uoroethylene，聚四氟乙烯，简写为teflon)等材质，可以起到缓冲作用，降低碎片率。
[0072]限位销孔1011:上盖限位销孔，与底托限位销配合，如前所述，此处的限位销孔是限位配合结构的具体下位实例。
[0073]具体的，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，限位销孔，设置于上盖，与底托的限位销相对应，实现对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的精确限位。限位销孔的位置、数量、形状分别与限位销的位置、数量、形状相对应。
[0074]第一镂空部1013:上盖镂空部位。
[0075]具体的，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片正电极上盖镂空部，对应于需要处理的两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的正电极部分，以便于在PVD镀膜设备中电极的蒸镀。
[0076]第二镂空部1033，底托镂空部位，与待处理部件的另一面的电极尺寸相对应。
[0077]现有的太阳能电池电极制备模具包括底托和与之配合使用的上盖，使用时先将两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片放在底托上，盖上正电极用上盖，然后进入PVD镀膜设备镀两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的正电极，镀膜完毕后从PVD镀膜设备出来并取走正电极用上盖，人工依次对每个两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片进行手动翻片，再将上盖全部换成背电极用上盖，进入PVD镀膜设备镀两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的背电极。在该过程中，不仅需要人工翻片，还需要换成背电极用上盖，这是因为现有模具中的底托不是镂空的，其仅具有承载和限位的作用，同时，正电极与背电极镀膜的范围、形状也不相同，因此使得上盖需要采用两种不同类型的镂空尺寸分别来镀正电极和背电极。基于此，实施中可以设置第二镂空部与另一面欲镀电极尺寸相对应。具体的，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，底托镂空部位，对应于需要镀膜的两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的背电极部位，以便于在PVD镀膜设备中背电极的蒸镀。由原不镂空凹槽部改为镂空边缘遮挡，这样，可以在镀完正电极后将模具带两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片直接翻转，便可以直接利用第二镂空部镀背电极，省去人工翻转两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片过程。
[0078]实施中，在上盖上还可以进一步包括:
[0079]上盖遮挡部1012，用于遮挡待处理部件朝向上盖一面不需处理的部位。
[0080]具体的，如图3所示的局部放大图，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，上盖遮挡边，在两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片镀正电极时对边缘进行遮挡。对应于不需要处理的两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片部位，即对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的正电极的边缘进行遮挡，防止边缘镀膜后与背面的背电极接触导通，形成边缘漏电；遮挡部的尺寸(如图3中示意的m)根据模具加工精度和遮挡部对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片转化效率影响程度来综合考虑，例如可考虑在0.5mm-2mm之间调整。
[0081 ] 实施中，在底托上还可以进一步包括:
[0082]底托遮挡部1032，用于遮挡待处理部件朝向底托一面和/或侧边不需处理的部位。
[0083]具体的，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，底托凹槽遮挡部，可以将原底托放两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的凹槽部改为有遮挡作用的窄边凹槽部，对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片背电极的边缘遮挡，既防止背电极边缘镀膜与正电极导通，形成边缘漏电；又可在镀完正电极后将模具带两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片直接翻转，镀背电极，省去人工直接翻转两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的过程。
[0084]底托遮挡部1032，对应于不需要处理的两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片边缘部位，具体遮挡尺寸可以根据两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片性能和模具加工等确定，遮挡边形状(如斜边或直边等)也可以需根据处理工序和两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片性能确定。
[0085]对于图2中的底托103，实施中两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的边缘接触限位销，也因此使得定位销能实现定位的作用；同时，为了避免与第二镂空部1033标识混淆，因此没有标出凹槽部，但如前所述，两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片是放入凹槽部中的，因此，在底托103上存在放入两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的凹槽部是能明确得知的。
[0086]由上述实施可见，通过底托和上盖的配合使用，使得底托遮挡部和上盖遮挡部分别遮挡两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的两侧边缘部分，从而在制备两侦屺形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的正电极和背电极时，只需镀完正电极后，直接对模具及两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片进行180度翻转后即可镀背电极，不需要人工更换不同类型的上盖，从而简化了操作工艺，并节省了人工，实现了正、背电极镀膜的简易操作。
[0087]通过限位结构与限位配合结构的配合使用，可实现对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的精确限位，从而保证边缘部位的精确遮挡，避免边缘部位被蒸镀多余导电材料从而发生边缘漏电。多个限位结构可起到精确限位作用，且柔性材质和与两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片面接触的特性，可防止两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片与限位结构发生硬性碰撞，减少碎片率；但由于接触面积小，对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片污染小、不会干扰PVD镀膜溅射。同时，由于精确限位，可以防止边缘漏电的产生，从而避免增加一道激光扫边工序，降低两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的制作成本。
[0088]实施中，还可以进一步包括:
[0089]用于固定上盖与底托的卡销106。
[0090]具体的，在模具上增加卡销，可以防止托盘变形，保证托盘上下紧配。
[0091 ] 实施中，还可以进一步包括:
[0092]用于悬挂模具的悬挂孔105。
[0093]具体的，为使操作方便，可以在模具上增加模具悬挂孔等。
[0094]在上述实施例中，通过改变底托与上盖的形状，将原来只装一片的模具改为可以同时放置多片模具，从而实现批量化生产，提高生产效率并降低生产成本。此外，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例时，还可以进一步的选用下面的方案以使效果更好。
[0095]模具的尺寸可随两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的尺寸发生改变，从而可以适应不同规格的两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片