互交换，或者其中的部分步骤也可以省略或删除。
[0077]步骤S301，请同时参照图18，提供半导体发光基层220，所述半导体发光基层220包括第一基底221、依次形成在第一基底221上的所述第二半导体层160、所述活性层150以及所述第一半导体层140。
[0078]可以在第一基底221的表面依次生长第二半导体层160、活性层150和第一半导体层140。优选的，第一基底221可以包括第二衬底222以及生长在第二衬底222上的缓冲层223，第二半导体层160、活性层150以及第一半导体层140可以生长在缓冲层223上。
[0079]步骤S302，在所述第一半导体层140远离所述第一基底221的表面形成分别对应于图2所述第一电极连接部121、第二电极连接部122以及接触部123的填充槽141，所述填充槽141由所述第一半导体层140远离所述第一基底221的表面向所述第二半导体层160延伸，所述第二半导体层160曝露于所述填充槽141。
[0080]具体的，请参照图19，在此步骤中，在所述第一半导体层140远离所述第一基底221的表面刻蚀间隔排列的三个填充槽141，三个填充槽141分别对应图2所示的半导体发光器件中的第一电极连接部121、第二电极连接部122以及接触部123。经过刻蚀后，第二半导体层160由填充槽141处曝露出来。于第二半导体层160的刻蚀深度小于第二半导体层160的厚度。
[0081]步骤S303，在每个所述填充槽141的侧壁142以及与所述第一电极连接部121对应的填充槽141的底壁143形成第一绝缘层131。
[0082]具体的，请参照图20，可以通过化学气相沉积法(CVD)等方式在第一半导体层140远离第一基底221的表面、每个所述填充槽141的侧壁142以及填充槽141的底壁143形成第一绝缘层131。第一绝缘层131的材料可以是二氧化硅或者氮化硅等绝缘材料，当然，所述第一绝缘层131的材料并不作为限制，也可以是其他。
[0083]进一步的，请参照图21，可以通过光刻(photo )、沉积(Depositing)、蚀刻(etching)、等工艺使第一半导体层140远离第一基底221的表面由所述第一绝缘层131曝露出来。
[0084]进一步的，请参照图22，可以在第一半导体层140由第一绝缘层131曝露出来的部分形成反射金属层190。该反射金属层190可以使活性层150发出的部分光经反射后从第二半导体层160方向出射。在本实施例中，反射金属层190的材料并不作为限制，可以是银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)等对光有反射作用的金属中一种，或多种金属组成的金属合金或者金属组合层，亦或是合金超晶格结构。
[0085]进一步的，请参照图23，将填充槽141的底壁143中，除与所述第一电极连接部121对应的填充槽141的底壁143之外的其他底壁143上的第一绝缘层131刻蚀掉，保留与所述第一电极连接部121对应的填充槽141的底壁143上的第一绝缘层131，为后续制作第一电极170做准备。
[0086]可选的，请参照图24，还可以在第一绝缘层131被蚀刻掉的部分形成导电金属层200，以增加导电性。
[0087]步骤S304，在所述第一半导体层140远离所述第二半导体层160的表面形成所述电流扩散层120，所述电流扩散层120包括所述第一电极连接部121、第二电极连接部122以及接触部123的平展部124。
[0088]请参照图25，于此步骤中，在第一半导体层140远离第二半导体层160的表面镀上一层电流扩散层120，电流扩散层120填充在与第一电极连接部121对应的填充槽141的部分形成第一电极连接部121，电流扩散层120填充在与第二电极连接部122对应的填充槽141的部分形成第二电极连接部122，电流扩散层120填充在与接触部123对应的填充槽141的部分形成接触部123。连接第一电极连接部121与接触部123、接触部123与第二电极连接部122的是平展部124。电流扩散层120最大厚度大于反射金属层190至填充槽141底部的距离，因此，电流扩散层120远离所述第二半导体层160的表面是平整表面。
[0089]步骤S305，对所述电流扩散层120的平展部124蚀刻并形成第二绝缘层132，与所述第一电极连接部121连接的平展部124与所述接触部123之间形成所述第二绝缘层132，与所述接触部123连接的平展部124与所述第二电极连接部122之间形成所述第二绝缘层132。
[0090]请参照图26，在此步骤中，可以选择性的电流扩散层120的平展部124刻蚀出图形，然后在所刻蚀的图形中镀上第二绝缘层132。第二绝缘层132起到电阻断的作用，可以对不需要电连通的位置进行电阻断。
[0091]步骤S306，在所述电流扩散层120远离所述第二半导体层160的表面形成所述绝缘基底110。
[0092]在一种【具体实施方式】中，请参照图27，可以在电流扩散层120远离第二半导体层160的表面形成绝缘基底层114，然后，在绝缘基底层114上镀第二键合金属层113，如图28所不O
[0093]如图29所示，准备镀有第一键合金属层112的第一衬底111，然后将第一键合金属层112键合在第二键合金属层113上，如图30所示。
[0094]步骤S307，去除所述第一基底221，在所述第二半导体层160远离所述第一半导体层140的表面形成所述沟槽161，使得所述接触部123曝露于所述沟槽161，所述沟槽161的深度小于所述第二半导体层160的厚度。
[0095]请参照图31，图31所示为键合后的整体结构进行翻转后的示意图。接着如图32所示，去掉第一基底221。请参照图33，在第二半导体层160远离第一半导体层140的表面形成沟槽161，使接触部123曝露于沟槽161。优选的，可以将第二半导体层160与第一电极连接部121和第二电极连接部122对应的部分蚀刻掉，以将第一电极连接部121与第二电极连接部122曝露出来，具体的，将第一电极连接部121上的第一绝缘层131以及第二电极连接部122上的金属导电层200曝露出来。
[0096]步骤S308，形成所述第一电极170与所述第二电极180，所述第一电极170与所述第一电极连接部121电连接，所述第二电极180与所述第二电极连接部122电连接。
[0097]优选的，可以先在对第二半导体层160的表面进行粗糙化或者图形化，形成如图34所示的半导体发光器件100A(图34中以图形化为例进行说明)，在第二半导体层160远离第一半导体层140的表面粗糙化或者具有图形，可以进一步提升半导体发光器件100的光提取率。
[0098]进一步的，请参照图35，还可以在所述第二半导体层160远离所述第一半导体层140的表面、沟槽161的底部以及电流扩散层120曝露在外面的部分均可以形成钝化层210。所述钝化层210可以防止第二半导体层160以及电流扩散层120的氧化，并且提高光提取率。
[0099]进一步的，请参照图36，可以将第一电极连接部121上的第一绝缘层131蚀刻掉部分后形成与第一电极连接部121电连接的第一电极170。将第二电极连接部122上的金属导电层200及钝化层210蚀刻掉部分后形成与第二电极连接部122电连接的第二电极180，具体的连接方法不限。在一种【具体实施方式】中，可以在第二半导体层160与第一电极连接部121对应的被蚀刻掉的部分形成第一电极170，在第二半导体层160与第二电极连接部122对应的被蚀刻掉的部分形成第二电极180。
[0100]可以理解的是，于本发明的其他实施方式中，在形成填充槽141时，形成分别对应于图12所示的第一隧道电极125以及第二隧道电极126的填充槽141，经过刻蚀后，第二半导体层160由填充槽处曝露出来。与所述第一隧道电极125对应的填充槽141的一端和与所述接触部123对应的填充槽141电连接，与所述第二隧道电极126对应的填充槽141的一端和与所述接触部123对应的填充槽141电连接。在每个填充槽141的侧壁142以及与第一电极连接部121对应的填充槽141的底壁143形成第一绝缘层131。
[0101]请参照图37，在形成电流扩散层120时，电流扩散层120填充在与第一隧道电极125及第二隧道电极126对应的填充槽141中，所述第一隧道电极125的一端与所述接触部123电连接，所述第二隧道电极126的一端与所述第二电极180电连接。
[0102]请参照图38，在形成第二绝缘层132时，使得第一隧道电极125和第二隧道电极126的两侧均设置有绝缘层130。第一隧道电极125和第二隧道电极126可以帮助扩散电流，其结构可采用手指形状的电极，设计灵活，其中手指部的个数可以是一个或者多个，都不受限制。
[0103]综上所述，本