专利名称：有机电致发光显示装置及其制造方法
技术领域：
本申请涉及一种有机电致发光显示装置(OELD)及其制造方法，以及能够减少工艺数量的有机电致发光显示装置及其制造方法。
背景技术：
有机电致发光显示装置可以是无源矩阵有机发光装置(PMOLED)，或者有源矩阵有机发光装置(AMOLED)。由于需要具有大面积和高分辨率的显示装置，希望对AMOLED进行开发。
有机电致发光装置是通过对荧光有机化合物进行电激励来发光的自发光装置。可以以低电压来驱动有机电致发光显示装置并且可以将其制造为薄的类型。此外，由于光学视角宽、响应速度快以及其他特性，正在考虑使用有机电致发光显示装置。
在有机电致发光装置中，电子通过阴极经过电子传输层移动到发光层。空穴通过阳极经过另一传输层移动到发光层。电子和空穴在发光层彼此结合，所述发光层是形成激子(exciton)的有机材料。随着激子转移到低能状态，从而产生光。
根据对有机材料的选择，产生的光具有不同的颜色。通过使用发出R、G和B颜色的有机材料，激子可以发出自然颜色。
有机电致发光显示装置还可以分类为单层和多层结构。单层装置具有在阳极与阴极之间形成有一个发光层作为有机层的结构，而多层具有在阳极与阴极之间形成有包括发光层的多个有机层的结构。
因为由于载流子不是直接注入发光层从而可以降低驱动电压，所以多层结构的有机电致发光显示装置得到广泛应用。
图1示出了具有多层结构的现有技术的有机电致发光显示装置。
该装置包含阳极102、阴极101、以及形成在阳极与阴极之间的有机电致发光层110。
阳极102主要由诸如铟锡氧化物(ITO)的透明电极形成。阴极101由诸如Al的金属薄膜形成并反射在发光层产生的光。
通过阳极102将空穴提供给发光层104，通过阴极101将电子提供给发光层104。
有机电致发光层110包含发光层104、电子传输层103、以及空穴传输层105。电子传输层103形成在发光层104与阴极101之间，空穴传输层105形成在发光层104与阳极102之间。
有机电致发光层110形成在诸如透明玻璃的基板107上。在该基板上形成有具有矩阵排列的单位像素。此外，在各个单位像素形成有具有上述结构的有机电致发光装置。具有多层结构的有机电致发光显示装置可以包含更多的有机层，可以进一步包含电子注入层和空穴注入层以降低驱动电压。
图2示出了有机电致发光显示装置的电路图。在阵列基板上形成有M×N个单位像素，并且单位像素具有矩阵排列。由选通线212和数据线214限定的各个单位像素210包含开关晶体管230、驱动晶体管240、电容器220、以及从驱动晶体管240接收信号的有机电致发光显示装置250。
通过开关晶体管230来使驱动晶体管240的栅极导通/截止，由此控制驱动晶体管240。驱动晶体管240的栅极连接到开关晶体管230的漏极。
驱动晶体管240的源极连接到第一电源线216的第一供电端子Vdd，驱动晶体管240的漏极连接到有机电致发光装置250的阳极。此外，有机电致发光装置250的阴极连接到第二供电端子Vss。有机电致发光装置250设置有包括有机发光层的至少一个有机层。
图3示出了有机电致发光显示装置的单位像素的平面图。有机电致发光显示装置的单位像素由选通线301和与选通线301垂直的数据线302限定。在单位像素中形成有至少一个驱动晶体管360和至少一个开关晶体管350。开关晶体管350控制驱动晶体管360。
在单位像素中形成有与数据线302平行的用于向驱动晶体管360提供驱动信号的第一电源线303。
开关晶体管350设置有构成其沟道的第一有源层304a、源极302a、漏极310和栅极301a。
第一有源层304a延伸为与第一电源线303交叠，从而形成存储电容器的一个电极304b。源极302a从数据线302分出并透过接触孔连接到第一有源层304a。漏极310透过接触孔连接到第一有源层304a，其一端透过接触孔连接到驱动晶体管360的栅极306。栅极301a从选通线301分出并向开关装置提供扫描信号。
有机电致发光显示装置的单位像素还设置有用于驱动构成像素的有机电致发光层的驱动晶体管360。驱动晶体管360包含从第一电源线303分出的源极303a、第二有源层305、有机电致发光装置的第一电极307、以及栅极306。
源极303a通过连接图案309和接触孔连接到第二有源层305。有机电致发光装置的第一电极307用作驱动晶体管的漏极，并透过接触孔连接到第二有源层305。此外，栅极306连接到开关晶体管350的漏极310并受到开关晶体管350的控制。
当通过开关晶体管向栅极306提供扫描信号时，第二有源层305的沟道开启，驱动信号通过第一电源线303导入第二有源层305。由此，对有机电致发光装置的有机电致发光层进行驱动。
第一有源层304a和第二有源层305形成在基板上的相同层上，选通线301和驱动晶体管的栅极306形成在相同线上。此外，第一电源线303通过绝缘层而与有源层和选通线301绝缘，并且形成在附加层上。数据线302、漏极310、以及连接图案309形成在相同层上。具有有机电致发光层的有机电致发光装置包含与数据线302绝缘的第一电极307、形成在第一电极307上的有机电致发光层308、以及形成在有机电致发光层308上的第二电极(未示出)。
将参照图4A和4B来说明有机电致发光显示装置的剖面结构。图4A是沿着图3的线I-I截取的剖面图，其示出了有机电致发光显示装置。
参照图4A，在基板401上形成有缓冲层402，在缓冲层402上形成有第一有源层304a和第二有源层305。第一有源层304a延伸为构成与第一电源线303交叠的存储电容器的一个电极。
有源层304a和305a通过第一绝缘层403绝缘，在第一绝缘层403上形成有开关晶体管350的栅极301a和驱动晶体管360的栅极306。
栅极301a和306覆盖有第二绝缘层404，在第二绝缘层404上形成有第一电源线303。
第一电源线303覆盖有第三绝缘层405，在第三绝缘层405上形成有数据线302、源极302a、漏极310、以及连接图案309。
数据线302、源极302a、漏极310和连接图案309通过第四绝缘层406绝缘，并使其免受外界影响。
图4B是沿着图3的线II-II截取的剖面图，其示出了单位像素的驱动晶体管和有机电致发光显示装置。
有机电致发光装置包含其上形成有有机电致发光层并且连接到第二有源层305的第一电极307；有机电致发光层308，形成在通过对形成在第四绝缘层406上的第五绝缘层407进行构图而限定的区域；以及第二电极408，形成在有机电致发光层308上。
如上所述，由于有机电致发光装置设置有多个薄膜图案，所以使用大量的光刻工艺，这增大了有机电致发光显示装置的成本。
图1是示出根据现有技术的有机电致发光显示装置的结构的剖面图；图2是示出根据现有技术的有机电致发光显示装置的单位像素的电路图；图3是示出根据现有技术的有机电致发光显示装置的单位像素的平面图；图4A是沿着图3的线I-I截取的剖面图，其示出了根据现有技术的有机电致发光显示装置的单位像素；图4B是沿着图3的线II-II截取的剖面图，其示出了根据现有技术的有机电致发光显示装置的单位像素；
图5是示出有机电致发光显示装置的单位像素的平面图；图6A是沿着图5的线III-III截取的剖面图，其示出了有机电致发光显示装置的单位像素；图6B是沿着图5的线IV-IV截取的剖面图，其示出了有机电致发光显示装置的单位像素；图7A至7E是示出制造关于图6A的剖面图的有机电致发光显示装置的方法的剖面图；图8A至8E是示出制造有机电致发光显示装置的方法的平面图；图9A至9C是示出制造有机电致发光显示装置的方法的剖面图；以及图10A至10C是示出制造有机电致发光显示装置的方法的剖面图。
具体实施例方式
参照附图可以更好地理解示例性实施例，但是这些示例并非旨在作为限制的性质。相同或者不同的图中的相同编号的元件执行等效的功能。
图5是示出有机电致发光显示装置的单位像素的平面图，图6A和6B是沿着图5的线III-III和IV-IV截取的剖面图，单位像素由选通线501和与选通线501垂直的数据线502限定。在单位像素中形成有具有有机电致发光层的有机电致发光装置550。在单位像素中形成有连接到选通线501和数据线502的开关装置530以及由开关装置控制的驱动装置540。开关装置530和驱动装置540可以是薄膜晶体管。
与数据线502平行地设置有第一电源线503，并且该第一电源线503连接到驱动装置540。形成有分别构成开关装置530和驱动装置540的沟道的第一有源图案504和第二有源图案505。有源图案可以由多晶硅形成。有源图案504和505各自包含掺杂有杂质离子的源区域和漏区域。
在第一电源线503的上部设置有与第一电源线503交叠以形成存储电容器的存储电极510。
形成有第一连接图案507，用于连接第一有源图案504的漏区域、驱动装置的栅极506和存储电极510；第二连接图案509，用于将第二有源图案505的源区域连接到第一电源线503；以及第三连接图案508，用于将第二有源图案505的漏区域连接到有机电致发光装置550。
有机电致发光部分550可以具有有机电致发光层和电极。电极形成在有机电致发光部分的两个相对表面。
第一电极511通过第三连接图案508连接到驱动装置540，第一电极511可以由层叠层的多个层(包括诸如ITO的透明电极511a和诸如Al的导电层511b)形成。第一电极511和第一电源线503可以具有相同的层叠结构，并且可以形成在相同层上。
去除了透明电极层511a上的导电层511b以使得可以暴露出透明电极层511a。在第一电极511的中间部分暴露出透明电极层511a，第一电极511的周缘具有包括透明电极层511a和导电层511b的层叠结构从而沿着周边形成岸(bank)。因此，有机电致发光部分550具有由岸的边缘限定的有机电致发光层区域，在有机电致发光层部分550形成有有机电致发光层512(参见图6B)。因此，有机电致发光层512以透明电极层511a作为一个电极的一部分，其边缘基本由透明电极层511a和导电层511b层叠而形成的岸包围。在另一实施例中，可以将导电层511b完全去除而不是留下岸。在这种情况下，仅留下透明电极层。
在有机电致发光部分550上还设置有构成有机电致发光装置的另一电极的第二电极(未示出)。第一电极511可以是阳极，第二电极可以是阴极。电极可以根据驱动装置的类型(即，P型TFT或者N型TFT的驱动装置)而具有与上述极性相反的极性。
图6A和6B中示出了单位像素的剖面结构。在基板601上形成有第一有源图案504和第二有源图案505。在基板601上还设置有由硅氮化物层或者硅氧化物层形成的缓冲层602，该缓冲层602用于保护由多晶硅形成的有源图案504和505，有源图案504和505形成在该缓冲层602上。第一有源图案504和第二有源图案505覆盖有第一绝缘层603。
在具有覆盖有源图案504和505的第一绝缘层603的基板601上形成有第一电源线503和有机电致发光装置的第一电极511。第一电源线503和第一电极511可以具有由诸如ITO的透明电极511a和诸如Al的导电层511b形成的双层结构。透明电极511a可以形成有机电致发光装置的第一电极，导电层511b可以形成第一电源线503的导电线。有源图案、第一电源线503和导电层511b覆盖有第二绝缘层604。
存储电极510可以与第一电源线503交叠以形成存储电容器，在第二绝缘层604上形成有选通线501。存储电极510和选通线501可以形成在相同的第二绝缘层604上。与第一有源图案504交叠的选通线部分形成开关装置的栅极501a。选通线501和存储电极510覆盖有第三绝缘层605。
在绝缘层上可以形成有多个接触孔以暴露出有源图案504和505、存储电极510以及有机电致发光装置的第一电极511。所述多个接触孔包含用于暴露出第一有源图案504和第二有源图案505的源区域和漏区域、存储电极510、驱动装置540的栅极506、第一电源线503以及第一电极511的接触孔。
在其上形成有接触孔的第三绝缘层605上形成有多个连接图案。即，在第三绝缘层605上形成有第一连接图案507，用于连接第一有源图案504的漏、驱动装置的栅极506和存储电极510；第二连接图案509，用于将第一电源线503连接到第二有源图案505的源；以及第三连接图案508，用于将第二有源图案505的漏连接到有机电致发光装置的第一电极511。在第三绝缘层605上可以设置有连接到第一有源图案504的源的数据线502。
由于通过选通线501和数据线502来操纵开关装置530，所以操纵驱动装置540的栅极506，从第一电源线503向有机电致发光显示部分550提供驱动信号。
数据线502和多个连接图案覆盖有第四绝缘层606。
有机电致发光部分在其两个相对的表面设置有电极，在电极之间设置有有机电致发光层512。
图6B是沿着图5的线IV-IV截取的剖面图。
有机电致发光装置包括第一电极511、连接到第一电极511的有机电致发光层512、以及形成在有机电致发光层512上的第二电极608。
第二电极608由诸如Al的不透明金属层形成，第一电极511的导电层511b被去除以使得从有机电致发光层512产生的光可以透过透明基板601透射到外部。
第一电极511由包括透明电极层511a和导电层511b的多层形成。去除这些层的一部分(可以包括与透明电极层511a交叠的导电层511b)以使得从有机电致发光层512产生的光可以透射到外部。
可以仅去除导电层511b的中间部分以使得可以在有机电致发光层512的周缘形成由透明电极层511a和导电层511b层叠而形成的岸。优选地将岸的宽度形成得窄从而增大孔径比。
岸限定了要随后形成的有机电致发光层的周缘，并且将从有机电致发光层512产生的光集中以使得光可以垂直表面地透射到基板601。
由于有机电致发光层512仅仅形成在岸限定的凹部且透明电极层511a的顶部上，所以光不会侧向泄漏而可以垂直表面地指向基板601表面。
有机电致发光层512形成在包括岸的第一电极511上，在有机电致发光层512上形成有第二电极608。有机电致发光层512可以由多层形成，例如有机电致发光层、电子传输层、空穴传输层、电子发射层和空穴发射层(未分别示出)。
将参照图7A到7E和图8A到8E来描述制造有机电致发光显示装置的方法。
图7A到7E是对应于图6A的剖面图的图，图8A到8E是对应于图6A的平面图的图。
如图7A所示，可以在透明基板601上由硅氧化物层或者硅氮化物层形成缓冲层602。当形成在缓冲层602上的硅层结晶时，缓冲层602防止基板的杂质传入硅层。
然后，在缓冲层602上形成开关装置和驱动装置的有源图案。有源图案的形成可以包括在缓冲层上形成非晶硅层，使非晶硅层结晶，并对结晶的硅层进行构图。例如可以通过等离子化学气相淀积方法(PECVD)来在缓冲层602上形成非晶硅层。例如通过加热方法、激光结晶方法或者快速加热方法(RTA)来使非晶硅层结晶。优选地，使用具有小晶界的激光结晶方法。
通过使用激光结晶方法，硅层具有高电迁移率并且可以产生适于快速操作的开关装置和驱动装置。
通过光刻工艺对结晶硅进行构图。作为构图的结果，形成第一有源图案504和第二有源图案505。
图8A是有源图案504和505的平面图。第一有源图案504和第二有源图案505形成在各个单位像素。
如图7B和8B所示，在基板601上形成覆盖有源图案504和505的第一绝缘层603，在第一绝缘层603上形成第一电源线503和有机电致发光装置的第一电极511。
可以通过层叠透明电极材料和导电层来形成第一电源线503和第一电极511。
如图8B所示，形成第一电源线503和第一电极511包括例如通过溅射方法在第一绝缘层603上形成诸如ITO的透明电极层503a，在透明电极层503b上形成诸如Al的导电层503a，并且通过光刻工艺对该层叠进行构图。
如图7C和8C所示，可以形成覆盖第一电源线503和第一电极511的第二绝缘层604。可以通过气相淀积硅氮化物或者硅氧化物来形成第二绝缘层604。
在第二绝缘层604上形成选通线501、驱动装置的栅极506、以及与第一电源线503交叠的存储电极510。选通线501、栅极506和存储电极510的形成可以包括在第二绝缘层604上溅射金属层并对该金属层进行光刻。
可以形成覆盖选通线501、栅极506和存储电极510的第三绝缘层605，并形成接触孔。
图7D和图8D示出了接触孔的形成。在第三绝缘层605上淀积光刻胶层，对掩模进行定位，并进行曝光，从而限定接触孔图案。可以通过对光刻胶进行曝光和显影形成接触孔图案。通过使用接触孔图案作为掩模，可以顺序地对绝缘层603、604和605进行刻蚀，以暴露出第一有源图案504和第二有源图案505的源区域/漏区域、存储电极510、栅极506、第一电源线503和有机电致发光装置的第一电极511。
在第三绝缘层605上形成数据线502和多个连接图案。
连接图案包括第一连接图案507，用于连接第一有源图案504的漏区域、栅极506和存储电极510；第二连接图案509，用于将第二有源图案505连接到第一电源线；以及第三连接图案508，用于将第二有源图案505的漏区域连接到有机电致发光装置的第一电极511。
形成连接图案和数据线502可以包括在包括接触孔的第三绝缘层605上溅射导电层并对该导电层进行光刻。
图8E是连接图案和数据线的平面图。
参照图7E，可以通过PECVD方法形成用于覆盖连接图案和数据线502的第四绝缘层606。
图9A到9C示出了包括第一电极511的有机电致发光部分的形成。
参照图9A，在有机电致发光装置的第一电极511上形成第二绝缘层604、第三绝缘层605和第四绝缘层606。去除部分的第二绝缘层604、第三绝缘层605和第四绝缘层606以及导电层511b，以暴露出第一电极的透明电极层。参照图9B，可以通过干法刻蚀来去除部分的第二绝缘层604、第三绝缘层605和第四绝缘层606，可以通过湿法刻蚀来去除导电层511b。在形成了第四绝缘层606之后，进行对有机电致发光装置的透明电极层511a的暴露。可以留下第一电极511的边缘的导电层511b从而与较低的透明电极层511a形成岸701。
如图9C所示，在透明电极层511a上形成有机电致发光层512。然后，在有机电致发光层512上形成第二电极608，从而完成有机电致发光显示装置。
图10A到10C示出了形成有机电致发光部分的另一实施例。
参照图10A，在有机电致发光装置的第一电极511上形成第二绝缘层604、第三绝缘层605和第四绝缘层606。去除部分的第二绝缘层604、第三绝缘层605和第四绝缘层606，以暴露出第一电极的导电层511b。参照图10B，可以通过干法刻蚀去除部分的第二绝缘层604、第三绝缘层605和第四绝缘层606。在形成了第四绝缘层606之后，进行对有机电致发光装置的导电层511b的暴露。因此，与图9A至9C所示的实施例不同，保留了整个导电层511b，而不是仅在第一电极511的边缘保留导电层511b。因此，在本实施例中，导电层511b和透明电极层511a具有基本相同的面积。
如图10C所示，在整个导电层511b和透明电极层511a上形成有机电致发光层512。然后，在有机电致发光层512上形成第二电极608，从而完成有机电致发光显示装置。
在不同实施例中，可以在形成第一电源线之前形成有机电致发光装置的第一电极，可以将第一电源线和第一电极同时形成在同一层上。由此，减少了整个工艺的数量。由于在本发明中将两个彼此面对的金属层用作存储电极，所以可以比使用金属层和硅层的常规方法更可靠地获得存储电容器。也减少了掩模的数量和光刻的数量。
虽然通过上述示例对本发明进行了说明，但是本领域普通技术人员应该理解，本发明不限于这些示例，而可以在不脱离本发明的精神的情况下对其进行各种修改或者变化。因此，本发明地范围应该仅由所附权利要求及其等同物确定。
权利要求
1.一种有机电致发光显示装置，包含其上设置有电源线的第一基板；与所述第一基板相对的第二基板；以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的有机电致发光层，该有机电致发光层设置在第一电极与第二电极之间，其中，所述电源线包含多个导电层。
2.根据权利要求1的有机电致发光显示装置，其中，所述第一电极包含透明层。
3.根据权利要求2的有机电致发光显示装置，其中，所述第一电极还包含不透明层。
4.根据权利要求3的有机电致发光显示装置，其中，所述不透明层形成在所述有机电致发光层的周边部分，基本包围所述有机电致发光层的周边。
5.根据权利要求4的有机电致发光显示装置，其中，所述不透明层仅形成在所述周边部分。
6.根据权利要求5的有机电致发光显示装置，其中，所述第一电极被设置得比所述第二电极更靠近所述第一基板。
7.根据权利要求3的有机电致发光显示装置，其中，所述不透明层与所述透明层具有基本相同的面积。
8.根据权利要求1的有机电致发光显示装置，其中，所述第一电极与所述电源线包含相同的导电层。
9.根据权利要求2的有机电致发光显示装置，其中，所述第二电极包含不透明层。
10.根据权利要求9的有机电致发光显示装置，其中，所述第一电极被设置得比所述第二电极更靠近所述第一基板。
11.根据权利要求10的有机电致发光显示装置，其中，所述第一电极还包含不透明层。
12.根据权利要求11的有机电致发光显示装置，其中，所述不透明层形成在所述有机电致发光层的周边部分，基本包围所述有机电致发光层的周边。
13.根据权利要求12的有机电致发光显示装置，其中，所述不透明层仅形成在所述周边部分。
14.根据权利要求1的有机电致发光显示装置，其中，在所述第一基板上形成有选通线、栅极和存储电极，所述选通线、栅极和存储电极由相同材料形成并且形成在相同层上。
15.根据权利要求14的有机电致发光显示装置，其中，所述存储电极被设置在所述电源线的上方，在所述存储电极与所述电源线之间设置有绝缘层。
16.根据权利要求1的有机电致发光显示装置，还包含第一连接图案，连接开关装置的漏、半导体驱动装置的栅极和存储电极；第二连接图案，将所述电源线连接到所述半导体驱动装置的源；以及第三连接图案，将所述半导体驱动装置的漏连接到所述第一电极。
17.根据权利要求16的有机电致发光显示装置，其中，所述第一连接图案、所述第二连接图案、所述第三连接图案和数据线由相同材料形成并且形成在相同层上。
18.根据权利要求16的有机电致发光显示装置，其中，数据线连接到所述开关装置的源并且所述第一连接图案连接到所述存储电极。
19.一种制造有机电致发光显示装置的方法，该方法包含以下步骤在基板上形成包含相同的多层结构的电源线和第一电极；形成覆盖所述电源线和所述第一电极的绝缘层；在所述第一电极上形成有机电致发光层；以及在所述有机电致发光层上形成第二电极。
20.根据权利要求19的方法，其中，所述第一电极包含透明层。
21.根据权利要求20的方法，其中，所述第一电极还包含不透明层。
22.根据权利要求21的方法，其中，所述不透明层与所述透明层具有基本相同的面积。
23.根据权利要求21的方法，其中，在所述有机电致发光层的周边部分形成所述不透明层，基本包围所述有机电致发光层的周边。
24.根据权利要求23的方法，其中，仅在所述周边部分形成所述不透明层。
25.根据权利要求24的方法，其中，将所述第一电极设置得比所述第二电极更靠近所述基板。
26.根据权利要求20的方法，其中，所述第二电极包含不透明层。
27.根据权利要求26的方法，其中，将所述第一电极设置得比所述第二电极更靠近所述基板。
28.根据权利要求27的方法，其中，所述第一电极还包含不透明层。
29.根据权利要求28的方法，其中，在所述有机电致发光层的周边部分形成所述不透明层，基本包围所述有机电致发光层的周边。
30.根据权利要求29的方法，其中，仅在所述周边部分形成所述不透明层。
31.根据权利要求19的方法，还包含在所述基板上由相同材料并在相同层形成选通线、栅极和存储电极的步骤。
32.根据权利要求31的方法，其中，在所述电源线的上方设置所述存储电极，在所述电源线与所述存储电极之间设置绝缘层。
33.根据权利要求19的方法，还包含以下步骤形成连接开关装置的漏、半导体驱动装置的栅极和存储电极的第一连接图案；形成将所述电源线连接到所述半导体驱动装置的源的第二连接图案；以及形成将所述半导体驱动装置的漏连接到所述第一电极的第三连接图案。
34.根据权利要求33的方法，其中，由相同材料在相同层形成所述第一连接图案、所述第二连接图案、所述第三连接图案和数据线。
35.根据权利要求33的方法，其中，数据线连接到所述开关装置的源并且所述第一连接图案连接到所述存储电极。
36.一种制造有机电致发光显示装置的方法，该方法包含以下步骤在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成第一有源图案和第二有源图案；形成覆盖所述第一有源图案和第二有源图案的第一绝缘层；形成第一电源线和第一电极层，所述第一电极层包含透明层和不透明层；形成覆盖所述第一有源图案和第二有源图案、所述第一电源线以及所述第一电极层的第二绝缘层；形成选通线，第一栅极形成在所述第二有源图案上，在所述第二绝缘层上与所述第一电源线交叠地形成存储电极；形成覆盖所述选通线、所述第一栅极和所述存储电极的第三绝缘层；形成接触孔，所述接触孔暴露出部分的所述第一有源图案和第二有源图案、所述存储电极、所述第一栅极、所述第一电源线和所述第一电极层；形成连接到所述第一有源图案的源的数据线，连接所述第一有源图案的漏、所述存储电极和所述第一栅极的第一连接图案，将所述第一电源线连接到所述第二有源图案的源的第二连接图案，以及将所述第二有源图案的漏连接到所述第一电极层的第三连接图案；形成覆盖所述第一连接图案、第二连接图案和第三连接图案的第四绝缘层；通过去除所有绝缘层的覆盖所述第一电极层的部分而暴露出所述第一电极层；在所述第一电极层的暴露部分上形成有机电致发光层；以及在所述有机电致发光层上形成第二电极层。
37.根据权利要求36的方法，其中，形成所述第一电源线和所述第一电极层的步骤包含以下步骤在所述基板上形成透明电极层；在所述透明电极层上形成导电电极层；以及对所述透明电极层和所述导电电极层进行构图以形成所述第一电源线和所述第一电极层。
38.根据权利要求36的方法，其中，暴露所述第一电极层的步骤包含以下步骤去除设置在部分不透明层的上方的所述第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层；以及去除所述部分不透明层，由此暴露出所述透明层从而在所述透明层上形成所述有机电致发光层。
39.根据权利要求38的方法，其中，所述第二电极层包含不透明层。
40.根据权利要求36的方法，其中，暴露所述第一电极层的步骤包含以下步骤去除设置在部分不透明层的上方的所述第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层，由此暴露出所述不透明层从而在所述不透明层上形成所述有机电致发光层。
41.根据权利要求40的方法，其中，所述第二电极层包含透明层。
42.根据权利要求36的方法，还包含通过使用所述选通线和所述第一栅极作为掩模来对所述第一有源图案和所述第二有源图案进行离子掺杂的步骤。
43.根据权利要求36的方法，其中，形成所述第一有源图案和所述第二有源图案的步骤包含以下步骤在所述缓冲层上形成非晶硅层；使所述非晶硅层结晶；以及对结晶的硅层进行构图。
全文摘要
公开了一种有机电致发光显示装置及其制造方法。该有机电致发光显示装置包含由选通线和与选通线垂直的数据线限定的像素、形成在单位像素中的开关装置和驱动装置、第一电源线、用于向驱动装置提供驱动信号的透明电极层和导电电极层、与第一电源线交叠以在其间插入绝缘层的存储电极、以及有机电致发光层。
文档编号H05B33/02GK1878438SQ20051011496
公开日2006年12月13日 申请日期2005年11月16日 优先权日2005年6月7日
发明者梁埈荣, 李正一 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社