专利名称：有机电致发光显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明一般性地涉及平板显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种具有保护层的有机电致发光显示(OLED)装置，其具有优良的防潮和氧气渗透的能力，以及涉及制造它的方法。
相关技术平板显示器可以分为发射装置和非发射装置。发射装置的例子是平板阴极射线管(CRT)，等离子体显示面板，电致发光装置和发光二极管。非发射装置的例子是液晶显示器(LCD)。在这些显示装置中，电致发光装置相比常规CRT显示器具有更宽的视角，更快的视频响应速度和更低的功耗。与CRT相比，其他优点包括亮度增强，重量减轻，使用寿命提高和工作温度范围扩展。根据形成OLED发射层的材料不同，OLED可以分为有机或者无机的。由于这些和其他原因，OLED被认为是取代CRT显示器的下一代显示器。
一个OLED装置包括一个夹在阳极和阴极之间由有机化合物组成的发光层。当施加电压到阳极和阴极上时，来自阳极的空穴迁移经过空穴输运层到达发光层。来自阴极的电子迁移经过电子输运层(ETL)到达发光层，在发光层电子和空穴复合产生激子。当这些激子从它们的激发态跃迁到基态时，它们使得发光层的荧光分子发光。通过选择性地将单元像素区域的图案在开和关之间切换形成图象。全色OLED装置具有发射三色光即红(R)，绿(G)或者蓝(B)之一的像素。
为了确保长的工作寿命，应该使发光层和发光层上的阴极与潮气屏蔽，使之不受氧化，并且屏蔽氧气渗透，使之不会剥离。韩国专利申请2001-0067868中阐述了一个屏蔽的例子，其公开了利用真空系统在发光层和金属电极上形成一层绝缘聚合化合物例如高密度聚乙烯；在该聚合化合物层上形成一层无机金属；在该无机金属层上形成一层绝缘无机金属；以及在该绝缘无机金属层上形成一层绝缘聚合化合物。然而，该韩国专利申请2001-0067868所教导的OLED的使用寿命没有达到令人满意的水平，并且提供差的光提取效率(light extractionefficiency)，因此需要改善。
发明概述本发明提供有机电致发光显示(OLED)装置，其具有保护层，该保护层对潮气和氧气渗透具有出色的抵抗力，还提供制造它的方法。此外，本发明的OLED可以提供高的光提取效率。
本发明的一个实施例提供一个有机电致发光显示装置，其具有在基板上形成的第一电极。可以形成与第一电极绝缘的第二电极。在第一和第二电极之间可以插入一个或者多个有机层，其可以包括一个发光层。可以形成一个覆盖第二电极的保护层，其中该保护层具有大约5到50的表面粗糙度(rms)。
该保护层可以包括至少一种选自金属氧化物和金属氮化物的材料。
本发明的另一实施例提供一种有机电致发光显示装置，其具有在基板上形成的第一电极。可以形成与第一电极绝缘的第二电极。在第一和第二电极之间可以插入一个或者多个有机层，其可以包括至少一个发光层。可以形成一个覆盖第二电极的保护层，并且该保护层是由含有网状组织形成剂的绝缘材料组成的。
本发明还提供一种制造有机电致发光显示装置的方法。该方法可以包括在基板上形成第一电极；在第一电极上形成包括至少一个发光层的一个或者多个有机层；形成第二电极，以覆盖该有机层；以及形成保护层，以覆盖第二电极，其中该保护层是采用包括蒸发源和离子束源的离子束辅助沉积(IBAD)技术形成的。
本发明还提供一种制造有机电致发光显示装置的方法。该方法可以包括在基板部件上形成第一电极；在第一电极上形成具有至少一个发光层的一个或者多个有机层；形成第二电极以覆盖该有机层；以及形成一个保护层以覆盖该第二电极，其中该保护层包括含有网状组织形成剂的绝缘材料。
如上所述的本发明的OLED装置由于所述保护层对潮气和氧气渗透具有出色的抵抗力因而可以提高可靠性，特别是使用寿命和亮度，以及改善了光提取效率。
通过参照附图详细地描述其中的示例性实施方案，本发明上述的和其它的特征和优点将变得更为清楚。
图1是根据本发明一个实施例所述的有机电致发光显示装置的截面图。
图2A示意性的示出根据本发明的一个实施方案的构成保护层的原子的排列情况，该保护层是提供给有机电致发光显示装置的，以及图2B示意性地示出构成常规的保护层的原子的排列情况。
图3示意性地示出本发明的离子束辅助沉积(IBAD)的原理。
图4是显示本发明中具有保护层的装置的使用寿命特性的相片。
发明详述根据本发明所述的原理制造的有源矩阵有机电致发光显示(OLED)装置可以包括重复的红色，绿色和蓝色像素。各个颜色像素可以设置为具有不同的镶嵌图案，点阵图案和类似的图案。在有机电致发光显示装置的显示区域内可以设置大量的像素以实现预定的图象。该显示区域的各个像素可以包括一个选择性的驱动电路，其具有两种薄膜晶体管(TFT)，即开关TFT和驱动TFT。各个像素还可以包括电容和有机电致发光器件。该选择性的驱动电路的TFT和电容的数量不受限制，可以根据所需装置的设计情况而变。
图1是根据本发明的原理制造的有源矩阵OLED装置10的一个实施例的截面图。参照图1，该有源矩阵OLED装置10包括基板81。该基板81可以由透明材料例如玻璃或者塑料组成。可以在基板81的整个表面上形成一个缓冲层82。
在该缓冲层82上可以形成以预定图案设置的有源层44。可以将该有源层44嵌入栅绝缘层83内。该有源层44可以掺杂构成p型或者n型半导体。
在该栅绝缘层83上对应于该有源层44的区域可以形成TFT40的栅极42。可以将该栅极42嵌入到一个中间绝缘层84内。在形成该中间绝缘层84之后，可以通过蚀刻工艺例如干刻蚀蚀刻该栅绝缘层83和该中间绝缘层84，以形成接触孔83a，84a，由此将该有源层44的源区和漏区的一部分暴露出来。
通过接触孔83a，84a将源极41连接到该源区，通过接触孔83a和84a将漏极连接到该漏区。可以将该源极41和该漏极43嵌入到保护层85中。在形成该保护层85后，通过蚀刻工艺将该漏极43的一部分暴露出来。
该保护层85由绝缘体组成，并且可以是无机层例如氧化硅或者氮化硅，或者有机层例如丙烯酰基或BCB。在该保护层85上可以进一步形成单独的一个使该保护层85平坦化的绝缘层。
有机电致发光装置60根据所施加的电流发出红光(R)，绿光(G)或者蓝光(B)。当从有机电致发光装置60中发出的光与从该有机电致发光装置中发出的光结合起来时，就可以显示预定的图象。该有机电致发光装置60可以包括连接到驱动TFT40的漏极43、作为像素电极的第一电极61。它还可以包括为完全覆盖整个像素而提供的、作为反电极的第二电极62，和插入第一电极61和第二电极62之间的有机发光层63。
第一电极61和第二电极62可以彼此绝缘。为了发光，各个电极在该有机发光层63上可以施加不同极性的电压。
有机发光层63可以由低分子量或者高分子量材料构成。当使用低分子量有机材料时，可以将空穴注入层(HIL)，空穴输运层(HTL)，发光层(EML)，电子输运层(ETL)，电子注入层(EIL)等等沉积为单层或者多层结构。可采用的有机材料的例子包括铜酞菁(CuPc)，N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(NPB)，三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等等。这些低分子量有机材料层可以通过真空蒸发技术形成。
当使用高分子量材料时，发光层63可以包括HTL和EML。可以使用PEDOT作为HTL。高分子量有机材料例如聚-亚苯基亚乙烯基(PPV)类化合物和聚芴类化合物可以用作EML。可以用丝网印刷和喷墨印刷形成这些材料的一层或者多层。
有机发光层不限于上面实施例所描述的，可以应用不同的实施方式。第一电极61和第二电极62可以分别构成阳极和阴极，并且可以将它们的功能反转。可以将第一电极61图案化，使之对应于各个像素的区域，可以使形成的第二电极62完全覆盖整个像素。
可以将第一电极61制造为透明电极或者反射电极。当第一电极61是透明电极时，它可以由ITO，IZO，ZnO，或者In2O3构成。当第一电极61用作反射电极时，它可以通过首先形成由Ag，Mg，Al，Pt，Pd，Au，Ni，Nd，Ir，Cr或其组合所构成的反射层然后在其上形成由ITO，IZO，ZnO，或者In2O3所构成的透明电极层而形成。同时，也可以将第二电极62制造为透明电极或者反射电极。当第二电极用作透明电极时，由于它是阴极，因此可以在有机发光层63上沉积具有低功函数的金属也即Li，Ca，LiF/Ca，LiF/Al，Al，Ag，Mg或者它们的组合。可以在该低功函数金属上形成由ITO，IZO，ZnO，或者In2O3组成的辅助电极层或者总线电极线。当第二电极62是反射电极时，它可以通过在有机发光层63的整个表面上沉积Li，Ca，LiF/Ca，LiF/Al，Al，Ag，Mg或者它们的组合而形成。
可以在第二电极62上形成保护层65。保护层65的表面粗糙度(rms)可以在约5到约50范围内。这种低表面粗糙度由构成保护层65的原子的高密度所引起。当保护层65的表面粗糙度比大约50要大的时候，可能不会形成具有紧密结构的保护层，因而可能不会有效地避免潮气和氧气渗透。
图2A示出在本发明一个实施例中构成保护层65的原子的示例性排列。图2B示出在常规的保护层中的原子的典型排列。
参照图1，图2A和图2B，上述具有低表面粗糙度的构成保护层65的原子趋于紧密排列。相反，构成常规保护层65B(图2B)的原子往往包含孔隙C和缺陷D，它们都是原子排列的断裂。如图2A所示，这种孔隙和缺陷基本上不会在本发明紧密排列的保护层65中出现。由于避免了氧气和/或潮气穿过保护层65的表面A渗透进去而与第二电极62接触，因而保护层65提高了OLED装置10的使用寿命。当保护层65的表面粗糙度大于大约50的时候，本发明中紧密的原子结构不会实现，因而可能防止不了氧气和/或潮气渗透。
保护层65可以包括金属氧化物或者金属氮化物中的至少一种材料。金属氧化物和金属氮化物的例子包括SiOx，SiNx，(x≥1)，MgO，TiO，TaO和CeO，但是不限于此。
保护层65可以厚大约300到大约3000。保护层65的厚度可以根据想要的保护层对潮气和氧气渗透的抵抗水平来确定。保护层65的厚度也可以根据生产成本和工艺时间改变。
保护层65可以包括绝缘材料，该绝缘材料包含网状组织形成剂材料(为方便未示出)。
“网状组织形成剂”是一种材料，其通过键合构成基体材料的原子的另外的断开的网络而改善了原子间网络。该基体材料可以是一种绝缘材料，其形成保护层65并且包含网状组织形成剂。因而，本发明中的保护层65不会有真正作为原子排列的断裂的原子间的孔隙C以及缺陷D，，这些在图2B中说明性地示出。结果，可以避免氧气和潮气穿过保护层65的表面A朝向第二电极62渗透。
本发明中保护层65的包含网状组织形成剂的绝缘材料可以具有大约2.0或者更大的折射率。当包含该网状组织形成剂的绝缘材料具有低于2.0的折射率时，由于从有机层等发出的光的全反射，光提取效率可能会减小。
本发明中保护层65的包含网状组织形成剂的绝缘材料可以具有大约3.0eV到大约6.0eV的光带隙。当包含该网状组织形成剂的绝缘材料具有低于大约3.0eV的光带隙的时候，如上所述的使用网状组织形成剂的目的可能不会实现，因为没有足够的网状组织形成剂。当包含该网状组织形成剂的绝缘材料具有的光带隙大约6.0eV的时候，保护层可能变得不透明，这也减小了光提取效率。
构成本发明中保护层65的该网状组织形成剂和其封入的绝缘材料优选满足上面的折射率和光带隙要求，以提高光提取效率。网状组织形成剂的例子包括Li，Na，K，Ca，Sn，Rb，Cs，Ba，Pb，Be，Mg，Ce和Nb，但是不限于此。在这些元素中，优选Sn。绝缘材料的例子包括金属氧化物和金属氮化物，更具体地，有SiOx，SiNx(x≥1)，MgO，TiO，TaO，CeO等等，但是不限于此。在这些材料中，优选氧化硅。
构成本发明中保护层65的包含网状组织形成剂的绝缘材料的例子包括含有如上所述的网状组织形成剂的金属氧化物和氮化物，更具体地，SiLiO，SiNaO，SiKO，SiCaO，SiSnO，SiRbO，SiCsO和SiBaO，但是不限于此。在这些材料中优选SiSnO。
如图3所示，保护层65可以采用具有蒸发源和离子束源的离子束辅助沉积(IBAD)技术形成。
图3示出一个示例性的IBAD技术可以怎样操作的情况。蒸发源97发射要沉积到基板91的表面的粒子92。离子束源95发射离子93以增加粒子92的表面迁移率并且使得粒子92致密地沉积在基板91上。
从蒸发源97发射出来的粒子92可以包括形成保护层65的材料。合适的粒子的例子包括金属氧化物和金属氮化物，更具体地为SiOx，SiNx(x≥1)，MgO，TiO，TaO和CeO，但是不限于此。
粒子92还可以包括网状组织形成剂和它的基体材料。从蒸发源97发射的粒子可以包括这些材料例如Li，Na，K，Ca，Sn，Rb，Cs，Ba，Pb，Be，Mg，Ce和Nb中的至少一种原子，以及金属氧化物和氮化物中的至少一种材料，但是不限于此。金属氧化物和氮化物的例子包括SiOx，SiNx(x≥1)，MgO，TiO，TaO，CeO等，但是不限于此。在这些元素和材料中，优选Sn和氧化硅。
蒸发源97可以包括一个或者多个沉积源。沉积源可以提供同类或者不同类的沉积原子。例如，设于蒸发源97中的主沉积源可以包括两个单独制备的二次沉积源。一个二次沉积源可以提供网状组织形成剂。另一个可以提供绝缘材料。如果需要的话，可以使用包含不同网状组织形成剂的两个或者多个二次沉积源。通过同时使用网状组织形成剂的沉积源和绝缘材料的沉积源，可以同时沉积网状组织形成剂和绝缘材料，形成单独的保护层65。通过将施加到网状组织形成剂沉积源和绝缘材料沉积源上的能量源功率控制在一个预定的范围内，可以调整该单层中网状组织形成剂与绝缘材料的含量比。
在一个实施例中，网状组织形成剂-绝缘材料沉积源可以由单一化合物构成，其通过使用机械合金化方法处理网状组织形成剂粉末和绝缘材料粉末而制得。通过在制备网状组织形成剂-绝缘材料沉积源的时候控制这些粉末的混合比可以调整网状组织形成剂与绝缘材料的含量比。
构成保护层65的网状组织形成剂-绝缘材料的例子可以包括SiLiO，SiNaO，SiKO，SiCaO，SiSnO，SiRbO，SiCsO和SiBaO。在这些材料中优选SiSnO。
从IBAD的离子束源95发射出的离子93应该不与构成其上形成保护层的基板的材料例如如上所述的构成第二电极62的材料和从蒸发源发出的任何粒子反应。这种离子的例子包括惰性气体的离子。更具体地，可以使用Ar+，Kr+或者Xe+离子。
离子束源95的能量可以在大约50eV到大约200eV范围内，优选为大约80eV到150eV。如果离子束源95的能量低于大约50eV，那么从该离子束源发出的离子的能量太低而不能增加从蒸发源发出的粒子的表面迁移率，因而不能形成具有高硬度和高密度的紧密保护层。如果离子束源的能量大于大约200eV，那么从离子束源发出的离子的能量可能会太高，以致于从离子束源95发出的离子可能会腐蚀所形成的保护层。因而优选大约150eV。
当采用IBAD技术形成保护层的时候，从蒸发源97发射的粒子数相对于从离子束源95发射的离子数的比率可以是1∶1到0.9∶1，优选0.9∶1。如果从离子束源发射的离子数在这个范围之上，则从离子束源发射的离子可能会腐蚀所形成的保护层。如果从离子束源发射的离子数在这个范围之下，则该离子数可能太低而不能增加从蒸发源发射的粒子的表面迁移率，因而可能不会形成具有高硬度和高密度的紧密保护层。
上面的比率可以通过调整离子束源95的电子通量或者用来产生离子的气体的流入量来控制。例如，当使用蒸发源97发射氧化硅粒子并且使用离子束源95发射氩离子来形成由氧化硅构成的保护层65的时候，通过调整离子束源95的离子通量为50mA并且调整氩气的流入量为5sccm，可以将氧化硅的粒子数相对于氩离子数的比率控制在1∶1。或者，当使用蒸发源发射氧化硅粒子和Sn粒子并且使用离子束源发射氩离子来形成由SiSnO构成的保护层的时候，通过调整离子束源的电子通量为50mA并且调整氩气的流入量为5sccm，可以将氧化硅粒子和Sn粒子的数量与氩离子数量的比率控制在1∶1。
当使用IBAD形成保护层的时候，可以使用热蒸发源或者电子束蒸发源作为主蒸发源。离子束源的例子包括Kaufmann型离子枪，Endhall型离子枪，rf型离子枪等等。本领域普通技术人员可以根据本发明的目的容易地选择这些源。
尽管根据本发明实施例所述的有机电致发光显示装置及其制造方法是用有源矩阵有机电致发光显示装置作为例子来描述的，但是本发明不限于此。
现在将参照下面的例子更详细地描述本发明。
实施例1在玻璃基板上依次沉积厚500的ITO、PEDOT，厚800的PPV，厚10的LiF，和厚1000的Al，该基板是作为将要沉积氧化硅层的基板。之后，准备1g的氧化硅粉末作为氧化硅沉积源。然后，准备一个包括氧化硅沉积源、离子束源、热蒸发源、基板支架、用来旋转基板支架的旋转轴的容器。用如上所述制得的氧化硅粉末作为氧化硅沉积源，用EndHall型离子枪(从Infrvion获得)作为离子束源，使用Helisys(从ANS获得)作为热蒸发源。将基板安装在基板支架上，定位基板支架使之面对氧化硅沉积源。然后按照表1所列的条件操作所述容器，以在基板上形成厚1000的氧化硅层。
表1
将所制得的具有氧化硅层的装置称为“样品1”。
比较例1以与例1相同的方式形成氧化硅层，除了不采用例1中所述容器的工作条件以及离子束源之外。称该装置为“样品A”。
评估例1对于氧化硅层的表面形态的评估通过SEM摄影来确定样品1和样品A的氧化硅层的表面粗糙度。结果，样品1的氧化硅层的表面粗糙度(rms)是30，而样品A的氧化硅层的表面粗糙度(rms)是100。从这个结果显然可知，根据本发明所述的样品1的氧化硅层相比于样品A的氧化硅层具有良好的的表面粗糙度。
实施例2在玻璃基板上依次沉积厚500的ITO、PEDOT，厚800的PPV，厚10的LiF，和厚2000的Mg:Ag，该基板是作为将要沉积SiSnO层的基板。之后，准备1g的氧化硅粉末作为氧化硅沉积源，以及1g的Sn粉末作为Sn沉积源。然后，准备一个容器，其包括离子束源、该氧化硅沉积源、该Sn沉积源、能够分别处理该氧化硅沉积源和该Sn沉积源的热蒸发源、基板支架、用来旋转基板支架的旋转轴。用上面所述的已制得的那些作为该氧化硅沉积源和该Sn沉积源，用EndHall型离子枪(从Infrvion获得)作为离子束源，使用Helisys(从ANS获得)作为热蒸发源。将基板安装在基板支架上，定位该基板支架使之面对氧化硅沉积源和Sn沉积源。然后按照上面的表1所列的条件操作所述容器，以在基板上形成厚300的SiSnO层。具有SiSnO层的该装置称为“样品2”。
评估例2对SiSnO层的表面形态的评估通过SEM摄影来确定样品2的SiSnO层的表面相糙度。结果，样品2的SiSnO层的表面粗糙度(rms)是30。
评估例3对使用寿命特性的评估将样品2暴露于空气中，然后以预定的时间段进行操作，以评估它的使用寿命特性。结果示于图4中，从中可以看出，尽管暗点的尺寸不断生长达1028小时，但是还是能够保证样品2的长的使用寿命。
本发明的保护层具有低表面粗糙度的紧密的原子结构。该保护层可以包括含有网状组织形成剂的绝缘材料，其具有高的折射率和能够为有机电致发光装置提供合适的透明度的光带隙。因而，其具有比常规的平板显示器中的抗潮气/氧气性具有优良的抗潮气和氧气渗透性以及光提取效率。该保护层可以利用离子束辅助沉积法形成。本发明中保护层的形成和使用可以提高OLED显示器的安全性和使用寿命。
虽然本发明特别参照其中的示例性实施例进行了具体地图示和描述，但是本领域普通技术人员可以理解，可以进行各种形式的和细节的变化，只要其不脱离下面权利要求所限定的本发明的实质和范围。
权利要求
1.有机电致发光显示装置，包括提供在基板上的第一电极；形成与第一电极绝缘的第二电极；介于第一和第二电极之间并且包括至少一个发光层的一个或者多个有机层；和基本上覆盖第二电极形成的保护层，其中该保护层具有大约5到大约50的表面粗糙度(rms)。
2.如权利要求1的有机电致发光显示装置，其中该保护层是由至少一种选自金属氧化物和金属氮化物的材料组成的。
3.如权利要求1的有机电致发光显示装置，其中该保护层是由至少一种显著SiOx、SiNx(x≥1)、MgO、TiO、TaO和CeO的材料组成的。
4.如权利要求1的方法，其中该保护层是采用离子束辅助沉积法(IBAD)形成的，该离子束辅助沉积法使用了蒸发源和离子束源。
5.有机电致发光显示装置，包括提供在基板上的第一电极；形成与第一电极绝缘的第二电极；介于第一电极和第二电极之间并且包括至少一个发光层的一个或者多个有机层；和基本上覆盖第二电极形成的保护层，其中该保护层是由含有网状组织形成剂的绝缘材料组成的。
6.如权利要求5的有机电致发光显示装置，其中含有该网状组织形成剂的该绝缘材料具有大约2.0或者更高的折射率。
7.如权利要求5的有机电致发光显示装置，其中含有该网状组织形成剂的该绝缘材料具有大约3.0eV到大约6.0eV的光带隙。
8.如权利要求5的有机电致发光显示装置，其中含有该网状组织形成剂的该绝缘材料是至少一种选自下列的原子Li、Na、K、Ca、Sn、Rb、Cs、Ba、Pb、Be、Mg、Ce和N。
9.如权利要求5的有机电致发光显示装置，其中该绝缘材料包括至少一种选自金属氧化物和金属氮化物的材料。
10.如权利要求5的有机电致发光显示装置，其中含有该网状组织形成剂的该绝缘材料是至少一种选自SiLiO、SiNaO、SiKO、SiCaO、SiSnO、SiRbO、SiCsO和SiBaO的材料。
11.如权利要求5的有机电致发光显示装置，其中该保护层的表面粗糙度在大约5到大约50的范围内。
12.如权利要求5的方法，其中该保护层是采用离子束辅助沉积法(IBAD)形成的，该方法使用了蒸发源和离子束源。
13.制备有机电致发光显示装置的方法，该方法包括在基板上形成第一电极；在第一电极上形成包括至少一个发光层的一个或者多个有机层；形成第二电极，以基本上覆盖该有机层；以及形成保护层，以基本上覆盖第二电极，其中该保护层是采用离子束辅助沉积法(IBAD)形成的，该离子束辅助沉积法采用了蒸发源和离子束源。
14.如权利要求13的方法，其中从该蒸发源发射的粒子包括至少一种选自金属氧化物和金属氮化物的材料。
15.如权利要求14的方法，其中从该蒸发源发射的粒子包括SiOx、SiNx(x≥1)、MgO、TiO、TaO或CeO。
16.如权利要求13的方法，其中从该离子束源发射的离子是选自惰性气体的至少一种原子的离子。
17.如权利要求13的方法，其中该离子束源的能量在50-200eV的范围内。
18.如权利要求13的方法，其中从该离子束源发射的离子数量与从该蒸发源发射的粒子数量的比率是1∶1到0.9∶1。
19.如权利要求13的方法，其中该保护层的表面粗糙度(rms)在大约5到大约50的范围内。
20.如权利要求13的方法，其中该保护层是由含有网状组织形成剂的绝缘材料组成的。
21.如权利要求20的方法，其中含有该网状组织形成剂的该绝缘材料具有大约2.0或者更大的折射率。
22.如权利要求20的方法，其中含有该网状组织形成剂的该绝缘材料具有大约3.0eV到大约6.0eV的光带隙。
23.如权利要求20的方法，其中含有该网状组织形成剂的该绝缘材料是至少一种选自SiLiO、SiNaO、SiKO、SiCaO、SiSnO、SiRbO、SiCsO和SiBaO的材料。
24.如权利要求20的方法，其中从该蒸发源发射的粒子包括至少一种材料和至少一种原子，该至少一种材料选自金属氧化物和金属氮化物，该至少一种原子选自Li、Na、K、Ca、Sn、Rb、Cs、Ba、Pb、Be、Mg、Ce和Nb。
全文摘要
提供了有机电致发光显示装置及其制造方法。该有机电致发光显示装置可以包括在基板上形成的第一电极。可以形成第二电极，使之与第一电极绝缘。可以介于第一电极和第二电极之间形成一个或者多个有机层，其包括至少一个发光层。形成一个保护层，以覆盖第二电极。该保护层可以具有大约5到大约50的表面粗糙度(rms)。包括一个具有低表面粗糙度的保护层的该有机电致发光显示装置的益处在于具有优良的使用寿命的特性。
文档编号H05B33/04GK1756447SQ200510092288
公开日2006年4月5日 申请日期2005年6月10日 优先权日2004年6月10日
发明者韩东垣, 朴镇宇, 权章赫 申请人:三星Sdi株式会社