半导体集成电路以及振荡系统的制作方法
【专利摘要】半导体集成电路具备输入与第一端子连接、输出端与第二端子连接、生成振荡信号、其增益根据增益控制信号而变化的反转放大器。半导体集成电路具备将振荡信号的波形成形并将时钟信号向时钟输出端子输出的波形成形电路。半导体集成电路具备检测上述时钟信号的边缘、在上述边缘的定时输出上述增益控制信号的边缘检测电路。
【专利说明】半导体集成电路以及振荡系统
[0001]本申请以2013年9月11日申请的日本专利申请第2013 — 188380号为基础并要求其优先权，其内容整体通过引用包含在此。
【技术领域】
[0002]本发明的实施方式涉及半导体集成电路以及振荡系统。
【背景技术】
[0003]以往的晶体振荡器的振荡系统具备例如在通过反馈电阻施加了正反馈的反相放大器的输入输出间连接有晶体振荡器的振荡电路。在该晶体振荡器的两端与地线之间分别连接负载电容。
[0004]这里，振荡电路的消耗电流由负载电容的值和振荡强度决定，为了使需要大电容值的负载电容的晶体振荡器稳定地动作，需要较多的消耗电流。
[0005]但是，即使是使用只需要小电容值的负载电容的晶体振荡器的情况，反相器(inverter)、电阻的值也是固定的,需要较多的消耗电流。
【发明内容】
[0006]实施方式提供一种可降低消耗电流的半导体集成电路以及振荡系统。
[0007]实施方式的半导体集成电路，适用于振荡系统，对晶体振荡器的振荡进行控制，上述振荡系统具备:第一负载电容，一端与地线连接，另一端与第一端子连接；第二负载电容，一端与上述地线连接，另一端与第二端子连接；以及上述晶体振荡器，一端与上述第一负载电容的另一端连接，另一端与上述第二负载电容的另一端连接；该半导体集成电路的特征在于，具备:反转放大器，输入端与上述第一端子连接，输出端与上述第二端子连接，生成振荡信号，反转放大器的增益根据增益控制信号而变化；波形成形电路，将上述振荡信号的波形成形并将时钟信号向时钟输出端子输出；以及边缘检测电路，检测上述时钟信号的边缘，在上述边缘的定时输出上述增益控制信号；上述边缘检测电路，在上述第一负载电容及上述第二负载电容的电容值为预先设定的判定阈值以上的情况下，输出将上述反转放大器的增益设定为第一值的上述增益控制信号，另一方面，在上述电容值小于上述判定阈值的情况下，输出将上述反转放大器的增益设定为比上述第一值低的第二值的上述增益控制信号。
[0008]此外，实施方式提供一种振荡系统，其特征在于，具备:一端与地线连接、另一端与第一端子连接的第一负载电容；一端与上述地线连接、另一端与第二端子连接的第二负载电容；一端与上述第一负载电容的另一端连接、另一端与上述第二负载电容的另一端连接的晶体振荡器；以及控制上述晶体振荡器的振荡的半导体集成电路；上述半导体集成电路具备:输入端与上述第一端子连接、输出端与上述第二端子连接、生成振荡信号、其增益根据增益控制信号而变化的反转放大器；将上述振荡信号的波形成形并将时钟信号向时钟输出端子输出的波形成形电路；检测上述时钟信号的边缘、在上述边缘的定时输出上述增益控制信号的边缘检测电路；上述边缘检测电路，在上述第一负载电容及上述第二负载电容的电容值为预先设定的判定阈值以上的情况下，输出将上述反转放大器的增益设定为第一值的上述增益控制信号，另一方面，在上述电容值小于上述判定阈值的情况下，输出将上述反转放大器的增益设定为比上述第一值低的第二值的上述增益控制信号。
[0009]根据实施方式，能够提供一种可降低消耗电流的半导体集成电路以及振荡系统。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是表不第一实施方式的振荡系统100的构成的一例的电路图。
[0011]图2是表第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值为预先设定的判定阈值以上的情况下的、电源电压VDD和增益控制信号GS的一例的波形图。
[0012]图3是表第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值小于预先设定的判定阈值的情况下的、电源电压VDD和增益控制信号GS的一例的波形图。
[0013]图4是表示第二实施方式的振荡系统200的构成的一例的电路图。
[0014]图5是表示图4所示的辅助反相器IN2的电路构成的一例的电路图。
【具体实施方式】
[0015]以下，基于附图对实施例进行说明。
[0016]【第一实施方式】
[0017]图1是表不第一实施方式的振荡系统100的构成的一例的电路图。
[0018]如图1所不,振荡系统100具备第一负载电容Cl、第二负载电容C2、晶体振荡器CY和半导体集成电路LS。
[0019]第一负载电容Cl的一端被接地连接,另一端与第一端子Tl连接。
[0020]第二负载电容C2的一端被接地连接，另一端与第二端子T2连接。
[0021]晶体振荡器CY的一端与第一负载电容Cl的另一端连接,另一端与上述第二负载电容C2的另一端连接。
[0022]半导体集成电路LS应用于振荡系统100，对晶体振荡器CY的振荡进行控制。
[0023]这里，半导体集成电路LS例如如图1所示，具备反转放大器IA、波形成形电路X、边缘检测电路DE和电容检测电路DC。另外，如后所述，从外部供给电容信息信号SC的情况下，也可以将电容检测电路DC省略。
[0024]此外，反转放大器IA的输入端与第一端子Tl连接，输出端与第二端子T2连接。该反转放大器IA生成振荡信号0SC，其增益根据增益控制信号GS而变化。
[0025]此外，波形成形电路X向时钟输出端子TCLK输出将振荡信号OSC的波形成形的时钟信号CLK。
[0026]该波形成形电路X例如如图1所不，是输入端被输入振荡信号0SC、从输出端将时钟信号CLK输出的反相器。
[0027]此外，电容检测电路DC检测第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值，将规定该电容值为判定阈值以上或小于判定阈值的电容信息信号SC输出。另外，电容信息信号SC例如也可以从半导体集成电路LS的外部经由电容信息端子TC而供给到边缘检测电路DE。该情况下，电容检测电路DC可以省略。
[0028]此外，边缘检测电路DE检测时钟信号CLK的边缘。此外，边缘检测电路DE根据电容信息信号SC来生成增益控制信号GS,该电容信息信号SC对第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值为判定阈值以上或小于判定阈值进行规定。
[0029]这里，例如，在第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值为预先设定的判定阈值以上的情况下，边缘检测电路DE在检测到时钟信号CLK的边缘的定时，输出将反转放大器IA的增益设定为第一值的增益控制信号GS。
[0030]另一方面，在所述的电容值小于判定阈值的情况下，边缘检测电路DE在检测到时钟信号CLK的边缘的定时，输出将反转放大器IA的增益设定为比第一值低的第二值的增益控制信号GS。
[0031]另外，该边缘检测电路DE例如在对半导体集成电路LS供给的电源的启动时，输出将反转放大器IA的增益设定为第一值的增益控制信号GS。
[0032]该边缘检测电路DE例如如图1所示，是向数据端子D输入电容检测信号、向时钟端子C输入时钟信号CLK、从输出Q输出增益控制信号GS的触发器电路。
[0033]这里,前述的反转放大器IA例如如图1所示,具有反相器(inverter) IN、反馈电阻RF、第一阻尼(damping)电阻RD1、第二阻尼电阻RD2和开关元件SW。
[0034]反相器IN的输入端与第一端子Tl连接,输出振荡信号0SC。
[0035]反馈电阻RF的一端与反相器IN的输入端连接，另一端与反相器IN的输出端连接。
[0036]第一阻尼电阻RDl的一端与反相器IN的输出端连接，另一端与第二端子T2连接。
[0037]第二阻尼电阻RD2在反相器IN的输出端和第二端子T2之间与第一阻尼电阻RDl并联连接。
[0038]开关元件SW在反相器IN的输出端和第二端子T2之间与第二阻尼电阻RD2串联连接。该开关元件SW的接通/断开根据增益控制信号GS而被控制。
[0039]这里，例如，开关元件SW在前述的电容值为判定阈值以上的情况下，根据增益控制信号GS，被控制为维持接通状态。
[0040]由此，在使用需要大电容值的第一、第二负载电容Cl、C2的晶体振荡器CY的情况下，第一阻尼电阻RDl和第二阻尼电阻RD2被并联连接从而使阻尼电阻的值较小。由此，维持使振荡强度提高的状态(反转放大器IA的增益被设定为第一值)。
[0041]另一方面，开关元件SW在前述的电容值小于判定阈值的情况下，根据增益控制信号GS，被控制为断开状态。
[0042]由此，在使用只需要小电容值的第一、第二负载电容Cl、C2的晶体振荡器CY的情况下，使第一阻尼电阻RDl作为阻尼电阻进行工作。由此，切换为使振荡强度降低了的状态(反转放大器IA的增益变化为比第一值低的第二值)。由此，能够抑制反转放大器IA的消耗电流。
[0043]另外，开关元件SW例如在对半导体集成电路LS供给的电源的启动时，根据增益控制信号GS，被控制为接通状态。
[0044]由此，在对半导体集成电路LS供给的电源启动时，控制为使振荡强度提高的状态(反转放大器IA的增益被控制为第一值)。
[0045]这里，如前述那样，在前述的电容值小于判定阈值的情况下，边缘检测电路DE在检测到时钟信号CLK的边缘的定时，输出将反转放大器IA的增益设定为比第一值低的第二值的增益控制信号GS。
[0046]由此，反转放大器IA的增益的切换的定时对振荡信号OSC始终成为相同的定时(振荡信号OSC的零交叉点)。因而，能够防止反转放大器IA的切换时的不稳定动作。
[0047]特别是，触发器电路的输出(增益控制信号GS)与振荡信号0SC(时钟信号CLK)同步变化。由此，对于振荡信号OSC的一周期，能够始终在相同的定时(振荡信号OSC的零交叉点)切换反转放大器IA的增益。
[0048]接着，对具有以上那样的构成的振荡系统100的动作的一例进行说明。这里，图2是表第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值为预先设定的判定阈值以上的情况下的、电源电压VDD和增益控制信号GS的一例的波形图。此外，图3是表示第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值小于预先设定的判定阈值的情况下的、电源电压VDD和增益控制信号GS的一例的波形图。
[0049]如图2所示，例如，第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值为预先设定的判定阈值以上的情况下，当在时刻t0接通电源时，电源电压VDD上升。与该电源电压VDD的上升同步，增益控制信号GS的电压电平也上升。并且，当增益控制信号GS的电压电平成为“H”电平时(时刻tl)，开关元件SW接通。由此，反转放大器IA的增益被设定为前述的第一值。
[0050]这样，边缘检测电路DE例如在对半导体集成电路LS供给的电源启动时，输出将反转放大器IA的增益设定为第一值的增益控制信号GS。
[0051]然后，例如，由于第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值为预先设定的判定阈值以上，因此边缘检测电路DE在检测到时钟信号CLK的边缘的定时(时刻t2)，输出将反转放大器IA的增益设定为第一值的增益控制信号GS。
[0052]通过以上，在使用需要大电容值的第一、第二负载电容Cl、C2的晶体振荡器CY的情况下，将第一阻尼电阻RDl和第二阻尼电阻RD2并联连接而使阻尼电阻的值较小。由此，维持使振荡强度提高的状态(反转放大器IA的增益被设定为第一值)。
[0053]此外，如图3所示，例如，第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值小于预先设定的判定阈值的情况下，当在时刻t0接通电源时，电源电压VDD上升。与该电源电压VDD的上升同步，增益控制信号GS的电压电平也上升。并且，当增益控制信号GS的电压电平成为“H”电平时(时刻tl)，开关元件SW接通。由此，反转放大器IA的增益被设定为前述的第一值。
[0054]然后，例如，由于第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值小于预先设定的判定阈值，因此边缘检测电路DE在检测到时钟信号CLK的边缘的定时(时刻t2)，输出将反转放大器IA的增益设定为比第一值低的第二值的增益控制信号GS (电压电平为“L”电平)。
[0055]通过以上，在使用只需要小电容值的第一、第二负载电容Cl、C2的晶体振荡器CY的情况下，使第一阻尼电阻RDl作为阻尼电阻进行工作。由此，切换为使振荡强度降低的状态(反转放大器IA的增益变化为第二值)。由此，能够抑制反转放大器IA的消耗电流。
[0056]如以上那样，根据本第一实施方式的半导体集成电路LS，能够降低消耗电流。
[0057]【第二实施方式】
[0058]图4是表示第二实施方式的振荡系统200的构成的一例的电路图。另外，该图4中，与图1相同的附图标记表示与第一实施方式相同的构成，将说明省略。
[0059]如图4所不,振荡系统200与前述的第一实施方式同样,具备第一负载电容Cl、第二负载电容C2、晶体振荡器CY和半导体集成电路LS。
[0060]这里，反转放大器IA例如如图4所示，具有反相器IN1、辅助反相器IN2和阻尼电阻RD。
[0061]反相器INl的输入端与第一端子Tl连接,输出振荡信号0SC。
[0062]辅助反相器IN2的输入Ta被输入增益控制信号GS,输入Tb与反相器INl的输入端连接，输出Tc与反相器INl的输出端连接。
[0063]该辅助反相器IN2例如在第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值为判定阈值以上的情况下，根据增益控制信号GS，维持驱动状态。
[0064]另一方面，辅助反相器IN2在第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值小于判定阈值的情况下，根据增益控制信号GS，将驱动停止。
[0065]另外，辅助反相器IN2例如在对半导体集成电路LS供给的电源的启动时，根据增益控制信号GS，被控制为驱动状态。
[0066]反馈电阻RF的一端与反相器INl的输入端连接，另一端与反相器INl的输出端连接。
[0067]阻尼电阻RD的一端与反相器INl的输出端连接，另一端与第二端子T2连接。
[0068]这里，图5是表示图4所示的辅助反相器IN2的电路构成的一例的电路图。
[0069]如图5所示，辅助反相器IN2例如具有第一 pMOS晶体管Mp 1、第二 pMOS晶体管Mp2、第三pMOS晶体管Mp3、第一 nMOS晶体管Mnl、第二 nMOS晶体管Mn2和第三nMOS晶体管 Mn3。
[0070]第一 pMOS晶体管Mpl的源极与供给电源电压VDD的电源端子TVDD连接，栅极被供给上述增益控制信号GS。
[0071]第一 nMOS晶体管Mnl的源极被接地连接，漏极与第一 pMOS晶体管Mpl的漏极连接，栅极被供给上述增益控制信号GS。
[0072]第二 pMOS晶体管Mp2的源极与电源端子TVDD连接，栅极与第一 pMOS晶体管Mpl的漏极连接。
[0073]第三pMOS晶体管Mp3的源极与第二 pMOS晶体管Mp2的漏极连接，漏极与反相器INl的输出端连接，栅极与上述第一端子Tl连接。
[0074]第二 nMOS晶体管Mn2的源极被接地连接，栅极与上述第一 nMOS晶体管Mnl的栅极连接。
[0075]第三nMOS晶体管Mn3的源极与第二 nMOS晶体管Mn2的漏极连接，漏极与反相器INl的输出端连接，栅极与第一端子Tl连接。
[0076]这里，例如，第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值为判定阈值以上的情况下，增益控制信号GS成为“H”电平。由此，第二 pMOS晶体管Mp2和第二 nMOS晶体管Mn2导通。由此，第三pMOS晶体管Mp3和第三nMOS晶体管Mn3作为反相放大器发挥功能。因而，辅助反相器IN2将向输入Tb供给的信号反转并放大,从输出Tc输出。
[0077]这样，在使用需要大电容值的第一、第二负载电容Cl、C2的晶体振荡器CY的情况下，反相器INl和辅助反相器IN2同时动作。由此，控制为使振荡强度提高(反转放大器IA的增益被设定为第一值)。
[0078]另一方面，第一负载电容Cl及第二负载电容C2的电容值小于判定阈值的情况下，增益控制信号GS成为“L”电平。由此，第二 pMOS晶体管Mp2和第二 nMOS晶体管Mn2截止。由此，第三PMOS晶体管Mp3和第三nMOS晶体管Mn3不作为反相放大器发挥功能。因而，辅助反相器IN2不将向输入Tb供给的信号反转放大并从输出Tc输出。
[0079]这样，在使用只需要小电容值的第一、第二负载电容Cl、C2的晶体振荡器CY的情况下，辅助反相器IN2停止动作。由此，切换为使振荡强度降低的状态(反转放大器IA的增益变化为第二值)。由此，能够抑制反转放大器IA的消耗电流。
[0080]另外，半导体集成电路200的其他构成与第一实施方式的半导体集成电路100相同。此外,半导体集成电路200的其他动作与第一实施方式的半导体集成电路100相同。
[0081]即，根据本第二实施方式的半导体集成电路，与第一实施方式同样，能够降低消耗电流。
[0082]对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提示的，并不意欲限定发明的范围。这些新的实施方式可以以其他各种形态实施，在不脱离发明主旨的范围内，能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围及主旨中，并且包含在权利要求所记载的发明及其等价的范围内。
【权利要求】
1.一种半导体集成电路，适用于振荡系统，对晶体振荡器的振荡进行控制，上述振荡系统具备: 第一负载电容，一端与地线连接，另一端与第一端子连接； 第二负载电容，一端与上述地线连接，另一端与第二端子连接；以及上述晶体振荡器，一端与上述第一负载电容的另一端连接，另一端与上述第二负载电容的另一端连接； 该半导体集成电路的特征在于，具备: 反转放大器，输入端与上述第一端子连接，输出端与上述第二端子连接，生成振荡信号，反转放大器的增益根据增益控制信号而变化； 波形成形电路，将上述振荡信号的波形成形并将时钟信号向时钟输出端子输出；以及 边缘检测电路，检测上述时钟信号的边缘，在上述边缘的定时输出上述增益控制信号； 上述边缘检测电路，在上述第一负载电容及上述第二负载电容的电容值为预先设定的判定阈值以上的情况下，输出将上述反转放大器的增益设定为第一值的上述增益控制信号，另一方面，在上述电容值小于上述判定阈值的情况下，输出将上述反转放大器的增益设定为比上述第一值低的第二值的上述增益控制信号。
2.如权利要求1记载的半导体集成电路，其特征在于， 上述反转放大器具备: 反相器，输入端与上述第一端子连接，输出上述振荡信号； 反馈电阻，一端与上述反相器的输入端连接，另一端与上述反相器的输出端连接； 第一阻尼电阻，一端与反相器的输出端连接，另一端与上述第二端子连接； 第二阻尼电阻，在上述反相器的输出端和上述第二端子之间，与上述第一阻尼电阻并联连接；以及 开关元件，在上述反相器的输出端和上述第二端子之间，与上述第二阻尼电阻串联连接，根据上述增益控制信号，接通及断开被控制， 上述开关元件，在上述电容值为上述判定阈值以上的情况下，根据上述增益控制信号，被控制为接通状态，另一方面，在上述电容值小于上述判定阈值的情况下，根据上述增益控制信号，被控制为断开状态。
3.如权利要求2记载的半导体集成电路，其特征在于， 在对上述半导体集成电路供给的电源启动时，上述开关元件根据上述增益控制信号，被控制为接通状态。
4.如权利要求1记载的半导体集成电路，其特征在于， 上述反转放大器具有: 反相器，输入端与上述第一端子连接，输出上述振荡信号； 辅助反相器，输入端与上述反相器的输入端连接，输出端与上述反相器的输出端连接； 反馈电阻，一端与上述反相器的输入端连接，另一端与上述反相器的输出端连接；以及 阻尼电阻，一端与反相器的输出端连接，另一端与上述第二端子连接； 上述辅助反相器，在上述电容值为上述判定阈值以上的情况下，根据上述增益控制信号进行驱动，另一方面，在上述电容值小于上述判定阈值的情况下，根据上述增益控制信号将驱动停止。
5.如权利要求1记载的半导体集成电路，其特征在于， 上述波形成形电路是输入端被输入上述振荡信号、从输出端将上述时钟信号输出的反相器。
6.如权利要求1记载的半导体集成电路，其特征在于， 对上述第一负载电容及上述第二负载电容的上述电容值为上述判定阈值以上或小于上述判定阈值进行规定的电容信息信号，从上述半导体集成电路的外部经由电容信息端子被供给到上述边缘检测电路。
7.如权利要求1记载的半导体集成电路，其特征在于， 还具备电容检测电路，该电容检测电路检测上述第一负载电容及上述第二负载电容的上述电容值，将规定上述电容值为上述判定阈值以上或小于上述判定阈值的上述电容信息信号输出。
8.如权利要求1记载的半导体集成电路，其特征在于， 在对上述半导体集成电路供给的电源启动时，上述边缘检测电路输出将上述反转放大器的增益设定为上述第一值的上述增益控制信号。
9.如权利要求1记载的半导体集成电路，其特征在于， 上述边缘检测电路，根据对上述第一负载电容及上述第二负载电容的上述电容值为上述判定阈值以上或小于上述判定阈值进行规定的电容信息信号，生成上述增益控制信号。
10.如权利要求9载的半导体集成电路，其特征在于， 上述边缘检测电路是数据端子被输入上述电容检测信号、时钟端子被输入上述时钟信号、从输出端将上述增益控制信号输出的触发器电路。
11.一种振荡系统,其特征在于， 具备: 第一负载电容，一端与地线连接，另一端与第一端子连接； 第二负载电容，一端与上述地线连接，另一端与第二端子连接； 晶体振荡器，一端与上述第一负载电容的另一端连接，另一端与上述第二负载电容的另一端连接；以及 半导体集成电路，控制上述晶体振荡器的振荡； 上述半导体集成电路，具备: 反转放大器，输入端与上述第一端子连接，输出端与上述第二端子连接，生成振荡信号，反转放大器的增益根据增益控制信号而变化； 波形成形电路，将上述振荡信号的波形成形并将时钟信号向时钟输出端子输出；以及 边缘检测电路，检测上述时钟信号的边缘，在上述边缘的定时输出上述增益控制信号； 上述边缘检测电路，在上述第一负载电容及上述第二负载电容的电容值为预先设定的判定阈值以上的情况下，输出将上述反转放大器的增益设定为第一值的上述增益控制信号，另一方面，在上述电容值小于上述判定阈值的情况下，输出将上述反转放大器的增益设定为比上述第一值低的第二值的上述增益控制信号。
12.如权利要求11记载的振荡系统，其特征在于， 上述反转放大器，具有: 反相器，输入端与上述第一端子连接，输出上述振荡信号； 反馈电阻，一端与上述反相器的输入端连接，另一端与上述反相器的输出端连接； 第一阻尼电阻，一端与反相器的输出端连接，另一端与上述第二端子连接； 第二阻尼电阻，在上述反相器的输出端和上述第二端子之间，与上述第一阻尼电阻并联连接；以及 开关元件，在上述反相器的输出端和上述第二端子之间，与上述第二阻尼电阻串联连接，根据上述增益控制信号，接通及断开被控制； 上述开关元件，在上述电容值为上述判定阈值以上的情况下，根据上述增益控制信号，被控制为接通状态，另一方面，在上述电容值小于上述判定阈值的情况下，根据上述增益控制信号，被控制为断开状态。
13.如权利要求12记载的振荡系统，其特征在于， 在对上述半导体集成电路供给的电源启动时，上述开关元件根据上述增益控制信号，被控制为接通状态。
14.如权利要求11记载的振荡系统，其特征在于， 上述反转放大器，具有: 反相器，输入端与上述第一端子连接，输出上述振荡信号； 辅助反相器，输入端与上述反相器的输入端连接，输出端与上述反相器的输出端连接； 反馈电阻，一端与上述反相器的输入端连接，另一端与上述反相器的输出端连接；以及 阻尼电阻，一端与反相器的输出端连接，另一端与上述第二端子连接； 上述辅助反相器，在上述电容值为上述判定阈值以上的情况下，根据上述增益控制信号进行驱动，另一方面，在上述电容值小于上述判定阈值的情况下，根据上述增益控制信号，将驱动停止。
15.如权利要求11记载的振荡系统，其特征在于， 上述波形成形电路是输入端被输入上述振荡信号、从输出端将上述时钟信号输出的反相器。
16.如权利要求11记载的振荡系统，其特征在于， 对上述第一负载电容及上述第二负载电容的上述电容值为上述判定阈值以上或小于上述判定阈值进行规定的电容信息信号，从上述半导体集成电路的外部经由电容信息端子被供给到上述边缘检测电路。
17.如权利要求11记载的振荡系统，其特征在于， 还具备电容检测电路，该电容检测电路检测上述第一负载电容及上述第二负载电容的上述电容值，将规定上述电容值为上述判定阈值以上或小于上述判定阈值的上述电容信息信号输出。
18.如权利要求11记载的振荡系统，其特征在于， 在对上述半导体集成电路供给的电源启动时，上述边缘检测电路输出将上述反转放大器的增益设定为上述第一值的上述增益控制信号。
19.如权利要求11记载的振荡系统，其特征在于， 上述边缘检测电路，根据对上述第一负载电容及上述第二负载电容的上述电容值为上述判定阈值以上或小于上述判定阈值进行规定的电容信息信号，生成上述增益控制信号。
20.如权利要求19记载的振荡系统，其特征在于， 上述边缘检测电路是数据端子被输入上述电容检测信号、时钟端子被输入上述时钟信号、从输出端将上述增益控制信号输出的触发器电路。
【文档编号】H03B5/32GK104426480SQ201410446712
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年9月3日 优先权日:2013年9月11日
【发明者】清水博明, 金子晓彦 申请人:株式会社东芝