ZnO中的一种形成的层的下面进一步包括由侣（Al)、银（Ag)、或儀（Ni)中的一种形成的 反射层。
[0164] 第一发光部STl是单个发光二极管单元，包括第一发光层140。第一发光层140可 发出红光、绿光、或蓝光中的至少一种：例如，在该示例性实施方式中，第一发光层140可W 是蓝色发光层。所述蓝色发光层包括蓝色发光层、深蓝色发光层、或天蓝色发光层中的至少 一个。或者，第一发光层140可由蓝色发光层和红色发光层组成，或可由蓝色发光层和黄绿 色发光层组成，或可由蓝色发光层和绿色发光层组成。
[0165] 第一发光部STl包括位于阳极110和第一发光层140之间的空穴注入层120和第 一空穴传输层130,W及位于第一发光层140之上的第一电子传输层150。
[0166] 空穴注入层120可起促进空穴从阳极110注入到第一发光层140的作用，并且 空穴注入层120可由但不限于化化（铜献菁）、阳DOT(聚（3,4)-乙撑二氧嚷吩，poly(3， 4)-ethylenedio巧thiophene)、和PANI(聚苯胺）中的一种形成。空穴注入层120的厚度 可W是1皿至150皿。当空穴注入层120的厚度为1皿或更大时，可W改善空穴注入特性； 或者，当空穴注入层120的厚度为150皿或更小时，可W防止空穴注入层120的厚度增加， 从而防止工作电压升高。取决于有机发光显示装置的结构或特性，在有机发光显示装置的 组成中可不包括空穴注入层120。
[0167] 第一空穴传输层130可起促进空穴传输的作用，第一空穴传输层130可由但不 限于NPD(N，N' -双（糞撑-1-基）-N，N' -双（苯基）-2,2' -二甲基联苯胺）、TPD(N， N'-双-(3-甲基苯基）-N，N'-双（苯基）-联苯胺）、螺-TAD化2' 7,7'-四（N，N-二苯 氨基）-9,9'-螺巧）、和MTDATA(4,4'，4"-S(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）-S苯胺）中 的一种形成。第一空穴传输层130的厚度可W是1皿至150皿。当第一空穴传输层130的 厚度为Inm或更大时，可W改善空穴传输特性，或者当第一空穴传输层130的厚度为150nm 或更小时，可W防止第一空穴传输层130的厚度增加，从而防止工作电压升高。
[016引第一发光层140可发出红光（R)、绿光（G)、蓝光度）、或黄光（Y)，并且第一发光层 140可由憐光材料或巧光材料形成。
[0169] 当第一发光层140为红色发光层时，第一发光层140可由但不限于具有诸如 CBP(4,4'-双（巧挫-9-基）联苯）之类的基质材料和渗质的憐光材料形成，所述渗质具 有PIQIr(acac)(双（1-苯基异哇嘟）乙酷丙酬银）、PQIr(acac)(双（1-苯基哇嘟）乙酷 丙酬银）、PQIHS(1-苯基哇嘟）银）、和PtOEP(八乙基化嘟销）中的一种。或者，第一 发光层140可由但不限于具有PBD=Eu(DBM)3(Phen)或巧的巧光材料形成。此外，当第一发 光层140为红色发光层时，发光区域可在600nm至650nm的范围内。
[0170] 当第一发光层140为绿色发光层时，第一发光层140可由但不限于具有诸如 CBP(4,4'-双（巧挫-9-基）联苯）之类的基质材料和具有银基材料的渗质材料的憐光材 料形成。或者，第一发光层140可由但不限于具有Alq3(S(8-径基哇嘟）侣）的巧光材料 形成。此外，当第一发光层140为绿色发光层时，发光区域可在SlOnm至570nm的范围内。
[0171] 当第一发光层140为蓝色发光层时，第一发光层140可由但不限于具有诸如 CBP(4,4'-双（巧挫-9-基）联苯）之类的基质材料和具有银基材料的渗质材料的憐光材 料形成。或者，第一发光层140可由但不限于具有螺-DPVBi、螺-CBP、二苯乙締基苯值SB)、 联苯乙締值SA，distyrylarylene)、PFO聚合物、和PPV聚合物中的任何一种的巧光材料形 成。此外，第一发光层140可包括天蓝色发光层或深蓝色发光层W及所述蓝色发光层。因 此，第一发光层140的发光区域可在440nm至480nm的范围。或者，为了提高有机发光显示 装置的红光发射效率，第一发光部STl可由两个发光层一一蓝色发光层和红色发光层组成。 当第一发光部STl由蓝色发光层和红色发光层组成时，发光区域可在440皿至650皿的范 围内。
[0172] 当第一发光层140为黄色发光层时，第一发光层140可具有黄绿色发光层或绿色 发光层的单层结构，或由黄绿色发光层和绿色发光层组成的多层结构。如在此使用的，所述 黄色发光层包括黄绿色发光层、绿色发光层、或由黄绿色发光层和绿色发光层组成的多层 结构。将W发出黄绿色光的单层结构的黄色发光层为例对该示例性实施方式进行描述。所 述黄色发光层可包括CBP(4,4'-双（巧挫-9-基）联苯）和BAlq(双（2-甲基-8-径基 哇口林）-4-(苯基苯酪合）侣）（BAlq度13(2-11161:115^-8-911；[]1〇1;[]1〇1曰16)-4-(地6]15^1地6]1〇1曰 to)aluminum))中的至少一个基质和发出黄绿色光的憐光黄绿色渗质。所述黄绿色发光层 的发光区域可在SlOnm至590nm的范围内。为了提高有机发光显示装置的红光发射效率， 第一发光部STl可由两个发光层一一黄绿色发光层和红色发光层组成。当第一发光部STl 由黄绿色发光层和红色发光层组成时，发光区域可在SlOnm至650nm的范围内。
[0173] 第一电子传输层150起促进电子传输的作用，第一电子传输层150可由但不限于 A1q3(S(8-径基哇嘟）侣）、P抓(2-(4-联苯基）-5-(4-叔下基苯基）-1，3,4-恶二挫）、 TAZ(3- (4-联苯基）-4-苯基-5-叔下基苯基-1，2,4-S挫）、或BAlq(双（2-甲基-8-径 基哇嘟）-4-(苯基苯酪合）侣）形成。第一电子传输层150的厚度可W是1皿至150皿。 当第一电子传输层150的厚度为Inm或更大时，可W提高电子传输特性，或者当第一电子传 输层150的厚度为150nm或更小时，可W防止第一电子传输层150的厚度增加，从而防止工 作电压升高。
[0174] 第一发光部STl包括位于阳极110和第一发光层140之间的空穴注入层120和第 一空穴传输层130,W及位于第一发光层140之上的第一电子传输层150。因此，具有空穴 注入层120、第一空穴传输层130、第一发光层140和第一电子传输层150的第一发光部STl 位于阳极110之上。取决于装置的结构或特性，在第一发光部STl的组成中可不包括空穴 注入层120。
[01巧]电荷产生层（CGL)160位于第一发光部STl和第二发光部ST2之间。第一发光部STl和第二发光部ST2通过电荷产生层160连接。电荷产生层160可W是通过将N-型电荷 产生层160N与P-型电荷产生层160P结合而形成的PN-结电荷产生层。PN结电荷产生层 160产生电荷或将该电荷（即，电子和空穴）分别注入到发光层中。也就是说，N-型电荷产 生层160N将电子传输至第一电子传输层150,第一电子传输层150将电子提供至邻近于阳 极的第一发光层140。P-型电荷产生层160P将空穴传输至第二空穴传输层180,第二空穴 传输层180将空穴提供至第二发光部ST的第二发光层190。运样，具有多个发光层的有机 发光显示装置可实现较高的发光效率并降低工作电压。因此，电荷产生层160对有机发光 显示装置的特性（即，发光效率和工作电压）具有重要影响。
[0176] 因此，本发明人进行了多次测试或试验，W改善N-型电荷产生层的电子注入特 性。通过运些测试或试验，他们注意到，当注入到N-型电荷产生层中的电子向电子传输层 移动时，由于电子传输层和N-型电荷产生层之间的LUMO能级的差异导致工作电压升高。在 进行了多次测试或试验，W便为电子传输层和N-型电荷产生层选择能够降低工作电压并 提高效率的材料之后，本发明的运些化合物被选择用于N-型电荷产生层。根据本发明的具 有氮原子的化合物使得传输电子更为容易，运是因为该化合物藉由具有两个富含电子的氮 (脚原子而具有高的电子迁移率。此外，本发明的化合物包括相对富电子的sp2杂化轨道的 氮（脚，并且该氮是键合到碱金属或碱±金属一一用于N-型电荷产生层的渗质，由此形成 能隙状态，该能隙状态可促进电子从N-型电荷产生层至电子传输层的传输。此外，由于氮 是键合到N-型电荷产生层中的碱金属或碱±金属，因此该碱金属或碱±金属不会扩散到 P-型电荷产生层中，从而增加了寿命。
[0177] 根据本发明的示例性实施方式的用于N-型电荷产生层160N的化合物由W下化学 式1表示：
[017引[化学式1]
[0179]
[0180] 其中Ari是二氮杂菲基或二氮杂菲撑基；Ar2和Ar3独立地为下列中的一种：氨、具 有6至60个碳原子的取代或未取代的芳基、具有3至60个碳原子的取代或未取代的杂芳 基、和具有1至20个碳原子的烷基。Li和Ls独立地为下列中的一种：单键、具有6至60个 碳原子的取代或未取代的芳基、具有3至60个碳原子的取代或未取代的杂芳基、和具有1 至20个碳原子的烷基；Lz为下列中的一种：单键、取代或未取代的蔥撑基、和取代或未取代 的巧撑基。
[0181] 更具体地，A。和Ar3独立地为下列中的一种：氮、取代或未取代的苯基、烷基苯基、 联苯基、烷基联苯基、面代苯基、烷氧基苯基、面代烷氧基苯基、氯基苯基、娃基苯基、糞基、 烷基奈基、面代奈基、氛基奈基、娃基奈基、化晚基、烷基化晚基、面代化晚基、氛基化晚基、 烷氧基化晚基、娃基化晚基、喀晚基、面代喀晚基、氯基喀晚基、烷氧基喀晚基、哇嘟基、异哇 嘟基、哇喔嘟基、化嗦基、哇挫嘟基、糞晚基、苯并嚷吩基、苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、芳基 嚷挫基、二苯并巧喃基、巧基、巧挫基、咪挫基、巧嘟基、菲基、=联苯基、=联化晚基、=联苯 撑基、巧蔥基和二氮杂巧基。
[0182] Li和Ls独立地为下列中的一种：单键、取代或未取代的苯撑基、烷基苯撑基、面代 苯撑基、氯基苯撑基、糞撑基、烷基糞撑基、联苯撑基、烷基联苯撑基、化晚撑基、喀晚撑基、 哇嘟撑基、异哇嘟撑基、哇喔嘟撑基、化嗦撑基、哇挫嘟撑基、糞晚撑基、嚷吩撑基、巧喃撑 基、苯并嚷吩撑基、苯并巧喃撑基、二苯并嚷吩撑基、二苯并巧喃撑基、巧撑基、巧挫撑基、咪 挫撑基、=联苯撑基撑基、巧蔥撑基和二氮杂巧基。
[0183] 由W上化学式1表示的化合物可在下面说明。
[0184]
[0185] 二氮杂菲，即化学式I的Ari为核，并通过被键合到在N-型电荷产生层上渗杂的碱 金属而表现出N-型电荷产生层的特性。更具体地，二氮杂菲核包括相对富电子的SP2杂化 轨道的氮（脚，并且该氮是键合到碱金属或碱±金属（即，用于N-型电荷产生层的渗质）， 由此形成能隙状态。该能隙状态可促进电子从N-型电荷产生层至电子传输层的传输。此 夕F，由于氮是被键合到N-型电荷产生层中的碱金属或碱±金属，因此该碱金属或碱±金属 不会扩散到P-型电荷产生层中，从而增加了寿命。
[018引连接基团化inker),即化学式1的L郝L2调整载流子迁移率。Li用作藉由调控 共辆而能使Lz中的大量电子到达Ar1的通路，并且L1调控HOMO(最高占据分子轨道）和 LUMO(最低未占分子轨道）。Lz用于藉由利用芳香大环来提高Pi(31)-电子密度并形成HOMO 和LUMO的主要骨架。因此，N-型电荷产生层的载流子迁移率得W提高，从而促进电子从 N-型电荷产生层至电子传输层的传输。
[0187]侧基（Pendants)，即化学式1的Ls-A。和Ar3用来增加电荷特性并调控册MO和 LUM0。例如，由W下化学式2表示的化合物具有空穴特性，由W下化学式3表示的化合物具 有电子特性。具有电子特性的侧基能够通过提高N-型电荷产生层的电子特性而促进电子 从N-型电荷产生层至电子传输层的传输。
[018引[化学式2]
[0189]
[0190] 其中Ar是芳基。
[0191][化学式3]
[0192]
[0193] 上述连接基团和侧基作为在核上的取代基，用来提高化合物的电子迁移率。因此， 具有所述化合物的N-型电荷产生层的电子迁移率能够得W提高，从而促进电子从N-型电 荷产生层至电子传输层的传输。
[0194] 在由W上化学式1表示的化合物中，根据本发明的第一示例性实施方式的N-型电 荷产生层160N可由W下化学式4和化学式5表示的化合物形成：
[0195] [化学式4]
[0196]
[0197] [化学式引 [019 引
[0199] 其中R是下列中的一种：氨、具有6至60个碳原子的取代或未取代的芳基、具有3 至60个碳原子的取代或未取代的杂芳基、或具有1至20个碳原子的烷基。
[0200] 由化学式4和化学式5表示的化合物可W是W下化合物中的一种：
[0201]
[0207] 在根据本发明的由W上化学式4或化学式5表示的化合物中，糞位于二氮杂菲的2 位，且在糞的1位或2位上被取代。由于糞连接到二氮杂菲的2位，能够减小N-型电荷产 生层和电子传输层之间的能级差异，从而使电子的隧道效应最大化。因此，本发明能够通过 将运种化合物用于N-型电荷产生层的隧道效应而提高电子注入。
[0208]P-型电荷产生层160P可由金属或P-渗杂的有机材料形成。所述金属可W是A1、 化、Fe、Pb、Zn、Au、Pt、W、In、Mo、Ni和Ti中的一种或多种合金。用于P-渗杂的有机材料的 P-型渗质和基质可W是通常使用的材料。例如，P-型渗质可W是W下材料中的一种材料： Fa-TCNQ(2, 3, 5,6-四氣-7, 7,8,8，-四氯基对酿二甲烧）、四氯基对酿二甲烧的衍生物、舰、 化Cl3、化F3和訊Cl5。基质可W是W下材料中的一种材料：NPB(N，N'-双（糞-l-基）-N， N'-双（苯基）-联苯胺）、TPD(N，N'-双-(3-甲基苯基）-N，N'-双（苯基）-联苯胺）和 TNB(N，N，N'N' -四糞基-联苯胺）。
[0209] 具有第二空穴传输层180、第二发光层190、第二电子传输层200和电子注入层210 的第二发光部ST2位于第一发光部STl之上。第二空穴传输层180和第二电子传输层200 可分别与上述第一发光部STl的第一空穴传输层130和第一电子传输层150具有相同的组 成，或与第一空穴传输层130和第一电子传输层150具有不同的组成。根据装置的结构或 特性，可省略电子注入层210。
[0210] 第二发光层190可发出红光、绿光或蓝光中的至少一种，在该示例性实施方式中， 第二发光层190可W是黄绿色发光层。所述黄绿色发光层可具有黄绿色发光层或绿色发光 层的单层结构，或由黄绿色发光层和绿色发光层组成的多层结构。如在此使用的，第二发光 层190可包括黄绿色发光层、绿色发光层、由黄绿色发光层和绿色发光层组成的多层结构、 由黄绿色发光层和红色发光层组成的多层结构、或由绿色发光层和红色发光层组成的多层 结构。将W发出黄绿色光的单层结构的第二发光层为例对该示例性实施方式进行描述。 第二发光层190可包括但不限于CBP(4,4' -双（巧挫-9-基）联苯）和BAlq(双（2-甲 基-8-径基哇嘟）-4-(苯基苯酪合）侣）中的至少一个基质和发出黄绿色光的憐光黄绿色 渗质。
[0211] 电子注入层210起促进电子注入的作用，并且电子注入层210可由但不限于 A1q3(S(8-径基哇嘟）侣）、P抓(2-(4-联苯基）-5-(4-叔下基苯基）-1，3,4-恶二挫）、 TAZ(3-(4-联苯基）-4-苯基-5-叔下基苯基-1,2,4-S挫）和BAlq(双（2-甲基-8-径基 哇嘟）-4-(苯基苯酪合）侣）中的一种或多种形成。另一方面，电子注入层210可由金属 化合物形成，所述金属化合物例如可W是但不限于LiQ、LiF、NaF、KF、化F、CsF、化F、BeFz、 1邑尸2、〔曰。2、5'。2、8曰。2和1^^2中的一种或多种。电子注入层210的厚度可^是1皿至50皿。 当电子注入层210的厚度为Inm或更大时，可W提高电子注入特性，或者当电子注入层210 的厚度为50nm或更小时，可W防止电子注入层210的厚度增加，从而防止工作电压的升高。
[0212] 第二发光部ST2包括第二空穴传输层180、第二发光层190W及位于第二发光层 190之上的第二电子传输层200和电子注入层210。因此，具有第二空穴传输层180、第二 发光层190、第二电子传输层200和电子注入层210的第二发光部ST2位于第一发光部STl 之上。
[0213] 阴极220位于第二发光部ST2之上，由此构成了根据本发明的第一示例性实施方 式的有机发光显示装置。阴极220是电子注入电极并且可由具有低功函的儀（Mg)、巧（Ca)、 侣（Al)、银（Ag)或运些金属的合金形成。当有机发光显示装置为顶部发光型或双发光型 时，阴极220可形成为足够薄W使光穿过。当有机发光显示装置为底部发光型时，阴极220 可形成为足够厚W反射光。
[0214] 如上所述，本发明的化合物具有运样的结构：在此结构中，连接基团和侧基与二氮 杂菲核相连接。因此，所述化合物的核中的氮是键合到渗质W形成能隙状态，连接基团引起 电子迁移率的增强，侧基提供电子特性。因此，能够通过提高N-型电荷产生层的电子特性 来促进电子从N-型电荷产生层至电子传输层的传输。
[0215] 在本发明的化合物中，糞位于二氮杂菲的2位，且在糞的1位或2位上被取代。由 于糞连接到二氮杂菲的2位，能够减小N-型电荷产生层和电子传输层之间的能级差异，从 而使电子的隧道效应最大化。因此，本发明能够通过将运种化合物用于N-型电荷产生层的 隧道效应而提高电子注入能力。
[0216] 因此，本发明通过将具有氮原子的化合物用于N-型电荷产生层，使得电子从N-型 电荷产生层有效传输至电子传输层，从而提高装置效率和装置性能。此外，促进电子从 N-型电荷产生层至电子传输层的传输有助于减少由较差的电子注入导致的低寿命问题。此 夕F，还能够减少当注入到N-型电荷产生层中的电子向电子传输层移动时，由于电子传输层 和N-型电荷产生层之间的LUMO能级差异导致的工作电压升高的问题。
[0217] 下面将描述根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示装置。根据本发明 的第二示例性实施方式的有机发光显示装置具有与图1中相同的结构，因此将参照图1对 其进行描述，而简略地说明与第一示例性实施方式重复的部分。
[021引参照图1，根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示装置100包括位于 阳极110和阴极220之间的发光部STl和ST2,W及位于发光部STl和ST2之间的电荷产生 层160。第一发光部STl包括位于阳极110和第一发光层140之间的空穴注入层120和第 一空穴传输层130,W及位于第一发光层140之上的第一电子传输层150。
[0219] 电荷产生层160位于第一发光部STl之上。电荷产生层160可W是通过将N-型 电荷产生层160N与P-型电荷产生层160P结合而形成的PN-结电荷产生层。PN结电荷产 生层160产生电荷或将该电荷（即，电子和空穴）分别注入到发光层中。
[0220] 本发明的电荷产生层160的N-型电荷产生层160N可由与上述第一示例性实施方 式的N-型电荷产生层160N相同的化合物形成。也就是说，在由化学式1表示的化合物中， 根据本发明的第二示例性实施方式的N-型电荷产生层160N可由化学式4和化学式5表示 的化合物形成。
[0221] 本发明的化合物具有运样的结构：在此结构中，连接基团和侧基与二氮杂菲核相 连接。因此，所述化合物的核中的氮是键合到渗质W形成能隙状态，连接基团引起电子迁移 率的增强，侧基提供电子特性。因此，能够通过提高N-型电荷产生层的电子特性来促进电 子从N-型电荷产生层至电子传输层的传输。在本发明的化合物中，糞位于二氮杂菲的2位， 且在糞的1位或2位上被取代。由于糞连接到二氮杂菲的2位，能够减小N-型电荷产生层 和电子传输层之间的能级差异，从而使电子的隧道效应最大化。因此，本发明能够通过将运 种化合物用于N-型电荷产生层的隧道效应而改进电子注入。
[0222] 另一方面，当本发明的N-型电荷产生层160N不是由上述化合物形成时，其可由金 属或N-渗杂的有机材料形成。所述金属可W是Li、化、K、化、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、 Sm、Eu、化、D