专利名称：：改进的电极，内层、电容器和印刷电路板及制造方法-部分Ⅱ的制作方法
技术领域：
：本
技术领域：
是在印刷电路板(PWB)中嵌埋的电容器。更具体地，本
技术领域：
包括在印刷电路板中嵌埋由厚膜电介质和电极构成的电容器。
背景技术：
：将高电容密度的电容器嵌埋在印刷电路板中能够减小电路的尺寸并提高电路的性能。电容器通常嵌埋在堆叠的板中并通过互连电路连接，所述板的堆叠体形成多层印刷电路板。堆叠的板一般称作"内层板"。己知通过箔上烧制技术形成嵌埋在印刷电路板中的无源电路元件。"独立箔上烧制"的电容器可通过以下方式形成在金属箔基片上沉积至少一种厚膜介电层并干燥，然后在该厚膜电容器介电层上沉积厚膜电极材料并干燥，最后在铜厚膜烧制条件下对该电容器结构进行烧制。美国专利申请公报US2004/0099999Al和US2004/023361Al公开了这种方法。烧制后，将制成的制品层叠在预浸渍介电层上，对金属箔进行蚀刻，形成电容器的电极和所有相关电路，形成含厚膜电容器的内层板。然后，将该内层板层叠并与其他内层板互连，形成多层印刷电路板。厚膜介电材料在烧制后应具有高介电常数(K)。适合丝网印刷的高K厚膜介电糊料可通过以下方式形成将高介电常数的粉料("功能相")与玻璃粉混合，并将该混合物分散到厚膜丝网印刷载剂中。玻璃可以是玻璃质的或结晶的，取决于其组成。在厚膜介电材料的烧制期间，介电材料的玻璃组分在达到峰值烧制温度之前软化并流动。在保持峰值温度期间介电材料熔合并包封功能相，形成箔上烧制的电容器结构。玻璃随后结晶，沉淀所有需要的相。铜是形成电极的优选材料。适合丝网印刷的厚膜铜电极糊料可以通过以下方式形成将铜粉与少量玻璃粉混合，并将该混合物分散到厚膜丝网印刷载剂中。但是，厚膜铜和厚膜电容器电介质之间较大的温度膨胀系数(TCE)差以及烧制期间的收縮差异常在电极的周边外围的电介质中产生张应力。张应力可导致在电极周边的电介质产生碎裂，如图1A和图1B所示。在极端情况，裂纹沿所有方向向下扩展到铜箔。这种碎裂是不希望的，因为会影响电容器的长期可靠性。能消除导致这种碎裂的状况的备选电容器结构设计将是有利的。共同转让的发明(案巻号EL-0593USPRV(Maj咖dar等)美国临时申请第60/692,119号(于2005年6月20日提交)被本申请要求为优先权，并且是本发明人发明的，该申请提供了形成电极和内层、嵌埋箔上烧制的厚膜电容器和形成印刷电路板(PWB)的新颖方法，这些方法除了形成电极、内层、电容器和印刷电路板外还避免了电介质中的碎裂。但是，采用上述发明，在PWB最外层(第一层和/或最后一层)上设置嵌埋电容器和使用镀敷通孔(PTH)通道都是不可能的。本发明成功地解决了这些缺陷。触；发明概述本文公开一种形成嵌埋的电容器的方法，该方法包括以下步骤提供金属箔；在该金属箔上形成陶瓷电介质；在大部分所述电介质和至少一部分所述金属箔上形成电极；在碱金属(basemetal)烧制条件下对该电容器结构进行烧制；和对金属箔进行蚀刻，形成第二电极。还公开一种形成电容器的方法，该方法包括提供金属箔；在金属箔上形成绝缘隔离层；在金属箔上形成陶瓷电介质，其中，该电介质被绝缘隔离层包围并与该层接在大部分绝缘隔离层和一部分金属箔上，在大部分或者全部电介质上形成第一电极；在碱金属烧制条件下对该电容器结构进行烧制；和对金属箔进行蚀刻，形成第二电极。该描述中，"在碱金属烧制条件下对电容器结构进行烧制；以及对金属箔进行蚀刻，形成第二电极"中的词语"在碱金属烧制条件下对电容器结构进行烧制"表示在惰性气氛例如氩气或氮气中，于大于或等于75(TC的温度进行烧制。烧制可以在热壁或箱式炉中进行。在详细说明中揭示了本发明的进一步的结构。还公开了通过上述方法形成的电容器以及包含这些电容器的其他器件。这些器件包括但不限于内插件，印刷电路板，多芯片模块，区域阵列封装(areaarraypackage),封装上的系统和封装内的系统。附图简述参见以下附图进行详细描述，其中图1A-1B是在现有技术设计的常规箔上烧制的电容器中观察到的裂纹的示意图。图2A-2K是显示制造具有箔上烧制的嵌埋的电容器的印刷电路板的方法的一系列视图，所述电容器具有覆盖了大部分的电介质的印刷的电极。一些或全部未被覆盖的电介质在电容器的顶部电极和底部电极之间提供所需的绝缘，使电容器能够将一个电极与一个镀敷通孔通道相连，如图2L所示。图3A-3P是显示制造具有箔上烧制的嵌埋的电容器的印刷电路板的方法的一系列视图，所述电容器具有在电介质周围的绝缘隔离层和覆盖大部分隔离层的印刷的电极。所述绝缘隔离层可以是与电介质相同的材料或具有足够的绝缘电阻的不同材料，从而在其厚度上使一对电极电隔离。图4示出对图3所示的厚膜电容器布局的另一种设计。根据常规实践，附图中的各种特征不必按照比例绘制。各种特征的尺寸可以放大或縮小，以更清楚地说明本发明的实施方式。发明详述本文揭示的方法和产品有各种结构。根据第一实施方式，提供一种制造箔上烧制的单介电层电容器结构的方法，该方法包括提供金属箔；在金属箔上形成电容器的电介质；在大部分电介质和部分或全部金属箔上形成第一电极，并在铜厚膜烧制条件下对该电容器结构进行烧制。根据第二实施方式，提供一种制造箔上烧制的单电介质层电容器结构的方法，该方法包括6提供金属箔；在金属箔上形成绝缘隔离层；在金属箔上形成电容器的电介质，至由该绝缘隔离层产生的外壳;在大部分电介质和部分或全部绝缘隔离层上形成第一电极，并在铜厚膜烧制条件下对该电容器结构进行烧制。根据第三实施方式，提供一种制造箔上烧制的单电介质层电容器结构的方法，该方法包括提供金属箔；在金属箔上形成绝缘隔离层；在金属箔上形成电容器的电介质，至由该绝缘隔离层产生的外壳；在大部分电介质和部分或全部绝缘隔离层以及一部分金属箔上形成第一电极，并在铜厚膜烧制条件下对该电容器结构进行烧制。根据另一个实施方式，提供一种制造箔上烧制的嵌埋的电容器内层的方法，该方法包括将箔上烧制的电容器结构的有元件的一面层叠到预浸渍材料上，对金属箔进行蚀刻，形成第一和第二电极。根据又一个实施方式，提供制造具有箔上烧制的嵌埋的电容器的多层印刷电路板的方法，该方法包括将箔上烧制的嵌埋的电容器的内层层叠到另外的预浸渍材料上，形成至少一个通过该预浸渍材料的通道，从而与至少一个电极相连。根据上述实施方式，电极覆盖了大部分的电介质，并对该电介质施加压应力，因而消除张应力。这样能够制造无裂纹的箔上烧制的电容器并嵌埋在多层印刷电路板内。此外，在上述实施方式中，绝缘层还可以用作阻挡层，以保护电容器的电介质免于蚀刻化学品的破坏。因而提高了电容器的可靠性。虽然按照形成印刷电路板描述了本发明，但是本领域的技术人员应理解，本发明的实施方式可用于各种器件，包括内插件，印刷电路板，多芯片模块，区域阵列封装，封装上的系统和封装内的系统。图2A-2K图示制造具有单层嵌埋的电容器的多层印刷电路板2010(图2J)的第一方法，该电容器具有在金属箔图案上的箔上烧制的电容器，其中印刷的电极覆盖大部分电介质和一部分金属箔。为说明的目的，在图2A-2K中示出形成的两个嵌埋的电容器。然而，采用本说明书中所述的方法可以在箔上形成一个、两个、三个或更多个电容器。为了简便，下面的描述是针对仅形成一个所示电容器提出的。图2A-2D和2F-21以及2J是正视的剖面图。图2E是图2D的俯视图。图2K是图2J的仰视图。图2A中，提供金属箔210。该金属箔210可以是工业上一般易得的类型。例如，金属箔210可以是铜，铜-不胀钢-铜，不胀钢，镍，涂覆镍的铜，或其他熔点高于厚膜糊料烧制温度的金属和合金。合适的箔包括主要包含铜的箔，如背面处理过的铜箔，双面处理过的铜箔，以及在多层印刷电路板工业中常用的其他铜箔。金属箔210的厚度在例如约1-100微米范围。其他厚度范围包括3-75微米，更优选12-36微米。这些厚度范围相应于约1/3盎司至1盎司的铜箔。在一些实施方式中，所述箔210通过在其上施用底印刷层(underprint)212并进行烧制进行预处理。在图2A中示出的底印刷层212作为表面涂层，并且可能是施用于箔210的元件侧表面上的相对薄层。底印刷层212能与金属箔210及沉积在该底印刷层上的层良好粘合。底印刷层212可以例如由施涂于箔210的糊料在低于箔210熔点的温度下烧制后形成。可以将底印刷糊料印刷在箔210是整个表面上作为疏涂层(opencoating),或者印刷在箔210的选择区域上。将底印刷糊料印刷在箔210的选择区域上一般比印刷在整个箔210上更经济。但是，如果对铜箔210进行氧掺杂烧制，则优选涂覆箔210的整个表面，因为底印刷层中的玻璃含量会有损于铜箔210的氧化腐蚀。其他适合用作底印刷层的厚膜铜糊料(在美国专利申请10/801326中揭示；代理人案巻号No.EL-0545(Borland等)，参考结合于本文)具有以下组成(相对质量)铜粉58.4玻璃A1.7氧化亚铜粉5.8载剂11.7TEXANOL⑧溶剂12.9表面活性剂__总量91.0该组成中玻璃A包含锗酸铅，组成PBsGE30n载剂包含乙基纤维素N20011%TEX認0L⑧89%表面活性剂包含VARIQUATCC-9NS表面活性剂TEXANOL⑧可从伊斯曼化学公司(EastmanChemicalCo)得到。VARIQUATCC-9NS可从阿旭兰德公司(AshlandInc)获得。将电容器的介电材料220沉积在经过预处理的箔210的底印刷层212上，形成第一电容器介电材料层220，如图2A所示。电容器的介电材料可以是例如丝网印刷或钢印(stencile)在箔210上的厚膜电容器糊料。然后，对第一电容器介电材料层220进行干燥。图2B中，然后，施涂第二电容器介电材料层225并干燥。在另一个实施方式中，在单一丝网印刷步骤中，沉积单层电容器介电材料，其厚度等价于两个层220，225的厚度。其他适合用于箔上烧制实施方式的厚膜电容器材料(在美国专利申请10/801257中揭示；代理人案巻号No,EL-0545(Borland等)，参考结合于本文)具有以下组成(相对质量)<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>该组成中，玻璃A包含:玻璃B包含:玻璃C包含:载剂包含氧化剂包含:锗酸铅，组成PBsGE30nPB4BAGE"SI,.s0nPBsGESITIOn乙基纤维素N20011%TEXANOUD溶剂89%硝酸钡粉84%载剂16°%图2C中，主要在第二电容器介电材料层225和金属箔在电容器电介质周围的部分上形成导电材料层230，以形成第一电极，并干燥。导电材料层230可以通过例如将糊料金属糊料丝网印刷在第二电容器介电材料层225上来形成。用来形成底印刷层212的糊料也适合用于形成导电材料层230。然后，将第一电容器介电材料层220，第二电容器介电材料层225和形成第一电极的导电材料层230共同烧制，将所得的结构烧结在一起。在图2D中示出烧制后的结构部分的正视图。烧制产生由电容器介电材料层220和225形成的单一电容器电介质228，因为在共烧制期间有效去除了电容器电介质层220和225之间的边界。在共烧制步骤还形成主要包封电容器电介质层228的顶部电极232。从顶部俯视，电容器外观如图2E所示。当在氮气中于约900。C峰值温度在铜箔上烧制10分钟时，产生的电容器电介质228的介电常数约为3000，耗散因数约为2.5%。可以采用其他烧制条件，以获得对电容器电介质228的不同材料性质。在图2F中，箔与具有第一电极232的预浸渍材料240层叠，第一电极232覆盖面向该预浸渍材料的大部分电容器电介质228。例如可以在标准印刷电路板方法中使用FR4预浸渍材料进行层叠。一个实施方式中，可以使用106环氧预浸渍材料。合适的层叠条件例如是在抽真空至28英寸汞柱的真空室内，185°C，208psig条件下处理1小时。将箔250施用于层叠材料240的相反面，提供形成电路的表面。使有机硅橡胶压片(presspad)和光滑的填充PTFE的玻璃脱模片(releasesheet)与箔210和250接触，防止环氧树脂将层叠片胶合在一起。层叠材料240可以是任何类型的介电材料，例如，标准环氧树脂，高Tg环氧树脂，聚酰亚胺，聚四氟乙烯，氰酸酯树脂，填充树脂体系，BT环氧树脂，以及能在电路层之间提供绝缘的其他树脂和层叠物。参见图2G,层叠之后，在箔210和箔250上施涂光刻胶。将光刻胶成像并显影，形成光刻胶图案260和262。参见图2H，对箔210和250进行蚀刻，使用例如标准印刷电路板处理条件剥离光刻胶260和262，形成图2I所示的制品。蚀刻在箔210中形成沟槽215，并生第二电容器的箔电极218，该电极与箔的剩余部分以及第一电极232隔离。第二电容器箔电极218，电介质228和第一电极232形成电容器200。蚀刻过程还由箔210形成铜片217和219，箔210可以用作连接电容器电极232的通道片。还由箔250形成电路252,254，256。参见图2J，可以将另外的层叠物和铜箔对层叠到制品2001上，如图21所示，并钻出PTH通道2020和/或微通道，并进行镀敷。可以将光刻胶加到外部铜层上，并进行成像和显影。然后，采用标准印刷电路条件，对外层铜箔进行蚀刻，将残留的光刻胶剥离，完成印刷电路板2010。图2K是图2J所示的制品的仰视图。在图2K中，示出由蚀刻箔210中的沟槽215形成的两个电容器200。但是，该数量是举例的，按照本文揭示的实施方式，由箔可以形成任何数量的电容器。但是，图2J示出两个类似结构的电容器200，该实施方式能够形成不同尺寸和/或形状的电容器。所述的制造方法适合于图2J所示的四金属层的印刷电路板2010，该电路板在与其外层相邻的层中具有嵌埋的电容器200。但是，可以改变制造顺序，并且印刷电路板可以具有任意数量的层。该实施方式的嵌埋电容器还可以位于多层印刷电路板中的任意层中。也可以使用机械钻孔并镀敷的通孔通道，将电路与电容器箔电极232相连。图3A-3N图示制造具有嵌埋的电容器的多层印刷电路板3000(图3N)的方法，该电容器具有在金属箔图案上的箔上烧制的电容器，其中印刷的电极覆盖大部分电介质和一部分绝缘隔离层。为说明的目的，在图3A-3N中示出形成的两个嵌埋的电容器。然而，采用本说明书中所述的方法可以在箔上形成一个、两个、三个或更多个电容器。为了简便，下面的描述是针对仅形成一个所示电容器提出的。图3A-3E，3I-3L和3N-3P是正视剖面图。图3F，3G和3H分别是图3A，3C和3E的俯视图。图3M是图3N的仰视图。图3A中，提供金属箔310。金属箔310可以是在第一实施方式中一般性描述的类型，并且还可以按照第一实施方式中所述，通过在箔310上施用底印刷层312并进行烧制，对该金属箔进行预处理。在该底印刷层312上沉积绝缘隔离层313，因此形成外壳。合适的绝缘隔离层可以是填充绝缘陶瓷的玻璃组合物，该组合物与铜一起在铜厚膜烧制条件下共烧制时不会碎裂。形成的制品俯视图示于图3F。参见图3B，将第一实施方式中所述的电容器介电材料沉积在经过预处理的箔310的底印刷层312上，至由该绝缘隔离层313形成的封闭区域，形成第一电容器介电材料层320。然后，对第一电容器介电材料层320进行干燥。然后，施涂第二电容器介电材料层325并干燥。在另一个实施方式中，在单一丝网印刷步骤中，沉积单层电容器介电材料，其厚度等价于两个层320，325的厚度。图3G是图3C的俯视图。在图3D中，在大部分第二介电材料层325和一部分绝缘隔离层313上形成导电材料层330，并干燥。导电材料层330可以通过例如将在第一实施方式中所述的厚膜金属糊料丝网印刷在第二介电材料层325上来形成。然后，将绝缘隔离层313，第一电容器介电材料层320，第二电容器介电材料层325和形成第一电极的导电材料层330共同烧制，将所得的结构烧结在一起。在图3E中示出烧制后的结构部分的正视图。烧制产生由电容器介电材料层320和325形成的单一电容器电介质328，因为在共烧制期间有效去除了电容器电介质层320和325之间的边界。通过烧制，将绝缘隔离层314与单一电容器电介质328接合。在共烧制步骤还形成主要包封电容器电介质层328的顶部电极332。电容器电介质层328的表面积小于导电材料层332的表面积。当在氮气中于约90(TC峰值温度在铜箔上烧制10分钟时，产生的电容器电介质328的介电常数约为3000，耗散因数约为2.5%。可以采用其他烧制条件，以获得对电容器电介质328的不同材料性质。图3H是图3E的俯视图。在图3I中，箔与具有第一电极332的预浸渍材料340层叠，第一电极232覆盖面向该预浸渍材料的电容器电介质328。用第一实施方式中所述的材料和处理进行层叠。将箔350施用于层叠材料340的相反面，提供形成电路的表面。参见图3J，层叠之后，在箔310和箔350上施涂光刻胶。将光刻胶成像并显影，形成光刻胶图案360。按照这种制造顺序，在该阶段不对箔350上的光刻胶362进行成像和显影，铜箔350—般在最后外层处理期间进行图案化。对箔310迸行蚀刻，采用例如标准印刷电路板处理条件剥离图3K所示的光刻胶360和362，形成图3L所示的制品。蚀刻步骤在箔310中形成沟槽316，并产生限定的第二电容器箔电极318，该电极与箔的其余部分隔离，而不需要蚀刻化学品与电容器的电介质接触。第二电容器箔电极318，电介质328和第一电极332形成电容器300。参见图3N，钻出通孔通道3020和/或微通道并进行镀敷。可以将光刻胶加到外部铜层370上，并进行成像和显影。然后，采用标准印刷电路条件，对外层铜箔进行蚀刻，形成电路385，并将残留的光刻胶剥离，完成印刷电路板3000，如图3N所示。所述的制造方法适合用于三金属层的印刷电路板3000，该电路板在其中间层具有嵌埋的电容器300。但是，可以改变制造顺序，并且印刷电路板3000可以具12有任意数量的层。该实施方式的嵌埋电容器还可以位于多层印刷电路板中的任意层中。图4示出对图3所示的厚膜电容器布局的另一种设计，其中，印刷的顶部电极覆盖了更大部分或全部的绝缘隔离层。但是，嵌埋图4电容器的方法并非不同于图3所述的方法，并且对本领域技术人员也应是显而易见的。类似地，本领域的技术人员可以将上面的详细概念容易地扩展到多层电容器结构。在上面的实施方式中，厚膜糊料可以包含陶瓷、玻璃、金属或其他固体的细分的颗粒。颗粒的粒度可以在小于或等于l微米左右，并可以分散在"有机载剂"中，所述有机载剂包含溶解于分散剂和有机溶剂的混合物中的聚合物。厚膜介电材料在烧制后可具有高介电常数(K)。例如，高K厚膜电介质可通过以下方式形成将高介电常数的粉料("功能相")与掺杂剂和玻璃粉混合，并将该混合物分散到厚膜丝网印刷载剂中。烧制期间，电容器材料的玻璃组分在达到峰值温度之前软化和流动，熔合并包封功能相，形成烧制的电容器复合物。高K功能相包括通式AB03的钙钕矿，如结晶钛酸钡(BT)，钛酸锆酸铅(leadzirconatetitanate)(PZT)，钛酸锆酸铅镧(leadlanthanumzirconatetitanate)(PLZT)，铌酸铅镁(leadmagnesiumniobate)(PMN)和钛酸钡锶(bariumstrontiumtitanate)(BST)。优选将钛酸钡用于铜箔上烧制的应用，因为钛酸钡相对不受烧制过程中使用的还原条件的影响。通常，介电材料的厚膜玻璃组分对高K功能相为惰性，主要用来将复合物粘结结合在一起，并将电容器复合物与基片接合。优选仅使用少量的玻璃，以使高K功能相的介电常数不被过度减弱。玻璃例如可以是硼硅酸钙-铝，硼硅酸铅-钡，硅酸镁-铝，稀土金属硼酸盐或其他类似的组成。优选使用相对高介电常数的玻璃，原因是减弱效应不太明显，并能保持复合物的高介电常数。组成为Pb5Ge30的锗酸铅玻璃是一种铁电玻璃，其介电常数约为150，因此是合适的。锗酸铅的改进形式也是合适的。例如，通过在碱金属烧制条件下对电容器结构进行烧制，铅可以被钡部分取代，锗可以被硅、锆和/或钛部分取代；并蚀刻金属箔形成第二电极。制造具有丝网印刷的电极的嵌埋电容器的PTO(印刷电路板)基片，其中所述电极主要包封电介质。将4层设计用于具有陶瓷电容器的PWB结构，所述电容器位于第2层(L2)。首先，制备包括L2/L3的内层，然后，将它们与第1层和第4层层叠，形成PWB堆叠体。在L2中使用1盎司的NT-TOI铜箔。TOI箔是单面无Zn的经过处理的电沉积箔，设计用来在宽范围的各种有机基片上提供高结合强度。结果，具有电容器的箔不必进行氧化处理来保证与制造该电路板的1080FR4预浸渍材料有足够的粘结。在内层和最终层叠物上使用125psi的较低层叠压力，以避免对陶瓷电容器造成任何机械损害。电容器高度约为35微米，包含10微米的丝网印刷的电极和20微米的陶瓷电介质。在制成的电路板中，在各层中两个FR4堆积体为约150微米。电路板上的外部涂覆层(externalfinish)是ENIG(无电Ni/Au)。用碱蚀刻剂进行铜的所有蚀刻。使用微通道和PTH通道的组合来连接嵌埋的电容器与基片表面上的铜片。制造总共39个完成的PWB板。每种板有6个试样是有电容器的，有2个试样使用本发明的图2A-2L所示的电容器设计。每个试样有20个具有不同面积的电容器。下面给出对图2A-2L中所示的20个电容器的数据，这些数据显示该电容器设计在完成的PWB中形成功能电容器。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>前面对本发明的描述内容说明和描述了本发明。此外，这些内容仅描述并显示了本发明的选择的优选实施方式，但是应理解，在与上述揭示内容和/或相关领域的技术人员能力或知识相当条件下，本发明能够使用各种其他的组合、修改和环境，并能在本发明的范围之内进行改变或修改。权利要求1.一种形成嵌埋的电容器的方法，该方法包括提供金属箔；在该金属箔上形成陶瓷电介质；在大部分所述电介质和至少一部分所述金属箔上形成电极；在碱金属烧制条件下对该电容器结构进行烧制；和对金属箔进行蚀刻，形成第二电极。2.—种形成电容器的方法，该方法包括提供金属箔；在金属箔上形成绝缘隔离层；在金属箔上形成陶瓷电介质，其中，该电介质被绝缘隔离层包围并与该层接触；在大部分绝缘隔离层和一部分金属箔上，在大部分或者全部电介质上形成第一电极；在碱金属烧制条件下对该电容器结构进行烧制；和对金属箔进行蚀刻，形成第二电极。3.—种电容器，采用如权利要求1或2所述的方法形成。4.-种器件，包含至少一个如权利要求1或2所述的电容器。5.—种制造器件的方法，该方法包括.-提供金属箔；在金属箔上形成绝缘隔离层；在金属箔上形成陶瓷电介质，其中，该电介质被绝缘隔离层包围并与该层接触；在大部分绝缘隔离层和一部分金属箔上，在大部分或者全部电介质上形成第一电极；将金属箔的元件侧与至少-个预浸渍材料层层叠；对金属箔进行蚀刻，形成第二电极，其中，第一包封电极，电介质和第二电极形成电容器。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，绝缘层还用作阻挡层，以防止蚀刻化学品与电容器电介质接触。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在对金属箔进行蚀刻后，将器件与至少一个另外的预浸渍材料层层叠。8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括在预浸渍材料中形成一个或多个通道，以连接电容器，其中，所述通道选自微通道，镀敷的通孔通道以及它们的组合。9.一种器件，采用如权利要求5所述的方法形成。10.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述器件选自内插件，印刷电路板，多芯片模块，区域阵列封装，封装上的系统和封装内的系统。全文摘要公开一种将由厚膜电介质和电极制造的电容器嵌埋在印刷电路板(PWB)中的改进的方法，该方法包括以下步骤提供金属箔；在该金属箔上形成陶瓷电介质；在大部分所述电介质和至少一部分所述金属箔上形成电极；在碱金属烧制条件下对该电容器结构进行烧制；和对金属箔进行蚀刻，形成第二电极。所述方法可以进一步包括在形成陶瓷电介质之前在金属箔上形成绝缘隔离层。文档编号H05K1/16GK101467502SQ200780022023公开日2009年6月24日申请日期2007年6月13日优先权日2006年6月15日发明者D·马居达,S·费古森申请人:E.I.内穆尔杜邦公司