专利名称：单晶炉的导流套的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及利用多晶提拉出单晶硅领域，具体属于单晶炉的导流套。
背景技术：
目前，直拉单晶炉是晶体生长设备中最重要的产品系列，用它来制作人工晶体，晶体生长速度最高，最容易实现人工控制，因此也获得了最广泛的应用。为了生长出大尺寸和高质量的单晶，人类几乎用了一切先进的手段。在单晶炉上集成了材料、机械、电气、计算机、磁多方面的高端知识和技术。硅单晶体作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件。大部分的半导体硅单晶体采用直拉法制造。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种单晶炉的导流套，能够节约多晶硅的使用量，使用寿命延长，且生产成本降低。本实用新型的技术方案如下单晶炉的导流套，包括有上部的圆盘体、下部的圆锥形导流体，导流体的下端伸入到石墨坩埚上方，圆盘体的下端面放置于石墨加热器上端，圆盘体的边缘卡套于炉体的内壁中。所述的圆盘体的上方设有支架。本实用新型的导流套将原料多晶硅方便导入到石墨坩埚内，导流套的边缘与炉体之间密封结构良好，能够节约多晶硅的使用量，使用寿命延长，且生产成本降低。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
参见附图，单晶炉的导流套，包括有上部的圆盘体1、下部的圆锥形导流体2，导流体2的下端伸入到石墨坩埚3上方，圆盘体1的下端面放置于石墨加热器4上端，圆盘体1 的边缘卡套于炉体5的内壁中，圆盘体的上方设有支架6。
权利要求1.单晶炉的导流套，其特征在于包括有上部的圆盘体、下部的圆锥形导流体，导流体的下端伸入到石墨坩埚上方，圆盘体的下端面放置于石墨加热器上端，圆盘体的边缘卡套于炉体的内壁中。
2.根据权利要求1所述的单晶炉的导流套，其特征在于其特征在于所述的圆盘体的上方设有支架。
专利摘要本实用新型公开了单晶炉的导流套，包括有上部的圆盘体、下部的圆锥形导流体，导流体的下端伸入到石墨坩埚上方，圆盘体的下端面放置于石墨加热器上端，圆盘体的边缘卡套于炉体的内壁中。本实用新型能够节约多晶硅的使用量，使用寿命延长，且生产成本降低。
文档编号C30B29/06GK202187080SQ20112026489
公开日2012年4月11日 申请日期2011年7月25日 优先权日2011年7月25日
发明者林游辉 申请人:合肥景坤新能源有限公司