柔性无胶铜电路板基材及其制造方法
【专利摘要】本发明柔性无胶铜电路板基材及其制造方法属于集成电路领域,柔性无胶铜电路板基材包括乙烯基咪唑类化合物、热塑性聚酰亚胺胶，乙烯基咪唑类化合物与热塑性聚酰亚胺胶混合，乙烯基咪唑类化合物是液体型的热塑性聚酰亚胺胶质量的0.5%~2%，反应的温度控在170~220℃，反应时间为1~2h。本发明的柔性无胶铜电路板基材铜箔结合力强，降低产品的整体厚度，超薄铜箔制作成本低。
【专利说明】柔性无胶铜电路板基材及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明柔性无胶铜电路板基材及其制造方法属于集成电路领域。
【背景技术】
[0002]柔性线路板(Flexible Printed Circ，FPC)近期需求上升，由于它不仅使用在要求灵活性和耐用性的便携式电子产品和智能卡，而且在显示器和微机电系统(MEMS)设备也有应用。因此，需要制造出不同类型的柔性基材满足产品的要求。除了传统的有胶基材(FCCL)(将铜箔与涂覆环氧胶PI膜压合而成的)，无胶基材的制作方式有两种:一.真空溅射法，二.将铜涂覆在含有疒3 um热塑性聚酰亚胺(TPI)的环氧胶(PI)膜上。后者得到的柔性铜箔基材，由铜箔与环氧胶(PI)膜构成，薄、具有均匀结构的夹层和良好的结合力，满足了微电子产品小尺度和长寿命的趋势。真空溅射铜箔通过介质层增强铜与环氧胶(PI)膜之间的结合力。然而，此类铜箔中铜与环氧胶(PI)膜的结合力仍不如有胶基材(FCCL)(将铜箔与涂覆环氧胶PI膜压合而成的)。部分研究人员，采用Cr作为介质增强了铜与环氧胶(PI)膜的结合力，但形成电路图形时，Cr很难蚀刻掉。由此可以推断铜与热塑性聚酰亚胺(TPI)之间有良好的结合力。
[0003]然而，无论是有胶基材还是无胶基材，目前其铜箔厚度iTlSum，无法适应精细线路的制作要求。据文献报道，目前精细线路的制备采用半加成法，也就是减铜技术与图电技术相结合,该法只能制备12um/12um以上线路,而对于10um/10um以下线路只能寻求均匀超薄铜。目前，市面上超薄铜如5um，成本会急剧上升。真空溅射法铜箔结合力弱和超薄铜箔制作成本高。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于避免现有技术中的不足之处，提供一种结合力强、成本低的柔性无胶铜电路板基材及其制造方法。
[0005]本发明的目的是通过以下措施来实现的，柔性无胶铜电路板基材包括乙烯基咪唑类化合物、热塑性聚酰亚胺胶，乙烯基咪唑类化合物与热塑性聚酰亚胺胶混合，乙烯基咪唑类化合物是液体型的热塑性聚酰亚胺胶质量的0.5%~2%，反应的温度控在17(T220°C，反应时间为l~2h。
[0006]乙烯基咪唑类化合物是指分子结构上同时具有乙烯基和含氮杂环的有机物，如化合物:
【权利要求】
1.一种柔性无胶铜电路板基材，其特征是:包括乙烯基咪唑类化合物、热塑性聚酰亚胺胶，乙烯基咪唑类化合物与热塑性聚酰亚胺胶混合，乙烯基咪唑类化合物是液体型的热塑性聚酰亚胺胶质量的0.5%~2%，反应的温度控在17(T220°C，反应时间为l~2h。
2.根据权利要求1所述的柔性无胶铜电路板基材，其特征是:乙烯基咪唑类化合物是指分子结构上同时具有乙烯基和含氮杂环的有机物，
3.—种柔性无胶铜电路板基材制造方法，其特征是: (1)将乙烯基咪唑类化合物与液体型的热塑性聚酰亚胺胶混合，然后涂覆在环氧胶膜上； (2)环氧胶膜转入敏化液中浸泡5min； (3)DI (去离子)水水洗3~5min ; (4)活化:将环氧胶膜转入离子钯溶液中浸泡5~10min; (5)水洗3~5min； (6)置入化学镀铜液中，在钯的催化下，发生铜自催化沉积反应，化学镀铜时间控制在15~30min,铜厚为0.5~3um; (7)水洗； (8)进行电镀铜加厚，铜的总厚度在0.5unTl00um ； (9)后处理。
4.根据权利要求3所述的柔性无胶铜电路板基材制造方法，其特征是: 乙烯基咪唑类化合物是液体型的热塑性聚酰亚胺胶质量的2%~Ο.5%，反应的温度控在17(T220°C，反应时间为I~2h ； 或将涂覆有热塑性聚酰亚胺的环氧胶膜浸入乙烯基咪唑溶液中浸泡数15~30min，然后在等离子的作用下，离子作用时间为l(T30min ； 或将等离子中氩气管通过乙烯基咪唑溶液，将乙烯基咪唑变成气相，然后进行等离子发生器，与置于等离子发生器中涂覆在环氧胶膜上热塑性聚酰亚胺发生反应。
5.根据权利要求3所述的柔性无胶铜电路板基材制造方法，其特征是: 乙烯基咪唑类化合物是指分子结构上同时具有乙烯基和含氮杂环的有机物，
【文档编号】H05K1/03GK103596360SQ201210290819
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2012年8月16日 优先权日:2012年8月16日
【发明者】崔成强 申请人:安捷利电子科技（苏州）有限公司