互连结构及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本申请设及半导体制造工艺，更具体地，设及一种互连结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 互连结构广泛地应用于半导体器件中。通常，互连可W通过在电介质层中形成沟 槽，并向沟槽中填充金属膜（在铜互连的情况下，铜膜）来形成。但是，随着半导体器件的 尺寸进一步缩小，难W向越来越小的沟槽中填充金属膜。
【发明内容】
[0003] 鉴于上述问题，本公开提供了一种互连结构及其制造方法。
[0004] 根据本公开的一个方面，提供了一种制造互连结构的方法，包括：在电介质层中形 成沟槽；向沟槽中填充导电材料粉末；W及对填充的导电材料粉末进行激光退火，W形成 导电材料层，所述导电材料层形成所述互连结构。 阳〇化]根据本公开的另一方面，提供了一种互连结构，包括实质上无空桐和毛孔的导电 材料。例如，导电材料可W包括烙融后再结晶的导电材料。
[0006] 根据本公开的实施例，可W通过填充导电材料粉末并进行激光退火来形成导电材 料层。由于粉末的填充要比金属膜的填充容易，从而可W相对容易地制造互连结构。此外， 可W提供更紧密、没有空桐和毛孔的填充效果。 阳007] 可W逐层进行填充和退火，W形成多个连续的导电材料层，运些导电材料层可W 构成互连结构，如过孔（via)、接触部（contact)和/或互连线（interconnect line)。
【附图说明】
[0008] 通过W下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述W及其他目的、特征和 优点将更为清楚，在附图中：
[0009] 图1-8是示出了根据本公开实施例的制造互连结构的流程中一些阶段的示意图。
【具体实施方式】
[0010] W下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，运些描述只是示例性 的，而并非要限制本公开的范围。此外，在W下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，W 避免不必要地混淆本公开的概念。
[0011] 在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。运些图并非是按比例绘制 的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的 各种区域、层的形状W及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制 造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可W另外设计具有不同 形状、大小、相对位置的区域/层。
[0012] 在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件"上"时，该层/元 件可W直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可W存在居中层/元件。另外，如果在一 种朝向中一层/元件位于另一层/元件"上"，那么当调转朝向时，该层/元件可W位于该另 一层/元件"下"。
[0013] 根据本公开的实施例，提供了一种制造互连结构的方法。该方法可W包括在电介 质中形成沟槽。例如，可W按照大马：t革值amascene)工艺如单大马±革工艺或双大马：t 革工艺的方式来形成沟槽。电介质层可W与器件相邻，从而形成的沟槽可W形成为接触 孔（contact hole)。或者，电介质层可W是金属化叠层中的某一层，形成的沟槽可W是贯 穿电介质层的通孔或在电介质层平面内延伸的通道。可W在沟槽内形成导电材料层，从而 形成各种互连结构。例如，在接触孔内可W形成例如到器件源/漏区和/或栅极的接触部 (contact);在通孔内可W形成导电过孔（via);在通道内可W形成互连线（interconnect line)。
[0014] 导电材料层可W通过向沟槽中填充导电材料粉末并对填充的导电材料粉末进行 激光退火来形成。激光可W使粉末烙化/融化，并形成致密的导电材料层。由于粉末的尺 寸较小，从而可W相对容易地填充到沟槽中。此外，可W提供更紧密、没有空桐和毛孔的填 充效果。
[0015] 可W逐层来形成运样的导电材料层。例如，可W分多次向沟槽中填充导电材料粉 末，且在每次填充后进行激光退火，直至形成的导电材料层填满沟槽。每次填充的导电材料 粉末可W大致均匀地分布于沟槽中，从而退火后形成厚度大致均匀的导电材料层。各导电 材料层彼此连续而成一体，从而构成互连结构。
[0016] 在填充导电材料粉末时，可W使导电材料粉末仅处于沟槽中。例如，在填充时，可 W去除位于沟槽外部的导电材料粉末。运种去除可W通过胶带来实现。
[0017] 在退火时，激光可W扫描通过整个电介质层。由于导电材料粉末可W仅处于沟槽 内，从而只有沟槽内形成导电材料层。或者，激光可W局限于沟槽所在的区域。例如，可W 根据沟槽的形成图案，来扫描激光。
[0018] 于是，所形成的导电材料层可W局限于沟槽中，从而不需要常规工艺中那样例如 通过化学机械抛光（CM巧来去除沟槽外的部分。
[0019] 本公开的技术可W多种方式呈现，W下将描述其中一些示例。
[0020] 图1-8是示出了根据本公开实施例的制造互连结构的流程中一些阶段的示意图， 各图中（a)表示双大马±革工艺的情况，而化）表示单大马±革工艺的情况。在此，所谓双 大马±革工艺是指在电介质层中可W-次形成两个特征，如相互连接的过孔和互连线；所 谓单大马±革工艺是指在电介质层中可W-次形成一个特征，如接触部、过孔和互连线之 O
[0021] 参照图1，提供电介质层102/102'。电介质层102/102'可W包括各种合适的低 K或高K电介质材料。在此，W氧化物（例如，氧化娃）为例进行描述，但是本公开不限于 此。电介质层102/102'可W设置为与器件相邻，或者是金属化叠层中的某一层。尽管在图 1中将电介质层102/102'的上下表面示出为大致平坦，但是上表面和/或下表面可W包括 凹凸特征。
[0022] 在电介质层102/102'中，可W通过例如刻蚀，形成沟槽104/104'。例如，在图 1 (a)所示的双大马±革工艺的情况下，沟槽104可W包括孔状的下部104-1 W及与该孔状 下部连通且在电介质层102的平面内延伸的通道状的上部104-2。在图I (b)所示的单大马 ±革工艺的情况下，沟槽104'可W形成为孔状或通道状。
[0023] 可选地，如图2所示，可W在沟槽内形成阻挡层106/106'。在形成阻挡层的情况 下，可W如下所述在随后进行平坦化处理如CMP，W去除沟槽外的阻挡层。因此，在此为方便 起见，将阻挡层106/106'示出为仅位于沟槽内。由于电介质层102/102'下方存在其他部 件，因此阻挡层也形成在沟槽104/104'的底部。阻挡层可W包括紧致电介质层，例如Si化 和/或SisNA,厚度可W极薄，例如为约30A或更大。在此需要指出的是，可W不形成运种阻 挡层。
[0024] 随后，如图3所示，可W通过例如淀积，在沟槽104/104'填充导电材料粉末 108-1/108-1'。导电材料粉末108-1/108-1'可W包括金属，如化、Ag和Al中至少之一。 在填充过程中，可W使导电材料粉末108-1/108-1'局限于沟槽104/104'内。例如，可W 通过胶带等方法，去除沟槽104/104'外可能存在的粉末。
[0025] 在此，填充的导电材料粉末108-1/108-1'可W不填满沟槽104/104'，而是为较 薄的一层，例如厚度为约30-500 ym。运有助于避免由于在沟槽104/104'中一次填充过多 粉末而可能存在孔桐等缺陷。填充的导电材料粉末108-1/108-1'可W大致均匀。
[00%] 接着，如图4中的箭头所示，可W对填充的导电材料粉末108-1/108-1 '进 行激光退火，使其烙化/融化，然后冷却再结晶从而在沟槽内形成致密的导电材料层 110-1/110-1'，如图 5 所示。
[0027] 激光可W在电介质层102/102 '上无图案的施加，例如扫描通过电介质层 102/102'的整个表面。由于导电材料粉末108-1/108-1'仅位于沟槽内，所W通过退火形 成的导电材料层110-1/110-1'也位于沟槽内。
[0028] 或者，激光可W根据沟槽的形成图案来施加，从而退火局限于沟槽所在的区域。在 运种情况下，甚至可W在激光退火之后再去除沟槽外的导电材料粉末。
[0029] 随后，可W重复图3-5中所示的操作。具体地，如图6所示，可W在形成有导电材 料层110-1/110-1'的沟槽104/104'内，填充导电材料粉末108-2/108-2'。然后，如图7 所示，可W通过激光退火，将填充的导电材料粉末108-2/108-2'转化为致密的导电材料层 110-2/110-2'。
[0030] 运样的操作可W重复直至所形成的导电材料层大致填满沟槽104/104'，如图8 所示。在图8中，W虚线示出了各次形成的导电材料层。运些导电材料层彼此连续而成一 体，从而形成互连结构110/110'。
[0031] 在未形成阻挡层的情况下，由于互连结构110/110'局限于沟槽104/104'内，从 而无需额外的CMP工艺。
[0032] 在形成阻挡层的情况下，可W进行CMP，W去除沟槽外的阻挡层部分。
[0033] 在W上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是 本领域技术人员应当理解，可W通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为 了形成同一结构，本领域技术人员还可W设计出与W上描述的方法并不完全相同的方法。 另外，尽管在W上分别描述了各实施例，但是运并不意味着各个实施例中的措施不能有利 地结合使用。
[0034] W上对本公开的实施例进行了描述。但是，运些实施例仅仅是为了说明的目的，而 并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公 开的范围，本领域技术人员可W做出多种替代和修改，运些替代和修改都应落在本公开的 范围之内。
【主权项】
1. 一种制造互连结构的方法，包括： 在电介质层中形成沟槽； 向沟槽中填充导电材料粉末；以及 对填充的导电材料粉末进行激光退火，以形成导电材料层，所述导电材料层形成所述 互连结构。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，分多次向沟槽中填充导电材料粉末，且在每次填 充后进行激光退火，直至形成的导电材料层填满沟槽。3. 根据权利要求1所述的方法，其中，在填充导电材料粉末之前，该方法还包括： 在沟槽中形成阻挡层。4. 根据权利要求3所述的方法，其中，阻挡层包括紧致电介质层。5. 根据权利要求1所述的方法，其中，导电材料粉末包括Cu、Ag和A1中至少之一。6. 根据权利要求1所述的方法，还包括：去除沟槽外存在的导电材料粉末。7. 根据权利要求6所述的方法，其中，利用胶带进行去除。8. 根据权利要求1所述的方法，其中，激光退火局限于沟槽所在的区域。9. 根据权利要求2所述的方法，其中，每次填充的导电材料粉末大致均匀地分布于沟 槽中。10. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述互连结构包括过孔、接触部和互连线中至 少之一。11. 一种互连结构，包括实质上无空洞和毛孔的导电材料。12. 根据权利要求11所述的互连结构，其中，所述导电材料包括熔融后再结晶的导电 材料。
【专利摘要】本公开提供了一种互连结构及其制造方法。一示例方法可以包括：在电介质层中形成沟槽；向沟槽中填充导电材料粉末；以及对填充的导电材料粉末进行激光退火，以形成导电材料层，所述导电材料层形成所述互连结构。
【IPC分类】H01L21/768, H01L23/532
【公开号】CN105633012
【申请号】CN201510146587
【发明人】钟汇才, 朱慧珑, 赵超
【申请人】中国科学院微电子研究所
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年3月31日