电路板与其制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种电路板与其制作方法，该电路板包含基板、储热元件以及热电元件。储热元件内埋于基板中，并连接于处理器，以与处理器进行热交换。热电元件内埋于基板中，并包含第一金属接面与第二金属接面。第一金属接面连接储热元件，以与储热元件进行热交换。第二金属接面与第一金属接面接合，其中热电元件通过第一金属接面与第二金属接面的间的温度差产生电动势。本发明的电路板为一种埋入式电路板，通过埋入于基板的储热元件以及热电元件达到热回收功能。
【专利说明】
电路板与其制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种电路板，特别涉及一种具有热回收功能的电路板。
【背景技术】
[0002]随着电子计算机效能的提升，电子计算机的功耗也随的增加，这也使得电子计算机的废热积存问题更加明显。为了确保电子计算机的工作可以顺畅，电子计算机的处理器上通常设置有散热结构。散热结构可以将处理器中积存的废热导出，以避免发生因废热囤积在处理器中所产生的热当机现象。
[0003]现今普遍使用的散热结构多为散热片，其中散热片可以通过热对流将处理器产生的热能排出。然而，散热片仅能将处理器所产生的热能排除，而无法对处理器所产生的热能作更妥善的处理。
【发明内容】
[0004]鉴于此，本发明的电路板具有内埋于基板的储热元件以及热电元件，以将处理器产生的热能转换为电能，使得处理器产生的废热能有效被利用。此外，电路板中的储热元件能将处理器在工作时所产生的热能储存于其中。因此，即使处理器停止工作，热电元件仍可以持续将储存在储热元件的热能转换为电能，以提供电能给其他需维持工作的元件。换句话说，本发明的电路板为一种具有热回收功能的埋入式电路板。
[0005]本发明的一个实施方式提供一种电路板，包含基板、储热元件以及热电元件。储热元件内埋于基板中并连接处理器，以与处理器进行热交换。热电元件内埋于基板中，并包含第一金属接面与第二金属接面。第一金属接面连接储热元件，以与储热元件进行热交换。第二金属接面与第一金属接面接合，其中热电元件通过第一金属接面与第二金属接面之间的温度差产生电动势。
[0006]在部分实施方式中，电路板还包含载板。载板设置于储热元件与处理器之间，并包含第一通孔与第一导热柱。第一通孔贯穿载板。第一导热柱设置于第一通孔内，其中储热元件与处理器通过第一导热柱进行热交换。
[0007]在部分实施方式中，基板还包含第一开口以及第二开口。第一开口设置于基板表面，其中储热元件位于第一开口内。第二开口设置于基板的另一表面并相对第一开口，其中载板位于第二开口内。第一开口与第二开口彼此相通，且第一开口的宽度大于第二开口的宽度。
[0008]在部分实施方式中，储热元件还包含外壳、相变化材料以及连接垫。相变化材料填充于外壳内。连接垫设置于外壳，其中热电元件的第一金属接面通过连接垫连接相变化材料。
[0009]在部分实施方式中，基板还包含第一凹槽、第二凹槽、第二通孔以及第二导热柱。第一凹槽设置于基板的表面，其中热电元件位于第一凹槽内。第二凹槽设置于基板的另一表面，其中储热元件位于第二凹槽内，第一凹槽以及第二凹槽彼此相对，且至少部分基板位于储热元件以及热电元件之间。第二通孔设置于储热元件以及热电元件之间的部分基板上。第二导热柱设置于第二通孔内，其中储热元件以及热电元件通过第二导热柱进行热交换。
[0010]在部分实施方式中，储热元件还包含外壳、相变化材料、第三通孔以及第三导热柱。相变化材料填充于外壳内。第三通孔贯穿储热元件。第三导热柱设置于第三通孔内，其中处理器与热电元件的第一金属接面通过第三导热柱进行热交换。
[0011]在部分实施方式中，电路板还包含固定架。固定架设置于第二凹槽，储热元件位于固定架内。储热元件还包含第三凹槽，处理器位于第三凹槽内。基板、固定架、储热元件与处理器的表面为共平面。
[0012]在部分实施方式中，电路板还包含导热单元。导热单元设置于储热元件与处理器之间或储热元件与热电元件之间，其中导热单元由金属、石墨烯或其组合组成。
[0013]本
【发明内容】
的一个方面提供一种具有热回收功能的电路板的制作方法，包含以下步骤。在第一增层介电层形成第一开口，并将储热元件置入第一开口中，以将储热元件埋入第一增层介电层中。在第一增层介电层以及储热元件上设置第一图案化金属层。在第一增层介电层与第一图案化金属层上设置第二增层介电层，其中第二增层介电层具有第二开口，第二开口连接第一开口。在储热元件上以及在第二开口内设置载板，并在第二增层介电层与载板上设置第二图案化金属层。在第二增层介电层或第一增层介电层形成第三开口，并在第三开口中设置热电元件，以将热电元件埋入第二增层介电层中，其中热电元件通过第一图案化金属层与储热元件连接。
[0014]本
【发明内容】
的一个实施方式提供一种具有热回收功能的电路板的制作方法，包含以下步骤。在单层介电层上形成至少一个通孔，并在通孔内设置导热柱。增层单层介电层以形成基板。分别在基板的相对两表面形成第一凹槽以及第二凹槽，其中单层介电层位于第一凹槽以及第二凹槽之间。在第一凹槽设置热电元件，以将热电元件埋入于多层介电层之中，其中热电元件与导热柱连接。在储热元件形成至少另一个通孔，并在另一通孔内填充另一导热柱。在储热元件上设置处理器，其中处理器连接于另一导热柱。在第二凹槽设置储热元件与处理器，以将储热元件埋入于基板的中，其中储热元件位于处理器与热电元件之间。
[0015]综上所述，本发明的电路板为一种埋入式电路板，其具有内埋于基板的储热元件以及热电元件。储热元件用于储存处理器产生的废热。热电元件用于将储热元件储存的热能转换为电能。因此，当处理器设置于电路板上并开始工作后，在处理器产生的热能将被储存并传导至热电元件转换为电能，以达到热回收的功能。此外，由于储热元件可以将热能储存于其中，因此即使当处理器停止工作后，热电元件仍能持续产生电能，以提供电能给其他需维持工作的元件，借此达到省电功能。
【附图说明】
[0016]图1为根据本发明的电路板的第一个实施方式的侧视示意图。
[0017]图2A至图2F分别为根据本发明的电路板的制作方法的第一个实施方式在不同阶段的侧视示意图。
[0018]图3为根据本发明的电路板的第二个实施方式的侧视示意图。
[0019]图4A与图4B分别为根据本发明的电路板的制作方法的第二个实施方式在不同阶段的侧视示意图。
[0020]图5为根据本发明的电路板的第三个实施方式的侧视示意图。
[0021]图6A至图6F分别为根据本发明的电路板的制作方法的第三个实施方式在不同阶段的侧视示意图。
【具体实施方式】
[0022]下文举实施例配合所附附图作详细说明，但所提供的实施例并非用于限制本发明所涵盖的范围，而结构操作的描述并非用于限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本发明所涵盖的范围。此外，附图仅以说明为目的，并未根据原尺寸作图。为使便于理解，下述说明中相同元件将以相同的符号标示来说明。
[0023]关于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等，并非特别指称次序或顺位的意思，也非用于限定本发明，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的元件或操作而已。
[0024]图1为根据本发明的电路板100的第一实施方式的侧视示意图。电路板100包含基板102、储热元件120、以及热电元件130。储热元件120内埋于基板102中并连接处理器118，以与处理器118进行热交换。热电元件130内埋于基板102中，并包含第一金属接面132与第二金属接面134。第一金属接面132连接储热元件120，以与储热元件120进行热交换。第二金属接面134与第一金属接面132接合，其中热电元件130通过第一金属接面132与第二金属接面134之间的温度差产生电动势。
[0025]本实施方式中，处理器118例如可以是中央处理器(central processing unit ；CPU)或图形处理器(graphic processing unit ;GPU)，其中处理器118可以通过针脚与电路板100连接。当处理器118进行运算时，处理器118的温度将会随之提升。当处理器118的温度大于储热元件120的温度时，处理器118与储热元件120之间具有温度差，使得处理器118所产生的热能将从处理器118传递至储热元件120。当储热元件120吸收热能后，储热元件120的温度将会随之提升。同样地，当储热元件120的温度大于热电元件130的第一金属接面132的温度时，储热元件120的热能将从储热元件120传递至第一金属接面132，并使得第一金属接面132与第二金属接面134之间具有温度差。接着，热电元件130再通过第一金属接面132与第二金属接面134之间的热电效应产生电能，以提供外部元件(未图示)使用。举例而言，热电元件130可以连接至电池(未图示)并作为电池的电能供给源之一。此外，储热元件120与热电元件130为内埋于基板102之中，因此本发明的电路板100为一种埋入式电路板。也即当处理器118设置于电路板100并开始工作后，热回收电路板100即可开始进行储热以及热电转换，并借此达到省电与热回收的功能。
[0026]储热元件120还包含外壳122、相变化材料124以及连接垫126。外壳122的材料可以是二氧化硅或是陶瓷。相变化材料124填充于外壳122内，相变化材料124的材料为具有高熔化热的材料。高熔化热材料例如可以是石蜡。连接垫126设置于外壳122，其中热电元件130的第一金属接面132通过连接垫126连接相变化材料124。
[0027]由于相变化材料124具有高熔化热的特性，储热元件120可以将热能储存于其中。因此，即使当处理器118结束工作后，储热元件120仍可通过与第一金属接面132之间的温度差进行热交换，并将热能持续传递给第一金属接面132。除此之外，相变化材料124的熔点可以选择性地小于或等于处理器118工作时的平均温度，使得相变化材料124得以维持相变化的过渡状态。举例而言，相变化材料124的熔点可以落在45°C至65°C之间的范围之中。
[0028]电路板100还包含载板140、第一图案化金属层156以及第二图案化金属层158。载板140设置于储热元件120与处理器118之间，并包含第一通孔115与第一导热柱141。第一通孔115贯穿载板140。第一导热柱141设置于第一通孔115内，其中储热元件120与处理器118通过第一导热柱141进行热交换。
[0029]第一图案化金属层156位于储热元件120与热电元件130之间。第一金属接面132通过第一图案化金属层156连接储热元件120，以与储热元件120进行热交换。第二图案化金属层158设置于基板102、热电元件130与载板140的表面上，其中第二图案化金属层158分别与处理器118与热电元件130连接。第二图案化金属层158用于使处理器118与热电元件130与其他元件连接。例如，处理器118可以通过第二图案化金属层158与其他元件进行资料传递或进行驱动。热电元件130可以通过第二图案化金属层158将电能传递至电池或外部元件(未图示)。
[0030]基板102还包含第一开口 104、第二开口 106以及第三开口 108。第一开口 104设置于基板102表面，其中储热元件120位于第一开口 104内。第二开口 106设置于基板102另一表面并相对第一开口 104，其中载板140位于第二开口 106内。第一开口 104与第二开口 106彼此相通，且第一开口 104的宽度大于第二开口 106的宽度。由于第一开口 104的宽度大于第二开口 106的宽度，第二开口 106可以提供载板140定位于基板102中。
[0031]第三开口 108设置于基板102表面并与第二开口 106位于基板102的同侧，其中热电元件130位于第三开口 108内。然而，本发明的第三开口 108位置不限于此，本发明所属本领域技术人员，可弹性选择第三开口 108的设置位置。例如第三开口 108也可以与第一开口 104位于基板102的同侧。
[0032]具体而言，通过基板102的开口中的储热元件120、热电元件130以及载板140，电路板100的热电转换结构是内埋于基板102之中。因此，电路板100中的空间能有效地被利用。此外，电路板100上的处理器118所产生的热能的热传导路径按序为载板140的第一导热柱141、储热元件120以及电热元件130。为了使元件之间的热传导能够有效率地进行，电路板100还包含导热单元146。导热单元146设置于互相连接的元件之间，用于提升热传导速率，其中导热单元146由金属、石墨烯或其组合组成。举例而言，图1的储热元件120与热电元件130之间设置有导热单元146，借以提升储热元件120与热电元件130之间的热传导速率。此外，导热单元146也可以设置于第一通孔115内并包覆第一导热柱141。
[0033]除此之外，电路板100还包含焊球166，焊球166设置于互相连接的元件之间，用于加强元件之间的固定强度。举例而言，图1中的处理器118与载板140(或第二图案化金属层158)之间、储热元件120与载板140之间以及电热元件130与第一金属层156之间设置有焊球166。此外，各元件之间的连接点也可以设置铜垫以利于设置焊球166。
[0034]综上所述，本发明的电路板100具有将热能转换为电能的结构。通过储热元件120与热电元件130，处理器118所产生的热能将会储存于储热元件120，并再通过热电元件130转换为电能。此外，电路板100的储热元件120与热电元件130为内埋于基板102之中，因此电路板100的空间使用率提高。此外，当处理器118停止工作时，热电元件130仍可通过储热元件120内所储存的热能持续将热能转换为电能，以提供电能给其他持续工作的元件或是补充电能于电池之中。
[0035]图2A至图2F分别为根据本发明的电路板的制造方法的第一个实施方式在不同阶段的侧视示意图。本实施方式中，电路板制造方法是以形成结构如电路板100的第一个实施方式(请见图1)为例作说明。
[0036]图2A中，步骤SlO为先提供第一增层介电层152，并在第一增层介电层152形成第一开口 104。
[0037]图2B中，步骤S20为将储热元件120置入第一开口中104，以将储热元件120埋入第一增层介电层152中。接着，在第一增层介电层152以及储热元件120的相对两侧表面上设置金属层168。
[0038]图2C中，步骤S30为将金属层168(请见图2B)图案化成第一图案化金属层156与第三图案化金属层160。第一图案化金属层156用于提供电路板的内部元件连接。第三图案化金属层160用于提供电路板与外部元件(未图示)连接，本发明所属本领域技术人员可以根据电路板与外部元件的配置关系设计第三图案化金属层160的图案。此外，在步骤S30中，可以先将导热单元146设置于储热元件120与预计设置热电元件130 (请见图1)的位置之间。
[0039]图2D中，步骤S40为在第一增层介电层152与第一图案化金属层156上设置第二增层介电层154。第一增层介电层152与第二增层介电层154层叠结合后即为电路板中的基板102 (请见图1)。接着，在第二增层介电层154形成第二开口 106，并将第二开口 106连接第一开口 104，且第二开口 106的宽度大于第一开口 104的宽度。
[0040]图2E中，步骤S50为在储热元件130上以及第二开口 106内设置载板140。同前所述，当将载板140置入第二开口 106内时，由于第二开口 106的宽度大于第一开口 104的宽度，因此载板140可以被定位于第二开口 106中，以避免发生元件对位时的失真。接着，在第二增层介电层154与载板140表面设置金属层168。本实施方式中，可以先将载板140进行加工，以形成贯穿载板140的第一通孔115。第一通孔115内设置第一导热柱141，其中金属层168与第一导热柱141连接。同样地，为了提升储热元件120与载板140之间的固定强度，可以在储热元件120与载板140之间设置焊球166与铜垫。
[0041]图2F中，步骤S60为将金属层168 (请见图2E)图案化为第二图案化金属层158，并在第二增层介电层154形成第三开口 108。接着，在第三开口 108中设置热电元件130，以将热电元件130埋入第二增层介电层154中。位于第三开口 108中的热电元件130通过导热单元146与第一图案化金属层156连接储热元件120。同样地，热电元件130与第一图案化金属层156之间设置有焊球166与铜垫，以提升固定强度。
[0042]本实施方式中，第三开口 108的形成位置为预计置入热电元件130的位置。本发明所属本领域技术人员可以根据不同设计调整第三开口 108的形成位置。例如，在第一增层介电层152形成第三开口 108。
[0043]当置入热电元件130的步骤完成后，电路板的结构也同步完成。接着，在载板140上设置处理器118 (请见图1)，即可完成如图1的电路板100的结构。
[0044]图3为根据本发明的电路板100的第二个实施方式的侧视示意图。本实施方式与电路板100的第一个实施方式的差异在于:本实施方式中的第一开口 104与第二开口 106具有相同的尺寸(或宽度)。本实施方式中，第一开口 104与第二开口 106具有相同的宽度，且储热元件120与载板140也同样具有相同的宽度。在此配置中，电路板100的制造流程可以更有弹性。以下叙述将针对图3电路板100的制造流程作说明。
[0045]图4A与图4B分别为根据本发明的电路板的制造方法的第二个实施方式在不同阶段的侧视示意图。本实施方式与电路板制造方法的第一个实施方式的差异在于:本实施方式设置载板140的步骤早于在第一图案化金属层156上设置第二增层介电层154的步骤。此外，图4A是接续在图2C的后的工艺，也即第一图案化金属层156已经形成于储热元件120与第一增层介电层152上。
[0046]图4A中，步骤S40’为先设置载板140在第一图案化金属层156上，接着设置第二增层介电层154在第一增层介电层152上与载板140周围。本实施方式中，当设置第二增层介电层154的步骤完成后，第二增层介电层154的第二开口 106也同步形成，其中第一开口 104与第二开口 106具有相同的尺寸(或宽度)。也就是说，载板140的设置位置即为第二开口 106的形成位置。
[0047]图4B中，步骤S50’为设置金属层168在载板140与第二增层介电层154上，以进行后续工艺。当完成设置金属层168的步骤后，即可继续进行如电路板制造方法的第一实施方式中的步骤S60(请见图2F)。由于这些工艺与结构细节，均与电路板制造方法的第一实施方式相同，因此不再重复描述。
[0048]综上所述，电路板制造方法中的置入载板140步骤与形成第二增层介电层154步骤可以有不同顺序。本实施方式中，设置载板140的步骤早于在第一图案化金属层156上设置第二增层介电层154的步骤，然而本发明所属本领域技术人员，可弹性选择设置载板140的步骤与设置第二增层介电层154的顺序。
[0049]图5为根据本发明的电路板100的第三实施方式的侧视示意图。本实施方式与电路板的第一实施方式差异在于:本实施方式中的储热元件120、热电元件130以及载板140为垂直设置。此外，本实施方式中的元件材料或是结构细节，均与电路板的第一个实施方式相同，因此不再重复描述。
[0050]图5中，基板102为多层结构，并包含第一凹槽110、第二凹槽112、第二通孔116以及第二导热柱142。第一凹槽110设置于基板102表面，其中热电元件130位于第一凹槽110内。第二凹槽112设置于基板102另一表面，其中储热元件120位于第二凹槽112内，并连接处理器118，以与处理器118进行热交换。第一凹槽110以及第二凹槽112彼此相对，且至少部分基板102位于储热元件120以及热电元件130之间，其中部分基板102为基板102中的单层介电层164。第二通孔116设置于储热元件120以及热电元件130之间的单层介电层164，其中第二通孔116贯穿单层介电层164。第二导热柱142设置于第二通孔116内，其中储热元件120以及热电元件130通过第二导热柱142进行热交换。
[0051]具体而言，本实施方式的热传导路径为垂直方向，本发明所属本领域技术人员可根据电路板100与受热电元件130供给电能的元件之间的相对位置关系选择电路板100的第一至第三个实施方式。
[0052]电路板100还包含固定架144。固定架144设置于第二凹槽112，其中储热元件120位于固定架144内。储热元件120还包含第三凹槽114，其中处理器118位于第三凹槽114内。此外，基板102、固定架144、储热元件120与处理器118的表面为共平面。也就是说，本实施方式中，固定架144、储热元件120与处理器118为埋入于基板102中。再者，由于处理器118是设置于储热元件120的第三凹槽114，因此处理器118与储热元件120之间的热传导路径被缩短，使得处理器118所产生的热能将更有效率且直接地由储热元件120吸收。
[0053]储热元件还包含外壳122、相变化材料124、第三通孔117以及第三导热柱143。相变化材料124填充于外壳122内。第三通孔117贯穿储热元件120。第三导热柱143设置于第三通孔117内，其中处理器118与热电元件130的第一金属接面132通过第二导热柱142与第三导热柱143进行热交换。
[0054]除此之外，储热元件120与处理器118同样可通过第三导热柱143进行热交换。也即，储热元件120的相变化材料124是通过第三导热柱143吸收处理器118所产生的热能。在此配置中，储热元件120与处理器118之间具有较大的热传导面积，使得储热元件120与处理器118之间的热传导效率提升。
[0055]同样地，为了电路板100内部的热传导能更有效率地进行，导热单元(未图示)可以设置于第二导热柱142的表面、第三导热柱143的表面或是互相连接的元件之间。此外，为了提升互相连接的元件之间的固定强度，铜垫或焊球166可以设置于互相连接的元件之间。例如储热元件120与处理器118之间或储热元件120与热电元件130之间。
[0056]图6A至图6F分别为根据本发明的电路板的制造方法的第三个实施方式于不同阶段的侧视示意图。本实施方式中，电路板的制造方法是以形成结构如电路板100的第三实施方式(请见图5)为例作说明。
[0057]图6A中，步骤SllO为先形成储热元件120，其中储热元件120具有第三凹槽114。接着，在储热元件120形成贯穿储热元件120的第三通孔117，并在第三通孔117内设置第三导热柱143。
[0058]图6B中，步骤S120为在储热元件120上设置处理器118，其中处理器118与储热元件120之间可以通过设置焊球166与铜垫固定，以增进处理器118与储热元件120之间的固定强度。处理器118位于第三凹槽114内并连接第三导热柱143。接着，以固定架144包覆储热元件120。
[0059]图6C中，步骤S130为提供具有多层结构的基板102，其中基板102是由单层介电层164增层而形成。因此，在步骤S130之初，在单层介电层164先形成第二通孔116，并在第二通孔116内设置第二导热柱142。此外，在将单层介电层164增层的步骤中，可以先形成第四图案化金属层162作为电路板中的线路层。
[0060]图6D中，步骤S140为分别于基板102的相对两表面形成第一凹槽110以及第二凹槽112，其中第一凹槽110以及第二凹槽112彼此相对，且单层介电层164位于第一凹槽110以及第二凹槽112之间。
[0061]图6E中，步骤S150为在第一凹槽110设置热电元件130，以将热电元件130埋入于基板102之中，其中热电元件130与第二导热柱142连接。同样地，热电元件130与第二导热柱142之间可以通过焊球166与铜垫固定，以增进热电元件130与第二导热柱142之间的固定强度。
[0062]图6F中，步骤S160为先将基板102翻转，以利于进行打件。接着，将步骤S120配置完成的处理器118、储热元件120以及固定架144设置于第二凹槽112，以将各元件埋入于基板102中，其中储热元件120位于处理器118与热电元件130之间。也就是说，处理器118、储热元件120、热电元件130以及固定架144是沿同一方向埋入基板102之中。同样地，为了提升元件第二导热柱142与第三导热柱143之间的固定强度，可以在第二导热柱142与第三导热柱143之间设置焊球166与铜垫。
[0063]综上所述，本发明的电路板为一种埋入式电路板，其具有内埋于基板的储热元件以及热电元件。储热元件用于储存处理器产生的废热。热电元件用于将储热元件储存的热能转换为电能。因此，当处理器设置于电路板上并开始工作后，在处理器产生的热能将被储存并传导至热电元件转换为电能，以达到热回收的功能。此外，由于储热元件可以将热能储存于其中，因此即使当处理器停止工作后，热电元件仍能持续产生电能，以提供电能给其他需维持工作的元件，借此达到省电功能。
[0064]虽然本发明已以多种实施方式公开如上，然其并非用于限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种不同的选择和修改，因此本发明的保护范围由权利要求书及其等同形式所限定。
【主权项】
1.一种具有热回收功能的电路板，其特征在于，所述电路板包含: 基板； 储热元件，其内埋于所述基板中并连接处理器，以与所述处理器进行热交换；以及 热电元件，其内埋于所述基板中，并包含: 第一金属接面，其连接所述储热元件，以与所述储热元件进行热交换；以及第二金属接面，其与所述第一金属接面接合，其中所述热电元件通过所述第一金属接面与所述第二金属接面之间的温度差产生电动势。2.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述电路板还包含: 载板，其设置于所述储热元件与所述处理器之间，所述载板包含: 至少一个第一通孔，其贯穿所述载板；以及 第一导热柱，其设置于所述第一通孔内，其中所述储热元件与所述处理器通过所述第一导热柱进行热交换。3.如权利要求2所述的电路板，其特征在于，所述基板还包含: 第一开口，其设置于所述基板表面，其中所述储热元件位于所述第一开口内；以及第二开口，其设置于所述基板另一表面并相对所述第一开口，其中所述载板位于所述第二开口内，所述第一开口与所述第二开口彼此相通，且所述第一开口的宽度大于所述第二开口的宽度。4.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述储热元件还包含: 夕卜壳; 相变化材料，其填充于所述外壳内；以及 至少一个连接垫，其设置于所述外壳，所述热电元件的所述第一金属接面通过所述连接垫连接所述相变化材料。5.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述基板还包含: 第一凹槽，其设置于所述基板的表面，其中所述热电元件位于所述第一凹槽内； 第二凹槽，其设置于所述基板的另一表面，其中所述储热元件位于所述第二凹槽内，所述第一凹槽以及所述第二凹槽彼此相对，且至少部分所述基板位于所述储热元件以及所述热电元件之间； 至少一个第二通孔，其设置于所述储热元件以及所述热电元件之间的部分所述基板上；以及 第二导热柱，其设置于所述第二通孔内，其中所述储热元件以及所述热电元件通过所述第二导热柱进行热交换。6.如权利要求5所述的电路板，其特征在于，所述储热元件还包含: 夕卜壳; 相变化材料，其填充于所述外壳内； 至少一个第三通孔，其贯穿所述储热元件；以及 第三导热柱，其设置于所述第三通孔内，其中所述处理器与所述热电元件的所述第一金属接面通过所述第三导热柱进行热交换。7.如权利要求5所述的电路板，其特征在于，所述电路板还包含固定架，其设置于所述第二凹槽，所述储热元件位于所述固定架内，其中所述储热元件还包含第三凹槽，所述处理器位于所述第三凹槽内，其中所述基板、所述固定架、所述储热元件与所述处理器的表面为共平面。8.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述电路板还包含: 导热单元，其设置于所述储热元件与所述处理器之间或所述储热元件与所述热电元件之间，其中所述导热单元由金属、石墨烯或其组合组成。9.一种具有热回收功能的电路板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含: 在第一增层介电层形成第一开口，并将储热元件置入所述第一开口中，以将所述储热元件埋入所述第一增层介电层中； 在所述第一增层介电层以及所述储热元件上设置第一图案化金属层； 在所述第一增层介电层与所述第一图案化金属层上设置第二增层介电层，所述第二增层介电层具有第二开口，所述第二开口连接所述第一开口 ； 在所述储热元件上以及在所述第二开口内设置载板，并在所述第二增层介电层与所述载板上设置第二图案化金属层；以及 在所述第二增层介电层或所述第一增层介电层形成第三开口，并在所述第三开口中设置热电元件，以将所述热电元件埋入所述第二增层介电层中，其中所述热电元件通过所述第一图案化金属层与所述储热元件连接。10.一种具有热回收功能的电路板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含: 在单层介电层上形成至少一个通孔，并在所述通孔内设置导热柱； 增层所述单层介电层以形成基板； 分别在所述基板的相对两表面形成第一凹槽以及第二凹槽，其中所述单层介电层位于所述第一凹槽以及所述第二凹槽之间； 在所述第一凹槽设置热电元件，以将所述热电元件埋入于所述基板之中，其中所述热电元件与所述导热柱连接； 在储热元件形成至少另一通孔，并在所述另一通孔内填充另一导热柱； 在所述储热元件上设置处理器，其中所述处理器连接于所述另一导热柱；以及在所述第二凹槽设置所述储热元件与所述处理器，以将所述储热元件埋入于所述基板之中，其中所述储热元件位于所述处理器与所述热电元件之间。
【文档编号】H05K1/02GK105992454SQ201510069134
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月10日
【发明人】陈盈儒, 吴明豪, 余丞博
【申请人】欣兴电子股份有限公司