半导体发光元件及其制造方法
【专利摘要】本发明的实施方式提供一种抑制了缺陷产生的半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：基板，具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2面；绝缘层，设置在所述基板的所述第2面上；第1金属层，设置在所述绝缘层上；半导体发光部，设置在所述第1金属层上，且包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层，且所述第2半导体层电连接在所述第1金属层；以及第1电极层。所述第1电极层设置在所述基板的所述第1面，并且一部分与所述基板及所述绝缘层接触，且电连接在所述第1金属层。
【专利说明】
半导体发光元件及其制造方法[0001][相关申请][0002]本申请享有以日本专利申请2015-52887号(申请日:2015年3月17日)作为基础申 请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
[0003]本发明的实施方式涉及一种半导体发光元件及其制造方法。【背景技术】
[0004]LED(Light Emitting D1de，发光二极管)等半导体发光元件具有半导体发光部， 该半导体发光部包含P型半导体层、发光层及n型半导体层。半导体发光部是通过例如外延生长法而形成在生长用基板上。然后，将半导体发光部与另一支撑基板经由接合层而接合， 有时会将生长用基板剥离。
[0005]在该情况下，作为接合层，一般使用金属层。但是，如果金属的热膨胀率与支撑基板的热膨胀率的差大，那么存在支撑基板翘曲的情况。如果支撑基板翘曲，则有在半导体发光部内产生因结晶应变引起的缺陷的可能性。
【发明内容】
[0006]本发明的实施方式提供一种抑制了缺陷产生的半导体发光元件及其制造方法。
[0007]实施方式的半导体发光元件具备:基板，具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2 面;绝缘层，设置在所述基板的所述第2面上;第1金属层，设置在所述绝缘层上;半导体发光部，设置在所述第1金属层上，且包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层，且所述第2半导体层电连接在所述第1金属层；以及第1电极层。所述第1电极层设置在所述基板的所述第1面，并且一部分与所述基板及所述绝缘层接触，且电连接在所述第1金属层。【附图说明】
[0008]图1是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的示意性剖视图。[〇〇〇9]图2(a)?图2(b)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的示意性剖视图。[〇〇1〇]图3(a)?图3(b)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的示意性剖视图。
[0011]图4(a)?图4(b)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的示意性剖视图。
[0012]图5(a)?图5(b)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的示意性剖视图。
[0013]图6(a)是表示第2实施方式的半导体发光元件的主要部分的示意性剖视图，图6(b)是表示具有第2实施方式的半导体发光元件的发光装置的主要部分的示意性剖视图。 【具体实施方式】[〇〇14]下面，一边参照附图，一边对实施方式进行说明。在以下的说明中，对相同部件标注相同符号，并对说明过一次的部件适当省略其说明。[〇〇15](第1实施方式)
[0016]图1是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的示意性剖视图。
[0017]第1实施方式的半导体发光元件1具备:基板60;绝缘层40;第1金属层50;半导体发光部15,包含第1半导体层10、第2半导体层20及发光层30;第1电极层61;第2电极层63;以及绝缘层70。
[0018]在实施方式中，将从基板60朝向半导体发光部15的方向设为Z轴方向。另外，将相对于Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将相对于Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。
[0019]基板60是半导体发光元件1的支撑基板。基板60具有下表面60d(第1面)、及与下表面60d为相反侧的基板60的上表面60u(第2面)。基板60是当投影在X-Y平面上时与半导体发光部15重叠。基板60的面积为第2半导体层20的面积以上。基板60使用例如硅(Si)等半导体基板。
[0020]绝缘层40设置在基板60的上表面60u上。第1金属层50设置在绝缘层40上。绝缘层 40是将基板60与第1金属层50接合的接合材。绝缘层40包含例如氧化硅(S1x)。第1金属层 50具有金属障壁膜51、及金属反射膜52。[0021 ]金属障壁膜51电连接在第1电极层61。金属障壁膜51是电极的一部分。金属障壁膜 51可使用与绝缘层40密接性高的金属。作为该金属，可使用例如Ti (钛)或TiW(钛-钨)。另夕卜，金属障壁膜51也可使用例如Ti膜、Pt膜、Au膜、Ni膜、Ag膜、或包含这些膜中任一种的积层膜。
[0022]金属反射膜52配置在金属障壁膜51与半导体发光部15之间。金属反射膜52是电极的一部分。金属反射膜52为光反射性。金属反射膜52相对于第2半导体层20欧姆接触。金属反射膜52优选为对发出光具有高反射率。通过提高金属反射膜52的反射率，而使光提取效率提高。所谓光提取效率是指由发光层30所发出的光的总光通量中的能够提取到半导体发光元件1外部的光的总光通量的比率。金属反射膜52包含例如铝(A1)及银(Ag)中的至少任一种。[〇〇23]半导体发光部15设置在第1金属层50上。半导体发光部15具有第1导电型(例如n 型)的第1半导体层10、第2导电型(例如p型)的第2半导体层20、及发光层30。发光层30设置在第1半导体层10与第2半导体层20之间。第2半导体层20电连接在第1金属层50。[〇〇24]第1半导体层10、第2半导体层20及发光层30分别包含氮化物半导体。第1半导体层 10、第2半导体层20及发光层30包含例如AlxGai—x—yInyN(xg 0，y g 0，x+y S1)。
[0025]第1半导体层10包含例如掺Si的n型GaN接触层、掺Si的n型AlGaN包层。在掺Si的n 型GaN接触层与发光层30之间，配置掺Si的n型AlGaN包层。第1半导体层10也可还包含GaN缓冲层，在GaN缓冲层与掺Si的n型AlGaN包层之间配置掺Si的n型GaN接触层。
[0026]发光层30具有例如多重量子井(MQW，Multiple Quantum Well)构造。在MQW构造中，交替地积层例如多层障壁层障壁层及多层井层。例如，井层使用AlGalnN。例如，井层使用GalnN。
[0027]在实施方式中，积层的状态除了包含直接接触的状态以外，也包含在其间插入其它要素的状态。[〇〇28] 障壁层使用例如掺Si的n型AlGaN。例如，障壁层使用掺Si的n型Al0.dGa0.89N。障壁层的厚度例如为2nm以上且30nm以下。在多层障壁层之中，最接近半导体层20的障壁层可与其它障壁层不同，可比其它障壁层厚、或比其它障壁层薄。[〇〇29] 从发光层30放出的光(发出光)的波长(峰值波长)例如为210nm以上且700nm以下。 发出光的峰值波长也可为例如370nm以上且480nm以下。
[0030]第2半导体层20包含例如非掺杂AlGaN间隔层、掺Mg的p型AlGaN包层、掺Mg的p型 GaN接触层及掺高浓度Mg的p型GaN接触层。在掺高浓度Mg的p型GaN接触层与发光层30之间， 配置掺Mg的p型GaN接触层。在掺Mg的p型GaN接触层与发光层30之间，配置掺Mg的p型AlGaN 包层。在掺Mg的p型AlGaN包层与发光层30之间，配置非掺杂AlGaN间隔层。例如，第2半导体层20包含非掺杂Al0.nGa0.89N间隔层、掺Mg的p型AlQ.28GaQ.72N包层、掺Mg的p型GaN接触层及掺高浓度Mg的p型GaN接触层。
[0031]此外，在所述半导体层中，组成、组成比、杂质的种类、杂质浓度及厚度为示例，可进行各种变化。[〇〇32] 半导体发光部15的上表面14为凹凸。凹凸具有多个凸部14p。多个凸部14p中的相邻两个凸部14p彼此之间的距离优选为从半导体发光部15发射的发出光的发光波长以上。 发光波长为半导体发光部15(半导体层10)中的峰值波长。通过设置这种凹凸，而使光提取效率提尚。
[0033]凹凸的多个凸部14p各自的平面形状例如为矩形。例如，凹凸是通过例如使用药液 (例如碱系溶液)对半导体层10进行各向异性蚀刻而形成。由此，在半导体层10与外界的界面上，从发光层30放出的发出光被朗伯(lambert)反射。凹凸也可通过使用掩模的干式蚀刻而形成。在该方法中，能够形成符合设计的凹凸，因此，再现性提高，且易于提高光提取效率。
[0034]在半导体发光元件1中，具有如下构造:并非设置在基板60的下表面60d侧的第1电极层61利用绝缘层40与第2半导体层20绝缘，而是第1电极层61电连接在第2半导体层20。 [〇〇35]例如，第1电极层61设置在基板60的下表面60d，并且在基板60内及绝缘层40内延伸。第1电极层61是半导体发光元件1的背面电极。第1电极层61是半导体发光元件1的电极的一部分。第1电极层61电连接在第1金属层50。第1电极层61经由第1金属层50而电连接在第2半导体层20。[〇〇36]在基板60及绝缘层40中，设置着从基板60的下表面60d延伸到第1金属层50的贯通孔62(孔)。第1电极层61与基板60的下表面60d、贯通孔62的内壁62w及第1金属层50相接。第 1电极层61的材料使用例如11、(:11、附^11、0、311、111^8^1等中的任一种。[〇〇37]贯通孔62及设置在贯通孔62内的第1电极层61并不限于图示的数量，也可设置多个。在该情况下，贯通孔62及设置在贯通孔62内的第1电极层61也可在半导体发光部15的下侦L以均等的间隔配置。[〇〇38]第2电极层63设置在半导体发光部15的第1半导体层10上。第2电极层63是半导体发光元件1的电极。第2电极层63是焊垫电极。绝缘层70是保护金属障壁膜51的一部分及半导体发光部15的一部分的保护层。第2电极层63的材料使用例如T1、Cu、N1、Au、Cr、Sn、In、 Ag、Al等中的任一种。
[0039]半导体发光元件1也可还包含覆盖半导体发光部15的密封部(未图示)。该密封部使用例如树脂。密封部也可包含波长转换体。波长转换体吸收从半导体发光元件1出射的发出光的一部分，并放出与发出光的波长(峰值波长)不同的波长(峰值波长)的光。波长转换体使用例如荧光体。
[0040]通过在第1电极层61与第2电极层63之间施加电压，而对发光层30施加电压。由此， 从发光层30放出光。[0041 ]所放出的光主要朝向上方向而出射到元件的外部。也就是说，从发光层30放出的光的一部分向上方向行进，并出射到元件外。另一方面，从发光层30放出的光的另一部分被光反射性的金属反射膜52高效率地反射，而向上方向行进，并出射到元件外。
[0042]对半导体发光元件的制造方法进行说明。
[0043]图2(a)?图5(b)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的示意性剖视图。
[0044]例如，如图2(a)所示，在生长基板65(第1基板)上，介隔缓冲层16,使半导体层10、 发光层30、半导体层20按顺序在生长基板65上外延生长。由此，在生长基板65上形成半导体发光部15。第1半导体层10与缓冲层16相接。[〇〇45]这里，图2(a)所示的生长基板65是处于单片化前的晶片状态的生长基板的一部分，实际上，生长基板65实际是沿X方向及Y方向延伸。另外，形成在图2(a)所示的生长基板 65上的缓冲层16及半导体发光部15也沿X方向及Y方向延伸。图2(a)所示的生长基板65、缓冲层16及半导体发光部15表示半导体发光元件1的一个芯片。[〇〇46]接着，如图2(b)所示，在第2半导体层20上，形成与第2半导体层20相接的第1金属层50。例如，在第2半导体层20上，将金属反射膜52进行图案化。进而，将覆盖金属反射膜52 的金属障壁膜51形成在第2半导体层20上。[〇〇47]接着，如图3(a)所示，在第1金属层50上，形成绝缘层40。绝缘层40与第1金属层50 接触。接下来，在真空中，对绝缘层40的表面进行等离子体照射，而使其表面活化。接下来， 使基板60(第2基板)的上表面60u与绝缘层40对向。在绝缘层40与基板60对向的表面40u，进行平坦化处理。例如，绝缘层40的表面40u通过CMP(化学机械研磨，Chemical Mechanical Polishing)处理而大致平坦。[〇〇48]接着，如图3(b)所示，将基板60的上表面60u与第1金属层50经由绝缘层40而接合。 例如，使绝缘层40接触基板60的上表面60u后，在室温下，且在大气环境下，将基板60相对于绝缘层40按压约10秒钟。由此，基板60的上表面60u与绝缘层40通过自发接合而接合。因此， 基板60的上表面60u与第1金属层50经由绝缘层40而接合。[〇〇49]在本实施方式中，也可在使基板60与第1金属层50经由绝缘层40而接合后，在约 200°C的环境(例如氮气环境、惰性气体环境等)下，对基板60及绝缘层40进行加热。这里，将由基板60与生长基板65夹着的绝缘层40、第1金属层50、半导体发光部15及缓冲层16称为积层体80。在本实施方式中，也可预先准备多个该积层体80,对该多个积层体80—次性地进行约200°C的加热处理。由此，约200°C的加热处理中的每一个芯片(单片化后的一个半导体发光元件)的加热时间大幅度缩短。
[0050]然后，将生长基板65从缓冲层16去除，进而将缓冲层16从半导体发光部15去除(未图示)。
[0051]接着，如图4(a)所示，通过例如蚀刻，在半导体层10的上表面14形成凸部14p。进而，在金属障壁膜51、半导体发光部15的侧壁15w及与半导体发光部15的侧壁15w相连的半导体发光部15的上表面14的一部分上，形成绝缘层70。
[0052]接着，如图4(b)所示，通过光刻法及RIE(Reactive 1n Etching，反应性离子蚀刻)，在第1半导体层10上，形成第2电极层63。[〇〇53] 接着，如图5(a)所示，在基板60的下表面60d，通过光刻法及RIE将掩模层90进行图案化。[〇〇54] 接着，如图5(b)所示，通过RIE对从掩模层90露出的基板60的下表面60d进行蚀刻。 由此，在基板60及绝缘层40,形成从基板60的下表面60d延伸到第1金属层50的贯通孔62。然后，如图1所示，形成与基板60的下表面60d、贯通孔62的内壁62w及第1金属层50相接的第1 电极层61。进而，在基板60、绝缘层40、第1金属层50及绝缘层70进行切割处理，而将晶片状态的基板60单片化。[〇〇55]这里，假定连接基板60与第1金属层50的接合材并非绝缘层40,而是铜(Cu)等金属层的情况。[〇〇56]在该情况下，金属的热膨胀率与基板60的热膨胀率的差大于绝缘层40的热膨胀率与基板60的热膨胀率的差。由此，存在基板60翘曲的情况。如果基板60翘曲，便会对半导体发光部15施加应力，而在半导体发光部15内产生因结晶应变而导致的缺陷。另外，如果基板 60翘曲，那么基板60会变得难以被搬送臂抓持。
[0057]另外，金属层的接合材是将设置在基板60侧的金属层、与设置在半导体发光部15 侧的两个金属层贴合而成的层。这里，如果贴合之前的两个金属层的对向面明显成为凹凸， 那么贴合之后，会在接合材内产生孔隙。如果产生孔隙，那么会存在接合材以孔隙为起点开裂的情况。另外，两个金属层的贴合是在减压下通过数十分钟的加热处理而进行，因此，接合步骤所需的时间变长。
[0058]另外，在对半导体发光元件1进行单片化时，使用切割刀。但是，如果切割刀碰撞到与基板60(例如硅基板)材料不同的金属层，那么切割刀的磨损会变快。如果金属嵌入到切割刀，便会存在切割刀的切断力变差，而在基板60产生修整不良的情况。[〇〇59]相对于此，在第1实施方式中，连接基板60与第1金属层50的接合材为绝缘层40。 [〇〇6〇]因此，绝缘层40的热膨胀率与基板60的热膨胀率的差小于金属的热膨胀率与基板 60的热膨胀率的差。由此，基板60变得不易翘曲。由此，变得不易对半导体发光部15施加应力，而变得不易在半导体发光部15内产生缺陷。另外，基板60变得易于被搬送臂抓持。
[0061]另外，绝缘层40的表面40u是在通过例如CMP而被大致平坦化后，与基板60接合。因此，在绝缘层40内，不易产生孔隙，而不易在接合材内产生开裂。[〇〇62]另外，绝缘层40与基板60的接合是在大气环境下且在数十秒内结束，因此接合步骤所需的时间大幅度缩短。[〇〇63]另外，绝缘层40(例如氧化硅)包含与基板60 (例如硅基板)相同的元素(例如硅)。 由此，即便切割刀与绝缘层40碰撞，切割刀也不易磨损。另外，消除了金属嵌入到切割刀的情况，维持切割刀的切断力，而不易在基板60产生修整不良。
[0064](第2实施方式)
[0065]图6(a)是表示第2实施方式的半导体发光元件的主要部分的示意性剖视图，图6 (b)是表示具有第2实施方式的半导体发光元件的发光装置的主要部分的示意性剖视图。 [〇〇66]在图6(a)所示的半导体发光元件2中，第1电极层61是从基板60的下表面60d与基板60的和下表面60d及上表面60u相连的侧面60w(第3面)相接。设置在该侧面60w的第1电极层61除了作为电极发挥功能以外，还作为光反射膜发挥功能。
[0067]例如，在图6(b)中表示设置着半导体发光元件2的发光装置100。半导体发光元件2 还具备第2金属层64。第2金属层64是介隔第1电极层61而设置在基板60的下表面60d及贯通孔62内。第2金属层64电连接在第1电极层61。
[0068]半导体发光元件2搭载在树脂壳体101内。在树脂壳体101内的侧壁101w的至少一部分及底部10 lb的至少一部分，设置着反射器103。反射器103反射从发光层30放出的光。该光是通过反射器103例如被全反射或以高反射率被反射。反射器103的材料或构造并无特别限定。反射器103的材料可为具有高反射特性的金属。另外，为了能够高效率地全反射，也可为吸收率低、折射率低的介电体或介电体积层构造，也可为实施了光学设计的微细构造，还可为这些组合而成的构造。
[0069]在发光装置100中，在从发光层30放出并经反射器103反射的光射向基板60的侧面 60w时，通过设置在侧面60w的第1电极层61，光再次被反射。也就是说，经反射器103反射的光变得不易被基板60吸收。由此，变得易于将经反射器103反射的光从树脂壳体101提取到外部，而使发光效率进一步提高。另外，在树脂壳体101内，也可分散着使该光散射的粒子。 另外，在发光装置100中，也可设置半导体发光元件1。
[0070]在实施方式中，所谓“氮化物半导体”包含在BxInyAlzGaity-zN(0 S xS 1，0 Sy S 1， 〇 $ d x+y+z S 1)的化学式中使组成比x、y及z在各自的范围内变化而成的所有组成的半导体。另外，进而，在所述化学式中还包含除N(氮)以外的V族元素的半导体、还包含为了控制导电型等各种物性而添加的各种元素的半导体、及还包含预想之外所包含的各种元素的半导体，也包含在“氮化物半导体”内。
[0071]以上，一边参照具体例，一边对实施方式进行了说明。但是，实施方式并不限定于这些具体例。也就是说，业者对这些具体例适当施加设计变更而成的构成，只要具备实施方式的特征，便也包含在实施方式的范围内。所述各具体例所具备的各要素及其配置、材料、 条件、形状、尺寸等并非限定于所例示的构成，可适当进行变更。
[0072]另外，所述各实施方式所具备的各要素只要技术上可行便能够复合，将这些要素组合而成的构成，只要包含实施方式的特征，便也包含在实施方式的范围内。除此以外，在实施方式的思想范畴内，只要为业者，理应能够想到各种变更例及修正例，应明白这些变更例及修正例也属于实施方式的范围。
[0073]对本发明的若干个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而提出的， 并未意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能以其它各种方式实施，且能在不脱离发明主旨的范围内，进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变化包含在发明的范围或主旨内，并且包含在权利要求书所记载的发明及其均等的范围内。
[0074][符号的说明]
[0075]1、2半导体发光元件
[0076]1〇第1半导体层
[0077]14上表面
[0078]14p凸部[〇〇79]15半导体发光部
[0080]15w侧壁[0081 ]16缓冲层
[0082]20第2半导体层
[0083]30发光层
[0084]40绝缘层
[0085]40u表面
[0086]50第1金属层[〇〇87]51金属障壁膜[〇〇88]52金属反射膜
[0089]60基板
[0090]60d下表面[0091 ]60u上表面[0〇92]60w侧面
[0093]61第1电极层
[0094]62贯通孔
[0095]62w内壁[〇〇96]63第2电极层[〇〇97]64第2金属层
[0098]65生长基板
[0099]70绝缘层
[0100]80积层体
[0101]90掩模层
[0102]100发光装置
[0103]101树脂壳体
[0104]101b底部
[0105]101w侧壁[〇1〇6]103反射器
【主权项】
1.一种半导体发光元件，其特征在于具备:基板，具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2面；绝缘层，设置在所述基板的所述第2面上；第1金属层，设置在所述绝缘层上；半导体发光部，设置在所述第1金属层上，且包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型 的第2半导体层及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层，且所述第2半 导体层电连接在所述第1金属层上；以及第1电极层，设置在所述基板的所述第1面，并且一部分与所述基板及所述绝缘层接触， 且电连接在所述第1金属层上。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于:所述绝缘层的热膨胀系数与所 述基板的热膨胀系数的差小于金属的热膨胀系数与所述基板的热膨胀系数的差。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于:所述绝缘层与所述基板包含相 同元素，且所述绝缘层包含所述元素的氧化物。4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于:所述元素为硅。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于:所述第1电极层是 与所述基板的和所述第1面及所述第2面相连的第3面相接。6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于:在所述基板及所 述绝缘层，设置从所述基板的所述第1面延伸到所述第1金属层的贯通孔，且所述第1电极层与所述基板的所述第1面、所述贯通孔的内壁、及所述第1金属层相接， 且所述半导体发光元件还具备第2金属层，所述第2金属层介隔所述第1电极层而设置在 所述基板的所述第2面及所述贯通孔内。7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于还具备设置在所述 第1半导体层上的第2电极层。8.—种半导体发光元件的制造方法，其特征在于具备如下步骤:在第1基板上，介隔缓冲层形成半导体发光部，所述半导体发光部包含第1导电型的第1 半导体层、第2导电型的第2半导体层及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的 发光层，且所述第1半导体层与所述缓冲层相接；在所述第2半导体层上，形成与所述第2半导体层相接的第1金属层；在所述第1金属层上，形成绝缘层；以及将具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2面的第2基板的所述第2面与绝缘层接合。9.根据权利要求8所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于:在将所述第2面与 所述绝缘层接合之前，对所述绝缘层的与所述第2基板对向的面进行研磨。10.根据权利要求8或9所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于:在将所述第1金属层与所述第2基板经由所述绝缘层接合后，还具备如下步骤:从所述缓冲层去除所述第1基板；从所述第1半导体层去除所述缓冲层；在所述第2基板及所述绝缘层，形成从所述第2基板的所述第1面延伸到所述第1金属层 的贯通孔；以及形成与所述基板的所述第1面、所述贯通孔的内壁及所述第1金属层相接的第1电极层。
【文档编号】H01L33/44GK105990473SQ201510854341
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年11月30日
【发明人】森健太郎, 铃木健之, 松尾美惠, 关口正博, 加贺广持
【申请人】株式会社东芝