半导体装置的制造方法、印刷电路板及其制造方法

专利名称：半导体装置的制造方法、印刷电路板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体装置的制造方法、印刷电路板及其制造方法。
背景技术：
在半导体装置的制造工序的图案形成中一般利用光刻技术，但在与通过光刻生成的描绘图案相同的位置进行膜的形成等处理的情况下，优选为不需要对位的自匹配工艺。 此处，作为将已经形成的图案用作接下来的处理的掩模的自匹配工艺的例子，有自匹配硅化物等。在该自匹配硅化物中，利用洁净的硅表面易于与金属反应的特性，可以仅在没有通过硅氧化膜等掩模的硅上形成金属硅化物。通过使用自匹配工艺，具有可以省略利用光刻等的图案描绘工艺，并且不需要掩模的对位这样的优点。在作为半导体装置的太阳能电池的制造中，也可以在选择发射极的形成中利用光亥|J。但是，如果使用光刻，则工艺变得复杂，制造成本增加，所以提出了组合利用光刻以外的方法的电极图案形成和自匹配工艺，来形成选择发射极的方法(例如，参照专利文献1、2)。在专利文献1中，在使磷扩散到基板表面而形成了 PN结的半导体基板表面中通过丝网印刷法形成了规定形状的金属电极之后，以该金属电极为掩模，通过使用了反应性离子蚀刻(Reactive Ion Kching ；以下，称为RIE)的蚀刻，去除使磷扩散了的半导体基板表面，使金属电极近接部以外的区域高电阻化，从而形成了选择发射极。另外，在专利文献2中，在使磷扩散到基板表面而形成了 PN结的硅基板中形成了氮化硅膜(Si3N4)之后，通过激光划线法等将氮化硅膜去除为电极形状，以剩余的氮化硅膜为掩模，使磷扩散而仅使电极下部分(电极形成区域)比受光区域低电阻化，形成选择发射极。进而，之后，以氮化硅膜为掩模，通过镀覆法，自匹配地仅在低电阻区域中形成埋入电极。专利文献1 美国专利第5，871，591号说明书专利文献2 美国专利第5，258，077号说明书非专禾Ij文 ^ 1 :J. Szlufcik, H. Elgamel, Μ. Ghannam, J. Ni js, and R. Mertens, " Simple integral screenprinting process for selective emitter polycrystalline silicon solar cells" , Applied Physics Letters Vol. 59(1991), pl58
发明内容
但是，在专利文献1记载的方法中，作为蚀刻方法使用了 RIE，所以存在在基板表面形成缺陷，而得不到充分的太阳能电池特性这样的问题。另外，在专利文献2记载的方法中，存在如下问题作为抑制掺杂杂质扩散到半导体基板的受光区域的掩模材料，需要设成可以经得起扩散时的高温的掩模，在形成这样的掩模时以及进行多次杂质扩散时，花费时间，并且由于这些高温处理而使基板质量劣化以及从基板与掩模的界面泄漏氢等，从而生成界面缺陷。特别在多结晶半导体基板中这些影响变得显著。在向印刷布线板得电子部件的焊接中，存在在通过流浸渍式向通孔进行焊接时， 与喷流部接触的印刷布线板的面积大，且印刷布线板、元件受到来自焊料槽的热应力，而产生由于弯曲、热的破坏这样的问题。本发明是鉴于上述而完成的，其目的在于提供一种基板质量不会劣化、在基板中以及基板与其邻接的膜的界面中不会产生缺陷的半导体装置及其自匹配的(或者简便的) 半导体装置的制造方法。另外，提供一种在印刷布线板中，向印刷布线板、元件的热应力小， 且不会产生由于弯曲、热而引起的破坏的印刷电路板及其制造方法。为了达成上述目的，本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括凹部形成工序，在半导体基板上形成凹部；第2导电类型半导体层形成工序，在第1导电类型的所述半导体基板的表面形成作为包含第2导电类型的杂质的半导体层的第2导电类型半导体层； 以及表面处理工序，对所述半导体基板的所述凹部以外的区域，提供包含化学地成为活性的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体，进行表面处理，使得成为与所述凹部不同的性质的表面。根据本发明，在半导体装置的制造中，可以在第1导电类型的半导体基板中形成了凹部之后，在至少包括凹部形成面的面侧，形成包含第2导电类型的杂质的半导体层，在上述凹部以外的区域，通过化学溶液处理等缺陷生成少的方法，实施表面处理，其结果，具有使半导体基板成为高温的处理工序少，且可以防止产生基板质量的劣化、缺陷这样的效果。另外，可以对同一主面内的上述凹部和其以外的部分自匹配地实施不同的处理，所以具有可以通过少的工序数向形成为任意形状的凸部或者凹部实施处理这样的效果。特别，可以对凹部自匹配地实施处理，所以成为易于形成埋入电极的自匹配工艺。特别对于太阳能电池，可以抑制基板以及表面生成缺陷，并且可以自匹配地针对每个区域实施不同的处理， 从而具有可以形成选择发射极以及埋入电极，可以简便地制造发电输出优良的太阳能电池这样的效果。另外，在凹部、电极的形成时，无需经由掩模形成工序、掩模剥离工序，并且无需通过RIE对半导体基板表面进行蚀刻，所以还起到不会使半导体基板劣化以及不会生成缺陷而可以对半导体表面的期望的部分进行加工这样的效果。


图1-1是示意地示出本发明的实施方式1的太阳能电池的整体结构的一个例子的俯视图。图1-2是太阳能电池的背面图。图1-3是图1-2的A-A剖面图。图2是图1-1的B-B剖面图。图3-1是示意地示出本实施方式1的太阳能电池的制造方法的处理步骤的一个例子的部分剖面图(其1)。图3-2是示意地示出本实施方式1的太阳能电池的制造方法的处理步骤的一个例子的部分剖面图(其2)。图3-3是示意地示出本实施方式1的太阳能电池的制造方法的处理步骤的一个例子的部分剖面图(其3)。
图3-4是示意地示出本实施方式1的太阳能电池的制造方法的处理步骤的一个例子的部分剖面图(其4)。图3-5是示意地示出本实施方式1的太阳能电池的制造方法的处理步骤的一个例子的部分剖面图(其5)。图3-6是示意地示出本实施方式1的太阳能电池的制造方法的处理步骤的一个例子的部分剖面图(其6)。图3-7是示意地示出本实施方式1的太阳能电池的制造方法的处理步骤的一个例子的部分剖面图(其7)。图3-8是示意地示出本实施方式1的太阳能电池的制造方法的处理步骤的一个例子的部分剖面图(其8)。图4是示意地示出本实施方式2的太阳能电池的结构的一个例子的部分剖面图。图5-1是示意地示出本实施方式2的太阳能电池的制造方法的一个例子的部分剖面图(其1)。图5-2是示意地示出本实施方式2的太阳能电池的制造方法的一个例子的部分剖面图(其2)。图5-3是示意地示出本实施方式2的太阳能电池的制造方法的一个例子的部分剖面图(其3)。图5-4是示意地示出本实施方式2的太阳能电池的制造方法的一个例子的部分剖面图(其4)。图5-5是示意地示出本实施方式2的太阳能电池的制造方法的一个例子的部分剖面图(其5)。图6是示意地示出本实施方式3的印刷电路板和电路元件部件端子的连接状态的一个例子的部分剖面图。图7-1是示意地示出实施方式3的印刷电路板的制造方法的一个例子的部分剖面图(其1)。图7-2是示意地示出实施方式3的印刷电路板的制造方法的一个例子的部分剖面图(其2)。图7-3是示意地示出实施方式3的印刷电路板的制造方法的一个例子的部分剖面图(其3)。图7-4是示意地示出实施方式3的印刷电路板的制造方法的一个例子的部分剖面图(其4)。图7-5是示意地示出实施方式3的印刷电路板的制造方法的一个例子的部分剖面图(其5)。图7-6是示意地示出实施方式3的印刷电路板的制造方法的一个例子的部分剖面图(其6)。(符号说明)100 太阳能电池；101 硅基板；102 :N型扩散层；102H:高浓度扩散层；102L 低浓度扩散层；103 反射防止膜；104 背面电场层；110 表面电极；IlOA 表面电极形成部； 111 栅电极；112 汇流电极；113,123 透明导电性膜；115、116 :凹部；120、125 背面电
6极；120A 背面电极形成层；121 背侧集电电极；122 背侧取出电极；130、131、132 聚甲基丙烯酸甲酯膜；141、142 钝化膜；151 第1电极；151A 第1电极形成层；152 第2电极； 152A 第2电极形成层；161 =P型扩散层；162 凹部；163 =N型扩散层；200 蚀刻装置；201 蚀刻存积层；202 海绵辊；210 蚀刻液；300 印刷电路板；301 基板；302 印刷布线；303 铜布线；310 凸部；315 通孔；331 端子；342 喷流部分；351 模具；352 凹部。
具体实施例方式以下，参照附图，详细说明本发明的实施方式的半导体装置的制造方法、印刷电路板及其制造方法。另外，在以下的实施方式中，作为半导体装置以太阳能电池为例子进行说明，但本发明不限于这些实施方式，而可以在不脱离本发明的要旨的范围内进行适宜变更。 另外，以下的说明中使用的太阳能电池的剖面图是示意图，层的厚度和宽度的关系、各层的厚度的比例等与实际不同。实施方式1.首先，说明本实施方式1中使用的太阳能电池的结构。图1-1 图1-3是示意地示出本发明的实施方式1的太阳能电池的整体结构的一个例子的图，图1-1是太阳能电池的俯视图，图1-2是太阳能电池的背面图，图1-3是图1-2的A-A剖面图。另外，图2是示意地示出太阳能电池的结构的一部分的放大剖面图，是图1-1的B-B剖面图。在该太阳能电池100中，在作为半导体基板的P型硅基板101的受光面侧(以下， 还称为表面侧)，与表面电极110的形成位置对应地设置了凹部115，并且在凹部115以外的硅基板101的表面，以降低表面处的光反射的目的而形成了具有未图示的凹凸的纹理构造。在从包括凹部115的硅基板101的表面起规定的深度的范围，形成了扩散了磷等N型的杂质的N型扩散层102。由此，在硅基板101表面形成PN结。在硅基板101的表面中形成的凹部115中，形成了包括栅电极111和汇流电极112 的表面电极(受光面侧电极)110，其中，栅电极111为了局部地集电在PN结中产生的电流 (电子)而梳齿状地设置并由银等构成，汇流电极112为了取出由栅电极111集电的电流而设置成与栅电极111大至正交连接栅电极111之间并由银等构成。另外，在没有形成表面电极Iio的N型扩散层102的上表面(以下，称为受光部)，形成了防止向硅基板101的受光面反射入射光的反射防止膜103。另一方面，在P型硅基板101的与受光面相反一侧的面(以下，称为背面)中，形成P型杂质浓度高于硅基板101、且使流向背面侧的少数载流子(在该情况下电子)朝向表面侧的被称为BSF (Back Surface Field，背面场)的背面电场层104。与该背面电场层 104邻接地在与基板相反的一侧，形成了包括以在PN结被电荷分离的载流子的集电和入射光的反射为目的而在P型硅基板101的背面的大至全面中设置的由铝等构成的背侧集电电极121、和将在该背侧集电电极121中产生的电流取出到外部的由铜等构成的背侧取出电极122的背面电极120。另外，如图2所示，在该太阳能电池的硅基板101的受光面侧形成的N型扩散层 102具有在形成表面电极110的区域中N型杂质高浓度地扩散的高浓度扩散层102H ；以及在没有形成表面电极110的区域、此处为形成了反射防止膜103的区域中，与高浓度扩散层 102H相比N型杂质低浓度地扩散的低浓度扩散层102L。即，在该N型扩散层102中，在没有形成表面电极110的受光部中，使N型杂质浓度降低，在电极接触部中，使N型杂质浓度提高，而在受光部中，抑制杂质起因的载流子再结合，在电极接触部中，降低电阻。在这样构成的太阳能电池100中，如果阳光从太阳能电池100的受光面侧照射到 PN结面(P型硅基板101和N型扩散层102的结面)，则生成空穴和电子。通过PN结面附近的电场，所生成的电子朝向N型扩散层102移动，空穴朝向背面电场层104移动。由此， 在N型扩散层102中电子变得过剩，在背面电场层104中空穴变得过剩，其结果，产生光电动势。其结果，与N型扩散层102连接的表面电极110成为负极，与背面电场层104连接的背面电极120成为正极，在未图示的外部电路中流过电流。接下来，说明这样的构造的太阳能电池100的制造方法。图3-1 图3-8是示意地示出本实施方式1的太阳能电池的制造方法的处理步骤的一个例子的部分剖面图。另外， 此处，图示了与图2对应的部分、即与栅电极的延伸方向垂直的剖面的一部分。首先，准备硅基板101(图3-1)。此处，准备P型单晶硅基板。接下来，通过激光刻绘法，在该硅基板101的一方的主面上扫描激光光线，形成凹部115(图3- 。以预先成为期望的完成电极的形状的方式，调整其深度、宽度以及图案而形成该凹部115，但为了在后面的工序中，在该凹部115内，在凹部115中不形成反射防止膜103，优选增大凹部115的深度相对宽度之比。在该工序中，没有照射激光光线的区域相对地成为凸部。另外，此处， 作为凹部115的形成方法使用了激光刻绘法，但也可以通过机械刻绘法、放电加工法、喷砂法、氢氟酸中的金属催化剂与硅的接触部的局部的蚀刻等方法来形成凹部115(槽)。接下来，在加热后的碱溶液中浸渍硅基板101，使用通过碱溶液实现的各向异性蚀亥IJ，使表面粗面化并且去除半导体基板表面附近的缺陷以及在凹部形成时产生的缺陷。另夕卜，在以下的附图中，省略了硅基板101表面中形成的纹理构造的图示。之后，在三氯氧磷 (POCl3)气氛中加热，使磷在硅基板101的表面中扩散，而形成高浓度扩散层102H(图3-3)。 此时，在高浓度扩散层102H中，在表面中作为N型杂质的磷的浓度高，且随着朝向硅基板 101内部而减少。由此，在硅基板101表面(还包括背面和侧面)中，形成PN结。为了降低与在之后形成的表面电极110的接触电阻，优选使该高浓度扩散层102H的表面电阻成为 1 60 Ω / 口。之后，直至表面成为疏水性，将硅基板101浸渍到氢氟酸水溶液中，去除硅基板101表面中形成的磷玻璃膜。接下来，使由氢氟酸和硝酸的混合溶液构成的温度控制后的蚀刻液接触到凹部 115以外的硅基板101表面，去除高浓度扩散层102H的最表面(图3-4)。在该图3_4中， 在高浓度扩散层102H的最表面的去除中，使用在存积蚀刻液210的蚀刻存积层201的上表面，配置了多个作为化学溶液保持体的海绵辊202的蚀刻装置200。该海绵辊202的直径优选形成为大于栅电极111、汇流电极112的宽度。通过这样的蚀刻装置200，使海绵辊202的至少一部分以浸渍到蚀刻液210中的状态旋转，在确保了硅基板101和海绵辊202的接触的状态下，使硅基板101移动，从而蚀刻液210接触到与海绵辊202相接的硅基板101表面。其结果，硅基板101的凸部的最表面的磷高浓度地扩散的硅层被去除。另外，在凸部中形成了纹理构造，通过控制海绵辊202 的海绵硬度、海绵的种类或者向化学溶液(蚀刻液210)按压晶片(硅基板101)的压力，并调整化学溶液向晶片的润湿性，可以与纹理构造匹配地使海绵辊202追踪变形，并且可以通过表面张力确保海绵中保持的化学溶液向晶片的接触，可以均勻地蚀刻纹理构造中的最表面的硅层。进而，通过使用带有微少的凹凸的海绵、海绵以外的液保持构造体，也可以变更晶片和化学溶液保持构造体的接触面积、化学溶液保持构造体的柔软度，可以提高蚀刻的均勻性。另外，海绵辊202不进入到凹部115，并且即使海绵辊202进入而蚀刻液210接触到高浓度扩散层102H的表面，由于实施了疏水化处理，所以蚀刻液210难以进入到凹部 115，而凹部115内的最表面不易被去除。由此，在高浓度扩散层102H中的凸部中，最表面的磷高浓度地扩散的硅层被去除，成为相比于凹部115进一步高电阻的半导体层即低浓度扩散层102L。由此，在硅基板101的表面，形成具有在凸部中存在的低浓度扩散层102L、和在凹部115中存在的高浓度扩散层102H的N型扩散层102。另外，为了用作太阳能电池受光部，优选使凸部的表面电阻成为50 500 Ω / 口。之后，虽然未图示，为了防止表面电极和背面电极的短路，将硅基板101的侧面和背面中形成的高浓度扩散层102Η也去除(图 3-5)。为了防止该短路的目的，无需去除背面全面的N层(高浓度扩散层102Η)，而仅去除侧面部分的N层即可。作为去除这样的侧面的扩散层的方法，还可以利用本专利的方法，即逐个或者将多个晶片重叠而设成块状，使其晶片侧面侧端部接触到海绵辊202的同时使海绵辊旋转而通过的方法。在该情况下，可以通过向晶片的损伤小的化学溶液处理实现表面电极和背面电极之间的分离，所以具有可以制作相比于使用了以往的激光等的分离方法， 表面电极和背面电极之间的绝缘性更高且电气输出更优良的太阳能电池这样的优点。另外，此处，使蚀刻液210仅接触于硅基板101的凸部，但也可以使包含具有化学地成为活性的能力的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体仅接触于硅基板101的凸部，例如，以使硅基板101的凹部形成面接触到蚀刻液210的方式，使硅基板101浮游设置于蚀刻液210等，而去除凸部的最表面的磷高浓度地扩散的硅层。之后，在硅基板101的光入射面(表面)侧，通过溅射法形成由非晶氮化硅膜构成的反射防止膜103(图3-6)。此时，以在凹部115内不形成反射防止膜103的方式调整成膜条件。例如，增大凹部115的深度相对宽度之比，并且，以使基板表面相对蒸镀源(靶)倾斜地方式配置，或者，降低基板温度，调整原料气体的流量、压力、投入电力，缩短成膜材料气体的平均自由行程等，而以台阶被覆性低的条件进行反射防止膜103的成膜，从而可以仅在凸部中形成反射防止膜103。接下来，在用粘接膜保护了硅基板101的背侧之后，对硅基板照射光的同时浸渍到包含镍离子的溶液，从而在硅基板101的光入射面侧进行铜的非电解镀覆。之后对基板加热，从而在100-400°c下加热，从而提高了电极和硅的密接性。进而，在照射光的同时，在包含铜离子的溶液中，浸渍进行了非电解镀覆的硅基板101的光入射面侧，从而仅在没有形成反射防止膜103的低电阻的凹部115内，析出金属(铜)而形成表面电极(栅电极111) (图 3-7)。之后，剥下保护了硅基板101的背侧的粘接膜，使用背面电极用的掩模图案，通过丝网印刷法等方法，在硅基板101的背面上，涂覆包含铝粉末的浆料、和包含银粉末的浆料 (未图示)，并使其干燥而形成背面电极形成层120A(图3-8)。之后，焙烧硅基板101，使铝扩散到硅基板101的背面侧而形成背面电场层104，并且形成由铝和银构成的背面电极(背侧集电电极121)。通过以上的工序，得到图1-1 图2所示的太阳能电池。在上述说明中，以使用了硅基板101的太阳能电池为例子进行了说明，但在硅以外的、并且太阳能电池以外的还包含有机的半导体装置、器件中也可以应用本发明。另外，在上述说明中，说明了使用单结晶基板，形成受光面电极等的情况，但还可以应用于多结晶基板、成为两面受光面的两面发电型的太阳能电池。进而，在上述说明中，通过蚀刻装置200经由海绵辊202使硅基板101和蚀刻液 210接触，使蚀刻液210不浸入到凹部115，而防止蚀刻液210和硅基板101的凹部115内的接触，仅加工了凸部，但除此以外，也可以利用使用水等粘度高的溶剂、或者使用相对半导体基板的润湿性低的溶剂、或者向在液面上浮置的半导体基板导入气泡而保持到半导体基板的凹部中等方法。通过这些方法，也可以防止蚀刻液210和半导体基板的凹部内的接触，可以仅蚀刻凸部。进而，作为上述蚀刻的方法，不仅是利用化学溶液的蚀刻而且也可以使用不对基板造成损伤的气相法。在初次向基板形成槽等凹部115时，为了降低实施由于化学溶液蚀刻引起的损伤去除的深度以及时间，优选通过加工损伤浅的方法来进行。具体而言，在使用激光加工法的情况下，可以通过使用具有半导体的光吸收系数大的区域的波长的激光进行加工来抑制损伤深度，可以降低损伤去除工序中的蚀刻量和时间。此处，示出评价在实施方式1的方法中制作出的太阳能电池的特性而得到的结果。将通过上述方法制造出的太阳能电池设为实施例1。另外，以除了不进行凹部115的蚀刻并且代替镀覆法而通过印刷法形成表面电极110以外，与上述同样地制作出的太阳能电池为比较例1。表1是示出与比较例1进行了比较的实施例1的太阳能电池的输出特性的表。此处，针对各太阳能电池，使电池实际上动作，作为太阳能电池输出特性，测定光电变换效率
)、曲线因子(％ )、短路电流密度(mA/cm2)以及开路电压(V)，计算相对比较例1的实施例1的各值。[表 1]
权利要求
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括 凹部形成工序，在半导体基板上形成凹部；第2导电类型半导体层形成工序，在第1导电类型的所述半导体基板的表面形成作为包含第2导电类型的杂质的半导体层的第2导电类型半导体层；以及表面处理工序，对所述半导体基板的所述凹部以外的区域，提供包含化学地成为活性的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体，进行表面处理，使得成为与所述凹部不同的性质的表面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述处理流体是蚀刻液，在所述表面处理工序中，使形成了所述凹部的面朝向所述蚀刻液侧而使所述半导体基板浮在所述蚀刻液上，对形成了所述凹部的面的所述凹部以外的区域进行蚀刻。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述处理流体是蚀刻液，在所述表面处理工序中，使浸渍了所述蚀刻液的化学溶液保持体接触到所述半导体基板的形成了所述凹部的面的所述凹部以外的区域，对所述凹部以外的区域进行蚀刻。
4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第2导电类型半导体层形成工序中，在所述第1导电类型的所述半导体基板的表面，使所述第2导电类型的杂质扩散而形成所述第2导电类型半导体层，在所述表面处理工序中，对所述硅基板的所述凹部以外的区域的所述第2导电类型半导体层进行蚀刻。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述处理流体是包含高分子或者高分子单体的溶液，在所述表面处理工序中，使所述半导体基板的形成了所述凹部的面接触到所述溶液的液面并使其干燥，而在所述半导体基板的形成了凹部的面的所述凹部以外的区域中，形成包含所述高分子的有机膜或者所述高分子单体聚合的有机膜。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述表面处理工序中，使用气相生长法，在台阶被覆性低的条件下，在所述半导体基板的形成了所述凹部的面的所述凹部以外的区域中形成薄膜。
7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述处理流体是包含金属离子的溶液，在所述表面处理工序中，使所述半导体基板的形成了所述凹部的面的所述凹部以外的区域接触到所述溶液中，通过镀覆法在所述凹部以外的区域中形成金属膜。
8.—种印刷电路板，其特征在于，插入电路元件部件的端子的通孔的周围的区域形成为比其他区域高。
9.一种印刷电路板的制造方法，其特征在于，包括针对具有热硬化性树脂的基板，使用与通孔形成位置对应的所述基板的上表面以及下表面的位置比周围低的成为凹部的模具，进行加热并进行加压，形成与所述通孔形成位置对应的位置比周围高的成为凸部的印刷电路板的工序； 在所述印刷电路板的凸部中形成通孔的工序；以及在所述印刷电路板中形成电路布线的工序。
10. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括向插入电路元件部件的端子的通孔的周围的区域形成为比其他区域高的印刷电路板的所述通孔，从第1主面侧插入电路元件部件的端子并临时固定的工序；以及使所述印刷电路板的第2主面侧的所述凸部接触到从引入了焊料熔液的槽喷出熔融焊料的喷流部分，连接所述电路元件部件和所述印刷电路板的工序。
全文摘要
本发明得到不会使基板质量产生劣化、缺陷的半导体装置的制造方法。包括在硅基板(101)上形成凹部(115)的工序；在P型硅基板(101)的表面形成包含N型的杂质的N型扩散层(102)的工序；使包含化学地成为活性的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体接触于P型硅基板(101)的凹部(115)以外的区域，以成为与凹部(115)不同的性质的表面的方式，进行表面处理的工序。
文档编号H05K1/02GK102460656SQ20098015965
公开日2012年5月16日 申请日期2009年6月2日 优先权日2009年6月2日
发明者新延大介, 松野繁, 西村邦彦 申请人:三菱电机株式会社