限度的防止两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片跑偏，从而保证边缘遮挡精度。但显然，如果采用其他方式也是可以的，本领域技术人员只需要根据产品对限位精确度的需要设计即可。
[0068]图4为腰型限位销放大示意图，具体实施中，如图所示，限位销可以为腰型限位销。限位销可以为圆柱形或腰形，但可以优选腰型限位销，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，使限位销与两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片是极小的面接触，既不会造成两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的崩边缺角，又不会污染两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片，干扰镀膜。进一步的，腰型限位销可以是斜坡型限位销，腰型限位销改为斜坡设计可以减少镀膜阴影等。
[0069]实施中，限位销可以沿凹槽部的四角对称分布，可选用8个或16个等，如图4所示，在采用16个限位销时，采用的分布方式可以是:每个角4个，每个角的每条边2个，每条边上的限位销和另一条边的限位销，与角顶点的距离都一样。以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，限位销的长度(如图4中示意的h)太短易造成两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片崩边；并且，由于h变大，与两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片接触多，限位销自带的污染物会接触并污染两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片，因此限位销太长也会污染两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片，综合考虑上述因素后可以选用长度为约1_。
[0070]实施中，限位销可镶嵌或胶粘在底托，例如，在底托挖孔，将限位销紧配嵌入；也可以一体成型，或者通过胶粘的方式将限位销粘接于底托上方。
[0071]实施中，限位销的材质可以为柔性材料，如PTFE(Polytetrafl