专利名称：有机电致发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及含有吲哚并咔唑化合物的有机电致发光元件，详细而言，涉及对由有机化合物构成的发光层施加电场而放出光的薄膜型器件。
背景技术：
一般而言，有机电致发光元件(以下，称为有机EL元件)，作为其最简单的结构由夹着发光层的一对对置电极构成。即，在有机EL元件中，利用如下现象当在两电极间施加电场时，从阴极注入电子，从阳极注入空穴，它们在发光层中复合，放出光。近年来，进行了使用有机薄膜的有机EL元件的开发。特别是为了提高发光效率， 以从电极的载流子的注入提高为目的，对电极的种类进行了最优化，开发了在电极间将包含芳香族二胺的空穴传输层和包含8-羟基喹啉铝络合物(AlqIB)的发光层作为薄膜而设置的元件，由此与以往的使用了蒽等的单晶的元件相比，进行了大幅的发光效率的改善，因此，以面向具有自发光 高速应答性这样的特征的高性能平板的实用化的目标进行了发展。另外，作为提高元件的发光效率的尝试，还在研究不使用荧光而使用磷光。以上述的设置了包含芳香族二胺的空穴传输层和包含Alq3的发光层的元件为首的许多元件利用荧光发光而成，但通过使用磷光发光、即利用来自三重激发态的发光，与以往的使用荧光 (单重态)的元件相比，可期待提高3 4倍左右的效率提高。为了该目的，对将香豆素衍生物、二苯甲酮衍生物作为发光层进行了研究，但只得到极低的亮度。另外，作为利用三重态的尝试，对使用铕络合物进行了研究，但这也未达到高效率的发光。近年来，如专利文献 1中举出的那样以发光的高效率化、长寿命化为目的，以铱络合物等的有机金属络合物为中心进行了许多研究。现有技术文献专利文献专利文献1 特表2003-515897号公报专利文献2 特开平11_16沈50号公报专利文献3 特平11-176578号公报非专利文献非专利文献1 :New Journal of Chemistry 2002,26,1171非专利文献2 :APPLIED PHYSICS LETTERS 2003,83,3818非专利文献3 :APPLIED PHYSICS LETTERS 2003，93，143307但是，有机EL元件，通过从两电极平衡良好地向发光层注入空穴及电子、注入的空穴及电子在发光层中有效地复合，由此得到良好的发光效率。换句话说，由于两电荷向发光层中注入平衡、在发光层内的两电荷的传输平衡破坏，因此产生电荷向传输层的泄露，在发光层内的复合概率降低。进而在两电荷的平衡破坏了的状态下，发光层内的复合区域被限定在传输层界面附近的狭小区域。在这种情况下，产生激子从发光层向传输层的泄露，导致发光效率的降低。特别是电子以及激子向空穴传输层的泄露，在招致发光效率的降低的同时招致起因于空穴传输材料的劣化的元件寿命降低，因此，成为极其重要的问题。为了解决上述的问题，在非专利文献1中提案有使用下述化合物在发光层的阳极侧界面设置电子及/或激子阻挡层，在效率提高方面提高效果。
权利要求
1. 一种有机电致发光元件，其为在阳极与阴极之间夹持至少含空穴传输层和发光层的有机层而成的有机电致发光元件，其特征在于，在发光层中含有磷光发光材料，在空穴传输层与发光层之间具有与发光层邻接而含有通式(1)表示的吲哚并咔唑化合物的电子及/或激子阻挡层，
2.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，发光层中含有磷光发光材料和电子传输性主体材料。
3.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，有机层进而具有电子传输层， 该电子传输层中使用的材料的至少一种的材料的电子移动速度为lX10_7Cm2/V · s以上。
4.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，通式(1)表示的吲哚并咔唑化合物为下述通式(2)表示的吲哚并咔唑化合物，
5.如权利要求4表示的有机电致发光元件，其特征在于，通式(2)表示的吲哚并咔唑化合物选自通式(3) (6)表示的吲哚并咔唑化合物，
6.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，电子及/或激子阻挡层中含有的吲哚并咔唑化合物的LUMO能量比发光层中含有的主体材料的LUMO能量大。
7.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，吲哚并咔唑化合物的LUMO能量为-1. 2eV以上。
8.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，空穴传输层中含有的空穴传输性材料的HOMO能量比电子及/或激子阻挡层中含有的吲哚并咔唑化合物的HOMO能量大。
9.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于，与阳极或空穴注入层邻接而具有空穴传输层，该空穴传输层中含有的空穴传输材料的HOMO能量为-4. SeV以上。
全文摘要
本发明提供有机电致发光元件(有机EL元件)，其改善元件的发光效率、充分确保驱动稳定性、且具有简单的构成(有机EL元件)。该有机电致发光元件在阳极与阴极之间夹持含有空穴传输层和发光层的有机层而成，在发光层中含有磷光发光材料，在空穴传输层与发光层之间具有与发光层邻接而含有通式(2)表示的吲哚并咔唑衍生物的电子及/或激子阻挡层。式中，环B为与邻接环缩合的式(1c)表示的杂环，Z表示n价的芳香族烃基或芳香族杂环基，n为1或2。
文档编号H05B33/10GK102362551SQ20108001258
公开日2012年2月22日 申请日期2010年3月25日 优先权日2009年3月31日
发明者古森正树, 吉村和明, 山本敏浩, 甲斐孝弘, 辻大志, 高桥泰裕 申请人:新日铁化学株式会社, 日本先锋公司