一类型晶体管器件和所述第二类型晶体管器件中的每个包括在所述负载路径中的二维电子气(2DEG)以及邻近所述2DEG的场板，其中所述第一类型晶体管器件的所述场板连接到所述第一类型晶体管器件的所述控制节点和所述第二负载节点中的一个，并且 其中所述驱动电路被配置为接收表示所述晶体管装置的至少一个负载参数的负载信号并且被配置为基于所述负载信号来对所述至少一个第二类型晶体管器件进行激活和解激活之一。2.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述第一类型晶体管器件和所述至少一个第二类型晶体管器件被集成在公共半导体主体中。3.根据权利要求2所述的电子电路，其中所述第一类型晶体管器件的所述DEG与所述至少一个第二类型晶体管器件的2DEG通过绝缘区绝缘。4.根据权利要求3所述的电子电路，其中所述绝缘区包括被破坏的结晶区。5.根据权利要求3所述的电子电路，其中所述绝缘区包括延伸穿过所述DEG的沟槽。6.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述驱动电路被配置为通过将所述至少一个第二类型晶体管器件的所述场板驱动为是浮置的，并且通过驱动所述至少一个第二类型晶体管器件的所述控制节点使得所述至少一个第二类型晶体管器件处于关断状态，来解激活所述至少一个第二类型晶体管器件。7.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述驱动电路被配置为通过将所述至少一个第二类型晶体管器件的所述场板连接到所述至少一个第二类型晶体管器件的所述第二负载节点和所述控制节点中的一个，并且通过根据所述输入信号驱动所述至少一个第二类型晶体管器件的所述控制节点，来激活所述至少一个第二类型晶体管器件。8.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述驱动电路被配置为根据所述输入信号来驱动所述第一类型晶体管器件的所述控制节点。9.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述至少一个负载参数选自由以下构成的组: 穿过所述晶体管装置的负载电流的电流电平； 所述晶体管装置的温度；以及 所述输入信号的切换频率。10.根据权利要求9所述的电子电路，其中所述驱动电路被配置为当所述负载电流的电流电平高于预定义电流阈值时激活所述至少一个第二类型晶体管器件，并且当所述负载电流的所述电流电平处于或低于预定义电流阈值时解激活所述至少一个第二类型晶体管器件。11.根据权利要求9所述的电子电路，其中所述驱动电路被配置为当所述温度的温度水平高于预定义温度阈值时激活所述至少一个第二类型晶体管器件，并且当所述温度的所述温度水平低于所述预定义温度阈值时解激活所述至少一个第二类型晶体管器件。12.根据权利要求9所述的电子电路，其中所述驱动电路被配置为当所述切换频率低于预定义频率阈值时激活所述至少一个第二类型晶体管器件，并且当所述切换频率高于所述预定义频率阈值时解激活所述至少一个第二类型晶体管器件。13.根据权利要求9所述的电子电路，其中所述负载信号表示两个或更多个不同负载参数。14.一种方法，包括: 获得表示包括第一类型晶体管器件和至少一个第二类型晶体管器件的晶体管装置的至少一个负载参数的负载信号； 通过驱动电路接收输入信号；以及 通过所述驱动电路基于所述负载信号对所述至少一个第二类型晶体管器件进行激活和解激活之一， 其中所述第一类型晶体管器件和所述至少一个第二类型晶体管器件中的每个包括控制节点、在第一负载节点和第二负载节点之间的负载路径、在所述负载路径中的二维电子气(2DEG)、以及邻近所述2DEG的场板， 其中所述第一类型晶体管器件和所述至少一个第二类型晶体管器件的所述负载路径并联连接，并且 其中所述第一类型晶体管器件的所述场板连接到所述第一类型晶体管器件的所述控制节点和所述第二负载节点中的一个。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一类型晶体管器件和所述至少一个第二类型晶体管器件被集成到公共半导体主体中。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一类型晶体管器件的所述DEG与所述至少一个第二类型晶体管器件的2DEG通过绝缘区来绝缘。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述绝缘区包括被破坏的结晶区。18.根据权利要求16所述的方法，其中所述绝缘区包括延伸穿过所述DEG的沟槽。19.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一类型晶体管器件和所述至少一个第二类型晶体管器件具有基本上相同的几何器件特性。20.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一类型晶体管器件和所述至少一个第二类型晶体管在从由以下构成的组中选择的至少一个器件特性中是不同的: 漏-源距离； 源-栅距离； 栅-漏距离；以及 阻挡层重叠。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述至少一个第二类型晶体管器件包括比所述第一类型晶体管器件更大的栅-漏距离。22.根据权利要求20所述的方法，其中所述第一类型晶体管器件和所述至少一个第二类型晶体管器件包括不同的阻挡层重叠。23.根据权利要求14所述的方法，其中解激活所述至少一个第二类型晶体管器件包括: 驱动所述至少一个第二类型晶体管器件的所述场板为浮置的；以及驱动所述至少一个第二类型晶体管器件的所述控制节点使得所述至少一个第二类型晶体管器件处于关断状态。24.根据权利要求14所述的方法，其中激活所述至少一个第二类型晶体管器件包括:将所述至少一个第二类型晶体管器件的所述场板连接到所述至少一个第二类型晶体管器件的所述第二负载节点和所述控制节点中的一个；以及 根据所述输入信号驱动所述至少一个第二类型晶体管器件的所述控制节点。25.根据权利要求14所述的方法，还包括: 通过所述驱动电路根据所述输入信号驱动所述第一类型晶体管器件的所述控制节点。26.根据权利要求14所述的方法，其中所述至少一个负载参数选自由以下构成的组: 穿过所述晶体管装置的负载电流的电流电平； 所述晶体管装置的温度；以及 所述输入信号的切换频率。27.根据权利要求26所述的方法，还包括: 当所述负载电流的电流电平高于预定义电流阈值时激活所述至少一个第二类型晶体管器件；以及 当所述负载电流的所述电流电平处于或低于所述预定义电流阈值时解激活所述至少一个第二类型晶体管器件。28.根据权利要求26所述的方法，还包括: 当所述温度的温度水平高于预定义温度阈值时激活所述至少一个第二类型晶体管器件；以及 当所述温度的所述温度水平低于所述预定义温度阈值时解激活所述至少一个第二类型晶体管器件。29.根据权利要求26所述的方法，还包括: 当所述切换频率低于预定义频率阈值时激活所述至少一个第二类型晶体管器件；以及 当所述切换频率高于所述预定义频率阈值时解激活所述至少一个第二类型晶体管器件。30.根据权利要求14所述的方法，其中所述负载信号表示两个或更多个不同负载参数。31.一种电子电路，包括: 具有多个晶体管器件的晶体管装置，每个晶体管器件包括控制节点和在第一负载节点和第二负载节点之间的负载路径，并且具有并联连接的所述负载路径；以及 驱动电路，所述驱动电路耦合到所述多个晶体管器件中的每个的所述控制节点并且被配置为接收输入信号， 其中所述多个晶体管器件中的每个包括在所述负载路径中的二维电子气(2DEG)，以及邻近所述2DEG的场板，并且其中所述驱动电路被配置为接收表示所述晶体管装置的至少一个负载参数的负载信号并且被配置为基于所述负载信号对所述多个晶体管器件中的至少一个进行激活和解激cn
【专利摘要】本发明涉及电子电路和用于操作晶体管装置的方法。一种电子电路包括具有多个晶体管器件的晶体管装置，每个晶体管器件包括控制节点和在第一负载节点和第二负载节点之间的负载路径，并且具有并联连接的负载路径。该电子电路还包括驱动电路，该驱动电路耦合到多个晶体管器件中的每个的控制节点并且被配置为接收输入信号。多个晶体管器件中的每个包括在负载路径中的二维电子气（2DEG），以及邻近该2DEG的场板。驱动电路被配置为接收表示晶体管装置的至少一个负载参数的负载信号并且被配置为基于负载信号对多个晶体管器件中的至少一个进行激活和解激活之一。
【IPC分类】H03K17/56
【公开号】CN104901665
【申请号】CN201510095690
【发明人】O.赫伯伦, W.里格
【申请人】英飞凌科技奥地利有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年3月4日
【公告号】DE102015103103A1, US20150256155