一种集成大功率半导体三极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及三极管领域，特别是一种集成大功率半导体三极管。
【背景技术】
[0002]目前，半导体三级管在电子领域得到了广泛的应用，已被应用到各种驱动电路中，但是考虑到三极管的制作成本和线路板空间问题，三极管制造厂商在制作三极管时会将三极管外围保护元件省略，或者采用集成的方式来解决；而前者很容易使三极管受到较大冲击，导致三极管损坏，只能在电流较低的场合使用，限制了三极管使用的范围；而后者则因为大功率的晶体管发热量较大，集成元件的散热性能较差，也会影响到晶体管或设备的稳定性，因此散热技术在此显得尤为重要。
[0003]目前，国内普遍的做法是将晶体管的集电极作为散热基板，在使用过程中采用云母片或者涤纶薄膜覆导热硅脂贴于功率器件与散热器之间。这种绝缘方式导致热阻大幅度增加，使散热和导热效率严重降低，且稳定性较差。
[0004]特别是当三极管应用环境较为恶劣时，普通的三极管难以满足需求，尤其是在高温、高湿、高粉尘的情况下，容易产生漏电、短路等故障。
[0005]因此，一种散热效果好、集成封装了保护电路和元件的大功率半导体三极管产品亟待开发。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供的一种集成大功率半导体三极管，该三极管采用了导热树脂层作为散热绝缘层，封装外壳为密集型微深槽散热结构，大大提高了集成模块的散热效率，同时不增加封装模块的体积。
[0007]为了实现上述目的，本实用新型所设计的一种集成大功率半导体三极管，包括芯片、底板、引线、引脚和微型散热片，所述芯片固定于所述底板的上方，所述引脚通过引线与所述芯片相连接，所述芯片固定在所述微型散热片下方，所述微型散热片和芯片之间设置有导热树脂层，所述芯片内设置有半导体三极管和三极管保护电路，所述引脚设置有三个，其中一个引脚与所述微型散热片直接相连，另外两个通过引线与所述芯片相连接。
[0008]更进一步的，一种集成大功率半导体三极管，所述导热树脂层厚度为100~300 μπι。
[0009]更进一步的，一种集成大功率半导体三极管，所述三极管保护电路包括稳压1C、电阻、电容和二极管。
[0010]更进一步的，一种集成大功率半导体三极管，所述微型散热片设置有密集的微型槽。
[0011]本实用新型得到的一种集成大功率半导体三极管，该三极管集成了稳压1C、电阻、电容和二极管，构成了三极管的外围保护电路，使三极管在大功率电路的应用中表现的性能更加稳定，延长了使用寿命，同时，通过采用微型散热片一体集成的方式实现了集成元件在大功率电路使用条件下高效散热的问题；在微型散热片和芯片之间采用了导热树脂层作为绝缘散热层，替代了传统的云母片或陶瓷片，使成本更低，且元件重量减轻。
[0012]本实用新型的优点在于:该三极管采用了导热树脂层作为散热绝缘层，封装外壳为密集型微深槽散热结构，大大提高了集成模块的散热效率，同时不增加封装模块的体积。
【附图说明】
[0013]图1是实施例的结构示意图。
[0014]图中:芯片1、底板2、引线3、引脚4、微型散热片5、导热树脂层6、微型槽7。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0016]实施例:
[0017]如图所示，一种集成大功率半导体三极管，包括芯片1、底板2、引线3、引脚4和微型散热片5，所述芯片1固定于所述底板2的上方，所述引脚4通过引线3与所述芯片1相连接，所述芯片1固定在所述微型散热片5下方，所述微型散热片5和芯片1之间设置有导热树脂层6，所述芯片1内设置有半导体三极管和三极管保护电路，所述引脚4设置有三个，其中一个引脚与所述微型散热片5直接相连，另外两个通过引线与所述芯片1相连接。
[0018]所述导热树脂层6厚度为100~300 μ m，所述三极管保护电路包括稳压1C、电阻、电容和二极管，所述微型散热片5设置有密集的微型槽7。
[0019]本实施例得到的一种集成大功率半导体三极管，该三极管集成了稳压1C、电阻、电容和二极管，构成了三极管的外围保护电路，使三极管在大功率电路的应用中表现的性能更加稳定，延长了使用寿命，同时，通过采用微型散热片一体集成的方式实现了集成元件在大功率电路使用条件下高效散热的问题；在微型散热片和芯片之间采用了导热树脂层作为绝缘散热层，替代了传统的云母片或陶瓷片，使成本更低，且元件重量减轻。
[0020]本实施例的优点在于:该三极管采用了导热树脂层作为散热绝缘层，封装外壳为密集型微深槽散热结构，大大提高了集成模块的散热效率，同时不增加封装模块的体积。
[0021]对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，其架构形式能够灵活多变，只是做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。
【主权项】
1.一种集成大功率半导体三极管，包括芯片(1)、底板(2)、引线(3)、引脚(4)和微型散热片(5)，其特征在于:所述芯片(1)固定于所述底板(2)的上方，所述引脚(4)通过引线(3)与所述芯片(1)相连接，所述芯片(1)固定在所述微型散热片(5)下方，所述微型散热片(5)和芯片(1)之间设置有导热树脂层(6)，所述芯片(1)内设置有半导体三极管和三极管保护电路，所述引脚(4)设置有三个，其中一个引脚与所述微型散热片(5)直接相连，另外两个通过引线与所述芯片(1)相连接。2.根据权利要求1所述的一种集成大功率半导体三极管，其特征在于:所述导热树脂层(6)厚度为 100~300 μπι。3.根据权利要求1所述的一种集成大功率半导体三极管，其特征在于:所述三极管保护电路包括稳压1C、电阻、电容和二极管。4.根据权利要求1所述的一种集成大功率半导体三极管，其特征在于:所述微型散热片(5)设置有密集的微型槽(7)。
【专利摘要】本实用新型公开了一种集成大功率半导体三极管，一种集成大功率半导体三极管，包括芯片、底板、引线、引脚和微型散热片，所述芯片固定于所述底板的上方，所述引脚通过引线与所述芯片相连接，所述芯片固定在所述微型散热片下方，所述微型散热片和芯片之间设置有导热树脂层，所述芯片内设置有半导体三极管和三极管保护电路，所述引脚设置有三个，其中一个引脚与所述微型散热片直接相连，另外两个通过引线与所述芯片相连接。本实用新型的优点在于：该三极管采用了导热树脂层作为散热绝缘层，封装外壳为密集型微深槽散热结构，大大提高了集成模块的散热效率，同时不增加封装模块的体积。
【IPC分类】H01L23/34, H01L23/373
【公开号】CN205016511
【申请号】CN201520819285
【发明人】许霞林
【申请人】深圳市九鼎安电子有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年10月22日