层150的高度或其以上的范围内，通过电镀形成与第一端电极1201以及第二端电极1401连接的镀层160、160,、160〃。
[0052]根据本发明的一个实施例，，由于电极层以及电介质层按照按序堆叠(in-situ)方法堆叠在基板100上，因此，堆叠工序能够稳定地进行。此外，可以自由调节第一电极层120远离电介质层130的间隔d3以及第二电极层140远离电介质层130的间隔d2，因此，第一端电极1201以及第二端电极1401的宽度可变性较大。此外，通过第一端电极1201以及第二端电极1401的上部表面与外部电连接，从而使安装面积最小化。然而，并非限定于此，也可以通过第一端电极1201以及第二端电极1401的侧面与外部电连接。因此，根据本发明的一个实施例，既可以使叠层陶瓷电容器10的厚度为150μπι，也能够使叠层陶瓷电容器10具有足够大的机械强度。
[0053]图10是示出本发明的另一个实施例涉及的电容器阵列(array)的示意图。
[0054]参照图10，并非在基板10(Τ上仅形成单个电容器，而是形成多个电容器10，从而形成电容器阵列200。电容器阵列200的形成方法可以沿用如上所述的形成方法，只不过在面积较大的基板10'上同时形成多个电容器10来形成电容器阵列200。
[0055]图11是示出本发明的另一个实施例涉及的电容器阵列的使用状态的示意图。
[0056]参照图11，形成在基板10(/上的多个电容器10可以与形成在芯片(chip)20下部的球形电极(ball electrodeWO'直接接触。以往是在芯片20周边排列电容器，并通过引线连接(wire bonding)等来对形成在芯片20上的电极和电容器进行平面上的连接，因此，为了安装电容器而分配了芯片20周边的相当大的面积。因此，为了安装电容器，主板需要用于安装芯片20和电容器的较大面积。与此相反，根据本发明，电容器阵列位于芯片20的下部而上下连接芯片20和电容器10，因此安装芯片20和电容器10时仅需要用于安装芯片20的面积大小。
[0057]此外，根据本发明的一个实施例，各单位工序非常简单并且工序时间短，因此，收率尚，能够提尚生广性。
[0058]此外，本发明的叠层陶瓷电容器内的电极层以及电介质层非常薄，因此，明显地减小在高频域下电容器内发生的寄生电感(parasitic inductance)。
[0059]本发明公开的电容器的结构与基于现有的薄膜工艺的集成无源元件(IPD;integrated passive device)的明显区别在于，本发明中的叠层工艺沿用从陶瓷及金属粉末出发的现有的厚膜工艺，通过改善厚膜工艺的技术来实现与薄膜工艺相同的厚度，并且通过同时烧结来能够完成堆叠成形的陶瓷和金属电极层。因此，本发明能够通过生产性和价格竞争力优秀的厚膜工艺来实现一直以来通过薄膜工艺才能实现的电容器的高性能、高精密以及高功能性。
[0060]图12是对根据本发明的一个实施例涉及的叠层陶瓷电容器的形成方法形成的电介质层以及电极层的截面照片和根据以往的形成方法形成的电介质层以及电极层的截面照片进行对比的图。根据图12可知，当通过本发明实现时，与以往相比，电介质层以及电极层的厚度为0.2μπι左右，明显地薄并且厚度均匀，特别是电极层没有断裂处，因此具有非常优秀的连续性。
[0061]本发明的实施例涉及的叠层陶瓷电容器以及叠层陶瓷电容器的形成方法并不限定于所述实施例，对于本发明所属领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明基本原理的范围内进行各种设计以及应用是不言而喻的。
[0062]例如，可以根据各种设计例来应用并采用所述陶瓷浆料的粘度、涂覆的厚度以及陶瓷体的厚度等。
[0063]此外，虽然以上仅对电容器的形成进行了说明，然而不仅是电容器，电感器(inductor)也可以通过所述方法形成。只是，所堆叠的层的形状可以不同于电容器。此外，也可以将电容器和电感器同时形成在同一个基板上。
【主权项】
1.一种叠层陶瓷电容器，其特征在于，包括: 基板； 多个第一电极层以及多个第二电极层； 多个电介质层，分别形成在多个第一电极层和多个第二电极层之间； 第一端电极，相互连接多个第一电极层；以及 第二端电极，相互连接多个第二电极层， 其中，多个第一电极层、多个第二电极层、多个电介质层、第一端电极以及第二端电极均位于基板上， 通过第一端电极以及第二端电极的各自上部表面以及侧面与外部电连接。2.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电容器，其特征在于， 基板由氧化铝、蓝宝石单晶、晶质二氧化硅、硅中的一种形成。3.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电容器，其特征在于， 第一电极层、第二电极层以及第一端电极、第二端电极包含能够与电介质层同时烧结的金属。4.根据权利要求3所述的叠层陶瓷电容器，其特征在于， 第一电极层、第二电极层以及第一端电极、第二端电极包含Ag、Ag-Pd、Cu、Ni中的一种。5.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电容器，其特征在于， 在第一端电极以及第二端电极的上部表面以及侧面上形成有镀层。6.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电容器，其特征在于，进一步包括: 虚拟(dummy)层，其用于提高基板的粘贴力。7.一种叠层陶瓷电容器阵列，其特征在于， 包括基板以及形成在基板上的多个电容器， 其中，各个电容器包括: 多个第一电极层以及多个第二电极层； 多个电介质层，分别形成在多个第一电极层和多个第二电极层之间； 第一端电极，相互连接多个第一电极层；以及 第二端电极，相互连接多个第二电极层， 通过第一端电极以及第二端电极的各自上部表面以及侧面与外部电连接。8.根据权利要求7所述的叠层陶瓷电容器阵列，其特征在于， 基板由氧化铝、蓝宝石单晶、晶质二氧化硅、硅中的一种形成。9.根据权利要求7所述的叠层陶瓷电容器阵列，其特征在于， 第一电极层、第二电极层以及第一端电极、第二端电极包含能够与电介质层同时烧结的金属。10.根据权利要求9所述的叠层陶瓷电容器阵列，其特征在于， 第一电极层、第二电极层以及第一端电极、第二端电极包含Ag、Ag-Pd、Cu、Ni中的一种。11.根据权利要求7所述的叠层陶瓷电容器阵列，其特征在于， 在第一端电极以及第二端电极的上部表面以及侧面上形成有镀层。12.根据权利要求7所述的叠层陶瓷电容器阵列，其特征在于，进一步包括: 虚拟(dummy)层，其用于提高基板的粘贴力。13.—种叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: (a)在基板上的规定区域形成第一电极层以及第一端电极的一部分； (b)在第一电极层的上部表面以及侧面形成电介质层； (c)在电介质层的上部表面的一部分形成第二电极层，在形成于第一电极层侧面的电介质层的侧面中的一部分形成第二端电极的一部分； (d)在第二电极层的上部表面以及侧面形成电介质层； (e)在步骤(d)中的电介质层的上部表面的一部分形成第一电极层，在形成于第二电极层侧面的电介质层的侧面中的一部分形成第一端电极的一部分； (f)重复步骤(a)至步骤(d)，直到多个第一电极层、多个电介质层以及多个第二电极层分别达到规定的层数，并且电介质层处于最上层； (g)完成第一端电极或者第二端电极的形成， 其中，通过第一端电极相互连接多个第一电极层，并且通过第二端电极相互连接多个第二电极层， 通过第一端电极以及第二端电极的各自上部表面以及侧面与外部电连接。14.根据权利要求13所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于， 基板由氧化铝基板、蓝宝石单晶基板、晶质二氧化硅基板、硅基板中的一种基板形成。15.根据权利要求13所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于， 第一电极层、第二电极层以及第一端电极、第二端电极包含能够与电介质层同时烧结的金属。16.根据权利要求15所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于， 第一电极层、第二电极层以及第一端电极、第二端电极包含Ag、Ag-Pd、Cu、Ni中的一种。17.根据权利要求13所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于，进一步包括如下步骤: 在第一端电极以及第二端电极的上部表面以及侧面上形成镀层。18.根据权利要求13所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于， 使用选自旋涂、丝网印刷、胶版印刷中的一种方法来形成第一电极层、第二电极层以及第一端电极、第二端电极以及电介质层。19.根据权利要求13所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于，进一步包括如下步骤: 在电介质层的露出部分上形成保护层。20.根据权利要求13所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于，进一步包括如下步骤: 步骤(a)之前，在基板上形成粘贴用的虚拟层。
【专利摘要】本发明涉及叠层陶瓷电容器。根据本发明的一个实施例，提供一种叠层陶瓷电容器，其包括：基板；多个第一电极层以及多个第二电极层；多个电介质层，分别形成在各个第一电极层和第二电极层之间；第一端电极，相互连接多个第一电极层；以及第二端电极，相互连接多个第二电极层，其中，多个第一电极层、多个第二电极层、多个电介质层、第一端电极以及第二端电极均位于基板上，通过第一端电极以及第二端电极的各上部表面以及侧面与外部电连接。
【IPC分类】H01G4/30, H01G4/12
【公开号】CN105556624
【申请号】CN201480051133
【发明人】辛有善
【申请人】辛有善
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2014年9月16日
【公告号】WO2015041447A1