光隔离器外置的半导体激光器小型化box封装结构的制作方法

文档序号:9789825阅读:453来源:国知局
光隔离器外置的半导体激光器小型化box封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及激光技术领域,具体涉及一种半导体激光器的封装结构。
【背景技术】
[0002]在传统的半导体激光器BOX封装结构中,光隔离器封装在BOX内部,由于管壳内部空间有限,光隔离器采用裸片形式固定在管壳内,在生产过程中,芯片很容易消磁,导致半导体激光器性能不佳;同时,采用传统封装结构的半导体激光器尺寸较大,不利于提高集成度。

【发明内容】

[0003]为解决现有技术存在的问题,本发明目的在于提供一种可靠性高、结构精巧、工艺简单,而且可以降低半导体激光器成本的小型化BOX封装结构。
[0004]为实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:提出一种光隔离器外置的半导体激光器小型化BOX封装结构,包括管壳、聚焦透镜及光隔离器,管壳上开设有窗口,聚焦透镜和光隔离器分别固定于窗口的内、外两侧,聚焦透镜位于管壳内部,光隔离器位于管壳外部,且光隔离器通光孔的中轴线与聚焦透镜的主光轴同轴,所述光隔离器由环形外壳及封装于环形外壳内的法拉第光隔离器组成,所述法拉第光隔离器为不带磁环的磁光晶体。
[0005]所述光隔离器的环形外壳采用胶水粘接固定于管壳外壁上。
[0006]所述环形外壳为磁环和金属环,磁环固定于法拉第光隔离器的外部,金属环固定于磁环的外部。
[0007]所述聚焦透镜采用低温玻璃焊料焊接固定管壳内。
[0008]本发明将现有半导体激光器封装技术中的裸光隔离器(不带磁环的磁光晶体)替换为带磁环和金属环的光隔离器,改变管壳窗口结构,并将该光隔离器封装于管壳的外部,实现了光隔离器外置封装结构。本发明同现有技术相比,可以大幅度的提升半导体激光器的可靠性,有效的降低BOX封装尺寸,降低产品成本,而且对半导体激光器性能没有影响,同时又具有性能稳定、易于装配等特点。
【附图说明】
[0009]图1是本发明整体结构的上视剖视图;
图2是本发明整体结构的3D立体图。
【具体实施方式】
[0010]下面将结合【附图说明】本发明的【具体实施方式】。
[0011]如图1、2所示的光隔离器外置的半导体激光器小型化BOX封装结构,包括管壳1、聚焦透镜2及光隔离器4,管壳I上开设有窗口,聚焦透镜2和光隔离器4分别固定于窗口的内、外两侧,聚焦透镜2位于管壳I内部,光隔离器4位于管壳I外部,且光隔离器4通光孔的中轴线与聚焦透镜2的主光轴同轴。光隔离器4由磁环、金属环及法拉第光隔离器组成,该法拉第光隔离器为不带磁环的磁光晶体。其中,磁环封装于法拉第光隔离器的外部,金属环固定于磁环的外部。光隔离器4的磁环和金属环采用胶水粘接固定于管壳I外壁上。
[0012]半导体激光器封装过程中,先使用低温玻璃焊料3将聚焦透镜2焊接到管壳I上,管壳I内部器件装配打线后,再使用胶水将带磁环和金属环的光隔离器4装配到管壳I上。
【主权项】
1.光隔离器外置的半导体激光器小型化BOX封装结构,包括管壳、聚焦透镜及光隔离器,其特征在于:管壳上开设有窗口,聚焦透镜和光隔离器分别固定于窗口的内、外两侧,聚焦透镜位于管壳内部,光隔离器位于管壳外部,且光隔离器通光孔的中轴线与聚焦透镜的主光轴同轴,所述光隔离器由环形外壳及封装于环形外壳内的法拉第光隔离器组成,所述法拉第光隔离器为不带磁环的磁光晶体。2.根据权利要求1所述的光隔离器外置的半导体激光器小型化BOX封装结构,其特征在于:所述光隔离器的环形外壳采用胶水粘接固定于管壳外壁上。3.根据权利要求1或2所述的光隔离器外置的半导体激光器小型化BOX封装结构,其特征在于:所述环形外壳为磁环和金属环,磁环固定于法拉第光隔离器的外部,金属环固定于磁环的外部。4.根据权利要求1或2所述的光隔离器外置的半导体激光器小型化BOX封装结构,其特征在于:所述聚焦透镜采用低温玻璃焊料焊接固定管壳内。
【专利摘要】本发明涉及激光技术领域,具体涉及一种半导体激光器的封装结构。提出一种光隔离器外置的半导体激光器小型化BOX封装结构,包括管壳、聚焦透镜及光隔离器,管壳上开设有窗口,聚焦透镜和光隔离器分别固定于窗口的内、外两侧,聚焦透镜位于管壳内部,光隔离器位于管壳外部,且光隔离器通光孔的中轴线与聚焦透镜的主光轴同轴,所述光隔离器由环形外壳及封装于环形外壳内的法拉第光隔离器组成,所述法拉第光隔离器为不带磁环的磁光晶体。本发明同现有技术相比,可以大幅度的提升半导体激光器的可靠性,有效的降低BOX封装尺寸,降低产品成本,而且对半导体激光器性能没有影响,同时又具有性能稳定、易于装配等特点。
【IPC分类】H01S5/022
【公开号】CN105552710
【申请号】CN201610131920
【发明人】张文臣, 张彩, 张亮, 洪振海
【申请人】大连藏龙光电子科技有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2016年3月9日
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