显示装置、阵列基板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置技术领域，更具体的说，涉及一种阵列基板及其制作方法，以及包括该阵列基板的显示装置。
【背景技术】
[0002]现有的OLED(Organic Light-Emitting D1de，有机电激光显示)显示器包括多个0LED像素单元，而每一 0LED像素单元又包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机发光层，其中，第一电极为阳极，第二电极为阴极，该显示器件通过阴极向有机发光层输入电子通过阳极从有机发光层吸收电子来激发有机发光层发光。
[0003]现有技术中，在制作第一电极时，会先形成覆盖整个基板的第一电极层，然后以具有第一电极图案的光刻胶层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺对电极层进行刻蚀来形成第一电极。由于湿法刻蚀具有各向同性腐蚀的特点，因此，刻蚀效果与电极图案密度紧密相关，也就是说，图案密度越大刻蚀效果越好。但是，随着0LED显示器的发展，像素单元中第一电极所占的面积比越来越小，从而导致刻蚀时第一电极的密度越来越小，因此，在制作第一电极的过程中，很容易出现第一电极过刻或刻蚀不均的问题，导致0LED显示器出现暗点等缺陷。
【发明内容】
[0004]为解决上问题，本发明提供了一种显示装置、阵列基板及其制作方法，以解决现有技术中由于第一电极容易出现过孔或刻蚀不均匀而导致的0LED显示器出现暗点等缺陷的问题。
[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]—种阵列基板的制作方法，包括:
[0007]提供一基板，所述基板包括衬底以及位于所述衬底表面的TFT阵列；
[0008]在所述基板的TFT阵列表面形成第一电极层；
[0009]在所述第一电极层表面形成具有多个第一电极图案和位于所述第一电极图案之间的至少一个填充图案的掩膜；
[0010]对具有掩膜的第一电极层进行刻蚀形成多个第一电极，其中，在所述刻蚀的过程中，所述填充图案覆盖的所述第一电极层部分或全部刻蚀。
[0011]—种阵列基板，采用如上所述的方法制作而成，所述阵列基板包括衬底、位于所述衬底表面的TFT阵列以及位于所述TFT阵列表面的多个像素单元，所述像素单元包括依次位于所述TFT阵列表面的第一电极、发光结构层和第二电极。
[0012]一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。
[0013]本发明所提供的显示装置、阵列基板及其制作方法，在对第一电极层进行刻蚀之前，在第一电极层上形成了具有第一电极图案和填充图案的掩膜，通过第一电极图案之间的填充图案来增大第一电极图案的图案密度，以避免在第一电极的刻蚀过程中出现第一电极过刻或刻蚀不均匀的问题，解决由此引起的显示屏暗点等缺陷。
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0015]图1为本发明的一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法的流程图；
[0016]图2a为图1中步骤S101提供的基板的剖面结构示意图；
[0017]图2b为图1中步骤S102提供的基板的剖面结构示意图；
[0018]图2c为图1中步骤S103提供的基板曝光时刻的剖面结构示意图；
[0019]图2d为图1中步骤S103提供的基板显影时刻的剖面结构示意图；
[0020]图2e为图1中步骤S103提供的基板显影后的掩膜结构俯视图；
[0021]图2f为图1中步骤S104提供的具有多个第一电极的基板的剖面结构示意图；
[0022]图3为本发明的一个实施例提供的一种结构的掩膜的俯视图；
[0023]图4为本发明的一个实施例提供的另一种结构的掩膜的俯视图；
[0024]图5为本发明的另一个实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0025]图6为本发明的又一个实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0027]本发明的一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板为0LED显示器的阵列基板，参考图1，图1为本发明的一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法的流程图，该阵列基板的制作方法包括:
[0028]S101:提供一基板，所述基板包括衬底以及位于所述衬底表面的TFT阵列；
[0029]参考图2a，图2a为图1中步骤S101提供的基板的剖面结构示意图，在制作0LED显示器的阵列基板时，首先会在衬底1上制作TFT (Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)阵列2，该TFT阵列2包括多个TFT晶体管，用于为0LED显示器中的像素单元提供驱动电路。本实施例中的TFT阵列2的结构与现有技术相同，在此不再赘述。基于此，本实施例中的基板是指已经在衬底1上制作完成了 TFT阵列2的基板，其中，衬底1可以为玻璃衬底，当然，本发明并不仅限于此。
[0030]S102:在所述基板的TFT阵列表面形成第一电极层；
[0031]参考图2b，图2b为图1中步骤S102提供的基板的剖面结构示意图，提供图2a所示的基板之后，在整个基板上形成第一电极层3，所述第一电极层3覆盖TFT阵列2。可选的，本实施例中的第一电极层3是采用物理气相沉积工艺制成的。进一步地，该第一电极3可以为三层结构，这三层结构包括位于底层的金属单质膜层、位于金属单质膜层之上的合金膜层以及位于合金膜层之上的ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)膜层，其中，合金膜层为金属单质与汞按照预设比例混合而成的合金制作的膜层，当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，第一电极3可以仅包括一层膜层如IT0膜层，也可以包括其他材质的三层膜层。
[0032]S103:在所述第一电极层表面形成具有多个第一电极图案和位于所述第一电极图案之间的至少一个填充图案的掩膜；
[0033]其中，本实施例中的掩膜为光刻胶层，但是，本发明并不仅限于此。当掩膜为光刻胶层时，在第一电极层表面形成具有多个第一电极图案和位于第一电极图案之间的至少一个填充图案的掩膜的过程包括:在第一电极层的表面形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显影，以形成具有多个第一电极图案和位于第一电极图案之间的至少一个填充图案的掩膜。
[0034]具体地，在形成覆盖整个基板的第一电极层3之后，参考图2c，图2c为图1中步骤S103提供的基板曝光时刻的剖面结构示意图，先在第一电极层3表面形成光刻胶层4，然后在光刻胶层4上覆盖具有第一电极图案和填充图案的掩膜板A来对光刻胶层4进行曝光，对光刻胶层4进行显影处理后，就可以在光刻胶层4上形成与掩膜板A上一致的图形，使得光刻胶层4上具有多个第一电极图案40以及位于第一电极图案40之间的至少一个填充图案41，参考图2d和图2e，图2d为图1中步骤S103提供的基板显影时刻的剖面结构示意图，图2e为图1中步骤S103提供的基板显影后的掩膜结构俯视图。
[0035]本实施例中仅以图2e所示的按照多行单列排列的填充图案41为例进行说明，但是，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，填充图案41也可以按照其他预设规律进行排列。下面以第一电极图案40之间具有矩阵排列的填充图案41为例，来对光刻胶层4即掩膜的结构进行说明。
[0036]参考图3和图4，光刻胶层4上包括多个呈矩阵排列的第一电极图案40，其中沿第一方向X相邻的两个第一电极图案40之间的距离为第一长度L1，沿第二方向Y相邻的两个第一电极图案40之间的距离为第二长度L2，第一长度L1大于第二长度L2，第一方向X与第二方向Y垂直，且填充图案41位于沿第一方向X相邻的两个第一电极图案40之间。
[0037]也就是说，当沿第一方向X相邻的两个第一电极图案40之间的距离为第一长度L1，沿第二方向Y相邻的两个第一电极图案40之间的距离为第二长度L2，第一长度L1大于第二长度L2，第一方向X与第二方向Y垂直时，形成掩膜的过程包括:在第一电极层3表面沿第一方向X相邻的两个第一电极图案40之间形成至少一个填充图案41。当然，在其他实施例中，也可以在沿第二方向Y相邻的两个第一电极图案40之间形成至少一个填充图案41，本发明并不仅限于此。
[0038]本实施例中，填充图案41的形状可以为圆形，也可以为方形。当填充图案41的形状为圆形时，该填充图案41的直径范围为1微米及以上；当填充图案41的形状为矩形时，该填充图案41的最小边长的范围为1微米及以上；当第一电极之间具有多个填充图案41，且多个填充图案41按照预设规律排布时，填充图案41之间的距离大于1微米。其中，填充图案41的大小和距离是由曝光机台的极限曝光能力和第一电极图案40之间的距离决定的。
[0039]当然，本实施例中仅以圆形和方形的填充图案41为例进行说明，在其他实施例中，填充图案41的形状还可以为其他形状，本发明并不仅限于此。也就是说，本领域技术人员可根据实际情况对填充图案41的形状和尺寸进行预设。
[0040]一般情况下，采用湿法刻蚀工艺对第一电极层进行刻蚀时，临界尺寸损失(Critical Dim