一种获得氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷组织形貌的方法

文档序号:1967927阅读:231来源:国知局
专利名称:一种获得氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷组织形貌的方法
技术领域
本发明涉及材料加工工程领域,具体是一种获得氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷 组织形貌的方法。
背景技术
近年来,定向凝固方法获得的氧化物熔体生长陶瓷受到了国内外学者和工程技术 人员的广泛关注。由于其本征的化学稳定性,氧化物首先克服了很多金属在高温下表现出 的抗氧化性不足的问题。其次,氧化物用于高温结构材料的瓶颈之一-抗蠕变性能也在研 究生产中得到了较大程度的解决。其断裂韧性也在逐步提高。作为离子导体、质子导体及 选择性高温发射材料,氧化物都显示出巨大的潜力。但是氧化物熔体生长陶瓷应用于工程 中却很少,一个主要的制约因素就是其组织形貌与凝固参数之间的关系尚不明确。目前,一般通过Bridgman法和外延生长法获得氧化物熔体生长陶瓷组织形貌。Bridgman法,该方法的优点在于能够制备大尺寸块状材料,试样尺寸的限制因素 只有坩埚尺寸,其温度梯度大约在102K/cm数量级。氧化物熔体一般放置于高纯钼、钨和铱 的坩埚中,通过缓慢将坩埚抽出热区来实现定向凝固。微拉法适用于制备具有同种性质和共晶间距控制在微米范围内的共晶组织,尤其 适合用来制备具有直径在毫米以下的共晶陶瓷纤维。其温度梯度可以达到103K/cm,生长速 率可达1000mm/h,试样直径在0. 3 5mm范围。外延生长法,该方法是利用液体的毛细作用而开发的一种定向凝固方法。将难熔 合金制成的型模部分浸入盛有共晶熔体的坩锅中,当模壳进入熔体一半左右时,在毛细作 用下,熔体沿模壳中的细孔上升至与型模的上表面润湿,同时提拉与型模上表面相接触的 籽晶,即可连续制备熔体生长陶瓷。其温度梯度可达400 1600K/cm。Bridgman法和外延生长法的温度梯度较低,只能获得低凝固速率下氧化物熔体生 长陶瓷组织形貌。并且采用Bridgman法获得氧化物熔体生长陶瓷组织形貌时,每次生产之 后都需要更换坩埚,代价极高,不适合做研究用。而用于外延生长法的装置亦结构复杂,生 产成本较高。美国NASA格林实验室的Sayir等人利用两个高速旋转的凸轮状反射镜,实现了激 光束在预制体表面的高速循环扫描,从而保证温度场均勻,成功生长出具有均勻组织的定 向凝固氧化物共晶纤维。但所使用的装置结构复杂,精度要求高,造价很高。西班牙CSIC大学和西北工业大学凝固技术国家重点实验室利用水平区熔法成功 的制得了 4-6mm直径的棒状以及厚度达3mm的片状氧化物共晶试样,该方法所获得的激光 水平区熔温度梯度可达IO4级,但等温面不平直,获得的氧化物熔体生长陶瓷组织形貌无法 与凝固参数相对应,造成实验结果分析的巨大困难。

发明内容
为克服现有技术中存在的或者结构复杂、代价高昂,或者等温面不平直,或者温度3梯度不高的不足,本发明提出了一种获得氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷组织形貌的方 法。本发明通过激光悬浮区熔定向凝固装置,采用定向凝固的方法获得氧化物二元共 晶熔体生长陶瓷的组织形貌,其具体过程包括以下步骤第一步,制作预制体;通过混料、研磨、压制、烧结和成形,获得多个预制体;第二步,对多个预制体分别进行定向凝固;对多个预制体分别进行定向凝固的具 体过程是,将其中一个预制体装夹在抽拉系统上,通过调整凸透镜平移装置调整凸透镜的 位置,使凸透镜镜体中心与两束激光交点之间距离为270 310mm ;打开激光器,使激光功 率以50W/min的速率逐步升高至200W ;启动试样抽拉旋转系统,实现第一个预制体的定向 凝固;将第二个预制体装夹在抽拉系统上;并使凸透镜镜体中心与两束激光交点之间距离 为270 310mm ;打开激光器,使激光功率以50W/min的速率逐步升高至200W ;启动试样 抽拉旋转系统,实现第二个预制体的定向凝固;重复上述过程,逐一对其余各预制体进行定 向凝固直至结束;定向凝固中,试样旋转系统的转速为50Rpm ;各预制体的抽拉速率分别为 1 300 μ m/s ;第三步,取定向凝固后各个试样的纵截面及横截面;各个试样的纵截面过试样的 中心轴线;各个试样的横截面垂直于试样的中心轴线;对得到的多个试样的纵截面及横截 面经过常规金相处理后,表面喷金,得到氧化物熔体生长陶瓷在不同生长速率下的组织形 貌。所述的氧化物二元共晶是由氧化铝与稀土氧化物形成的氧化铝基二元共晶熔体 生长陶瓷。本发明采用双向等质量激光束对预制体进行区熔,同时旋转预制体,达到使预制 体固液界面前沿温度场均勻平直的目的,克服了传统方法中的造价高昂,结构复杂等问题, 并以较为简便的方法很好的解决了问题。如图2所示为本发明所获得的凝固速率为2 μ m/ s时A1203/YAG共晶固液界面组织图片,可看出界面在直径范围内比较平整,相对于图3中 所示的激光水平区熔等温线来看有明显改善。本发明能够对熔点高、不导电材料进行定向 凝固组织演化研究。


附图1是获得氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷组织形貌方法的流程图。附图2是本发明所获得的凝固速率为2 μ m/s时A1203/YAG共晶固液界面组织图 片。附图3是激光水平区熔组织图片及等温面示意图。附图4是本发明获得的凝固速率为10 μ m/s时A1203/YAG共晶组织图片。附图5是本发明获得的凝固速率为24ym/s时A1203/EAG共晶组织图片。附图6是本发明获得的凝固速率为100 μ m/s时A1203/GAP共晶组织图片。附图7是激光悬浮区熔定向凝固装置的结构示意图。附图8是激光悬浮区熔定向凝固装置结构示意图的A向试图。其中1.激光器2.分光镜3.第一反射镜4.第二反射镜5.第三反射镜6.凸 透镜7.凸透镜平移装置8.平透镜9.真空室10.抽拉旋转系统11.电机组12.定位螺栓13.预制体14.熔区a.凝固方向b.激光扫描方向c.凝固方向d.等温线 e. 2秒钟之后的等温线
具体实施例方式实施例一本实施例是一种获得A1203/YAG氧化物二元共晶熔体生长陶瓷在不同生长速率下 的定向凝固组织形貌的方法,所进行定向凝固的预制体的数量为5个,其具体过程包括以 下步骤第一步,制作5个预制体;每个预制体的制作过程是,将Al2O3及IO3两种纯度为 4N的粉体按照A1203/YAG共晶成分混合并放入研钵中,加入10 %的PVA粘结剂,通过常规方 法将粉体混合并研磨至无团聚硬块;取10克混好的粉体放入内腔尺寸为68X IOmm的模具 中,合模加压25MPa,保压5分钟,将粉体压制成约68 X 10 X 5mm的板块,形成预制体的坯料; 在大气下对压好的预制体的坯料进行烧结,以增加预制体的强度,烧结温度为1400°C,保温 烧结2小时;随炉冷却。用金刚石切割片将烧结好的预制体坯料切成两个68mmX4mmX4mm 的条状。用砂纸将其棱角磨掉,形成近圆形棒,得到两个预制体。重复上述过程,制作完成 所需的5个预制体。第二步,对预制体进行定向凝固;将其中一个预制体的两端分别装夹在抽拉系统 的上夹头和下夹头上,通过调整凸透镜平移装置调整凸透镜的位置,使凸透镜镜体中心点 至由第二反射镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离为310mm,在预制体表面形 成直径为4mm的光斑;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波长为630nm的红色激 光束交点落在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光束交点落在预制体底 部;为防止预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高至氧化物共晶定向凝 固时所需的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制体被激光区熔;开启抽 拉旋转系统中的旋转机构,该旋转机构转速为50Rpm ;开启抽拉旋转系统中的抽拉机构,使 预制体按2 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。将其中第二个预制体的 两端分别装夹在抽拉系统的上夹头和下夹头上;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产 生的波长为630nm的红色激光束交点落在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使 激光束交点落在预制体底部;为防止预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步 升高至氧化物共晶定向凝固时所需的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预 制体被激光区熔;开启抽拉旋转系统中的旋转机构,该旋转机构转速为50Rpm ;开启抽拉旋 转系统中的抽拉机构,使预制体按16 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝 固。重复上述过程,逐一对其余各预制体进行定向凝固直至结束;凸透镜镜体中心点至由第 二反射镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离均为310mm,在预制体表面形成直 径均为4mm的光斑;激光功率均以50W/min的速率逐步升高至200W ;抽拉旋转系统转速均 为50Rpm,其余各预制体的抽拉速率分别为10、60、120ym/s。完成预制体的定向凝固。第三步,取定向凝固后各个试样的纵截面及横截面;各个试样的纵截面过试样的 中心轴线;各个试样的横截面垂直于试样的中心轴线;对得到的5个试样纵截面及横截面 经过常规金相处理后,表面喷金;从而得到A1203/YAG 二元共晶氧化物熔体生长陶瓷在不同 生长速率下的组织形貌。
实施例二本实施例是一种获得A1203/EAG氧化物二元共晶熔体生长陶瓷在不同生长速率下 的定向凝固组织形貌的方法,所进行定向凝固的预制体的数量为6个,其具体过程包括以 下步骤第一步,制作预制体;将A1203、Er2O3两种纯度为4N的粉体A1203/EAG共晶成分混 合并放入研钵中,加入10%的PVA粘结剂,通过常规方法将粉体混合并研磨至无团聚硬块; 将10克混好的粉体放入内腔尺寸为68 X IOmm的模具中,合模加压20MPa,保压7分钟,将粉 体压制成约68X 10X5mm的板块,形成预制体的坯料;在大气下对压好的预制体的坯料进 行烧结,以增加预制体的强度,烧结温度为1600°C,保温烧结2小时,随炉冷却;用金刚石切 割片将烧结好的预制体坯料切成两个68mmX4mmX4mm的条状。用砂纸将其棱角磨掉,形成 近圆形棒,得到两个预制体。重复上述过程,制作完成所需的6个预制体。第二步,对预制体进行定向凝固;将预制体的两端装夹在抽拉系统的上夹头和下 夹头上,通过调整凸透镜平移装置调整凸透镜的位置,使凸透镜镜体中心点至由第二反射 镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离为310mm,在预制体表面形成直径为4mm 的光斑;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波长为630nm的红色激光束交点落 在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光束交点落在预制体底部;为防止 预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高至氧化物共晶定向凝固时所需的 功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制体被激光区熔;开启抽拉旋转系统 中的旋转机构,该旋转机构转速为IOORpm ;开启抽拉旋转系统中的抽拉机构,使预制体按 2 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。将其中第二个预制体的两端分别 装夹在抽拉系统的上夹头和下夹头上;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波长 为630nm的红色激光束交点落在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光束 交点落在预制体底部;为防止预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高至 氧化物共晶定向凝固时所需的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制体 被激光区熔;开启抽拉旋转系统中的旋转机构,该旋转机构转速为IOORpm;开启抽拉旋转 系统中的抽拉机构,使预制体按6 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。 重复上述过程,逐一对其余各预制体进行定向凝固直至结束;凸透镜镜体中心点至由第二 反射镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离均为310mm,在预制体表面形成直径 均为4mm的光斑;激光功率均以50W/min的速率逐步升高至200W ;抽拉旋转系统转速均为 lOORpm,其余各预制体的抽拉速率分别为8、24、80、150ym/s。完成预制体的定向凝固。第三步,取定向凝固后各个试样的纵截面及横截面;各个试样的纵截面过试样的 中心轴线;各个试样的横截面垂直于试样的中心轴线;对得到的6个试样纵截面及横截面 经过常规金相处理后,表面喷金,从而得到A1203/EAG共晶熔体生长陶瓷在不同生长速率下 的组织形貌。实施例三本实施例是一种获得A1203/GAP氧化物二元共晶在不同生长速率下的定向凝固组 织形貌的方法,所进行定向凝固的预制体的数量为7个,其具体过程包括以下步骤第一步,制作预制体;将A1203、Gd2O3两种纯度为4N的粉体按照A1203/GAP共晶成 分混合并放入研钵中,加入10%的PVA粘结剂,通过常规方法将粉体混合并研磨至无团聚硬块;将10克混好的粉体放入内腔尺寸为68X IOmm的模具中,合模加压22MPa,保压6分 钟,将粉体压制成约68 X 10 X 5mm的板块,形成预制体的坯料;在大气下对压好的预制体的 坯料进行烧结,以增加预制体的强度,烧结温度为1600°C,保温烧结2小时,随炉冷却;用金 刚石切割片将烧结好的预制体坯料切成两个68mmX4mmX4mm的条状。用砂纸将其棱角磨 掉,形成近圆形棒,得到两个预制体。重复上述过程,制作完成所需的7个预制体。第二步,对预制体进行定向凝固;将预制体的两端装夹在抽拉系统的上夹头和下 夹头上,通过调整凸透镜平移装置调整凸透镜的位置,使凸透镜镜体中心点至由第二反射 镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离为270mm,在预制体表面形成直径为3mm 的光斑;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波长为630nm的红色激光束交点落 在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光束交点落在预制体底部;为防止 预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高至氧化物共晶定向凝固时所需 的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制体被激光区熔;开启抽拉旋转系 统中的旋转机构,该旋转机构转速为50Rpm ;开启抽拉旋转系统中的抽拉机构,使预制体按 1 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。将其中第二个预制体的两端分 别装夹在抽拉系统的上夹头和下夹头上;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波 长为630nm的红色激光束交点落在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光 束交点落在预制体底部;为防止预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高 至氧化物共晶定向凝固时所需的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制 体被激光区熔;开启抽拉旋转系统中的旋转机构,该旋转机构转速为50Rpm ;开启抽拉旋转 系统中的抽拉机构,使预制体按5 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。 重复上述过程,逐一对其余各预制体进行定向凝固直至结束;凸透镜镜体中心点至由第二 反射镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离均为270mm,在预制体表面形成直径 均为3mm的光斑;激光功率均以50W/min的速率逐步升高至200W ;抽拉旋转系统转速均为 501^111,其余各预制体的抽拉速率分别为10、20、50、100、30(^111/8。完成预制体的定向凝固。第三步,取定向凝固后各个试样的纵截面及横截面;各个试样的纵截面过试样的 中心轴线;各个试样的横截面垂直于试样的中心轴线;对得到的7个试样纵截面及横截面 经过常规金相处理后,表面喷金,从而得到A1203/GAP共晶在不同生长速率下的组织形貌。实施例四本实施例是一种获得Al203/EuAW3氧化物二元共晶熔体生长陶瓷在不同生长速率 下的定向凝固组织形貌的方法,所进行定向凝固的预制体的数量为8个,其具体过程包括 以下步骤第一步,制作预制体;将Al2O3及Eu2O3两种纯度为4N的粉体按照Al203/EuA103共 晶成分混合并放入研钵中,加入10%的PVA粘结剂,通过常规方法将粉体混合并研磨至无 团聚硬块;将10克混好的粉体放入内腔尺寸为68 X IOmm的模具中,合模加压25MPa,保压6 分钟,将粉体压制成约68 X 10 X 5mm的板块,形成预制体的坯料;在大气下对压好的预制体 的坯料进行烧结,以增加预制体的强度,烧结温度为1400°C,保温烧结2小时,随炉冷却;用 金刚石切割片将烧结好的预制体坯料切成两个68mmX4mmX4mm的条状。用砂纸将其棱角 磨掉,形成近圆形棒,得到两个预制体。重复上述过程,制作8个预制体。第二步,对预制体进行定向凝固;将预制体的两端装夹在抽拉系统的上夹头和下夹头上,通过调整凸透镜平移装置调整凸透镜的位置,使凸透镜镜体中心点至由第二反 射镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离为四0·,在预制体表面形成直径为 3. 5mm的光斑;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波长为630nm的红色激光束 交点落在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光束交点落在预制体底部;为 防止预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高至氧化物共晶定向凝固时所 需的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制体被激光区熔;开启抽拉旋转 系统中的旋转机构,该旋转机构转速为50Rpm ;开启抽拉旋转系统中的抽拉机构,使预制体 按3 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。将其中第二个预制体的两端分 别装夹在抽拉系统的上夹头和下夹头上;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波 长为630nm的红色激光束交点落在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光 束交点落在预制体底部;为防止预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高 至氧化物共晶定向凝固时所需的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制体 被激光区熔;开启抽拉旋转系统中的旋转机构,该旋转机构转速为50Rpm ;开启抽拉旋转系 统中的抽拉机构,使预制体按9 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。重 复上述过程,逐一对其余各预制体进行定向凝固直至结束;凸透镜镜体中心点至由第二反 射镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离均为^K)mm,在预制体表面形成直径均 为3. 5mm的光斑;激光功率均以50W/min的速率逐步升高至200W ;抽拉旋转系统转速均为 50Rpm,其余各预制体的抽拉速率分别为25、50、70、140、210、280ym/s。完成预制体的定向 凝固。第三步,取定向凝固后各个试样的纵截面及横截面;各个试样的纵截面过试样的 中心轴线;各个试样的横截面垂直于试样的中心轴线;对得到的8个试样纵截面及横截面 经过常规金相处理后,表面喷金,从而得到A1203/EUAW3 二元共晶熔体生长陶瓷在不同生长 速率下的组织形貌。实施例五本实施例是一种获得Al203/SmA103氧化物二元共晶熔体生长陶瓷在不同生长速率 下的定向凝固组织形貌的方法,所进行定向凝固的预制体的数量为9个,其具体过程包括 以下步骤第一步,制作预制体;将A1203、Sm2O3两种纯度为4N的粉体按照Al203/SmA103共晶 成分混合并放入研钵中,加入10 %的PVA粘结剂,通过常规方法将粉体混合并研磨至无团 聚硬块;将10克混好的粉体放入内腔尺寸为68 X IOmm的模具中,合模加压20MPa,保压7分 钟,将粉体压制成约68 X 10 X 5mm的板块,形成预制体的坯料;在大气下对压好的预制体的 坯料进行烧结,以增加预制体的强度,烧结温度为1600°C,保温烧结2小时,随炉冷却;用金 刚石切割片将烧结好的预制体坯料切成两个68mmX4mmX4mm的条状。用砂纸将其棱角磨 掉,形成近圆形棒,得到两个预制体。重复上述过程,制作9个预制体。第二步,对预制体进行定向凝固;将预制体的两端装夹在抽拉系统的上夹头和 下夹头上,通过调整凸透镜平移装置调整凸透镜的位置,使凸透镜镜体中心点至由第二反 射镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离为四0·,在预制体表面形成直径为 3. 5mm的光斑;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波长为630nm的红色激光束 交点落在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光束交点落在预制体底部;为8防止预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高至氧化物共晶定向凝固时所 需的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制体被激光区熔;开启抽拉旋转 系统中的旋转机构,该旋转机构转速为50Rpm ;开启抽拉旋转系统中的抽拉机构,使预制体 按3 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。将其中第二个预制体的两端分 别装夹在抽拉系统的上夹头和下夹头上;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波 长为630nm的红色激光束交点落在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光 束交点落在预制体底部;为防止预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高 至氧化物共晶定向凝固时所需的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制体 被激光区熔;开启抽拉旋转系统中的旋转机构,该旋转机构转速为50Rpm ;开启抽拉旋转系 统中的抽拉机构,使预制体按7 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。重 复上述过程,逐一对其余各预制体进行定向凝固直至结束;凸透镜镜体中心点至由第二反 射镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离均为^K)mm,在预制体表面形成直径均 为3. 5mm的光斑;激光功率均以50W/min的速率逐步升高至200W ;抽拉旋转系统转速均为 50Rpm,其余各预制体的抽拉速率分别为14、28、56、112、2M、252、280ym/s。制作完成所需 的9个预制体。第三步,取定向凝固后各个试样的纵截面及横截面;各个试样的纵截面过试样的 中心轴线;各个试样的横截面垂直于试样的中心轴线;对得到的9个试样纵截面及横截面 经过常规金相处理后,表面喷金,从而得到Al203/SmA103 二元共晶熔体生长陶瓷在不同生长 速率下的组织形貌。实施例六本实施例是一种获得Al203/Dy3Al5012氧化物二元共晶熔体生长陶瓷在不同生长速 率下的定向凝固组织形貌的方法,所进行定向凝固的预制体的数量为10个,其具体过程包 括以下步骤第一步,制作预制体;将Al2O3及Dy2O3两种纯度为4N的粉体按照Al203/Dy3Al5012共 晶成分混合并放入研钵中,加入10%的PVA粘结剂,通过常规方法将粉体混合并研磨至无 团聚硬块;将10克混好的粉体放入内腔尺寸为68 X IOmm的模具中,合模加压20MPa,保压7 分钟,将粉体压制成约68 X 10 X 5mm的板块,形成预制体的坯料;在大气下对压好的预制体 的坯料进行烧结,以增加预制体的强度,烧结温度为1500°C,保温烧结2小时,随炉冷却;用 金刚石切割片将烧结好的预制体坯料切成两个68mmX4mmX4mm的条状。用砂纸将其棱角 磨掉,形成近圆形棒,得到两个预制体。重复上述过程,制作完成所需的10个预制体。第二步,对预制体进行定向凝固;将预制体的两端装夹在抽拉系统的上夹头和下 夹头上,通过调整凸透镜平移装置调整凸透镜的位置,使凸透镜镜体中心点至由第二反射 镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离为270mm,在预制体表面形成直径为3mm 的光斑;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波长为630nm的红色激光束交点落 在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光束交点落在预制体底部;为防止 预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高至氧化物共晶定向凝固时所需 的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制体被激光区熔;开启抽拉旋转系 统中的旋转机构,该旋转机构转速为50Rpm ;开启抽拉旋转系统中的抽拉机构,使预制体按 4μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。将其中第二个预制体的两端分别装夹在抽拉系统的上夹头和下夹头上;打开激光器并移动同步夹头,使激光器产生的波 长为630nm的红色激光束交点落在预制体底部,继而开启10. 6 μ m波长的激光束,使激光 束交点落在预制体底部;为防止预制体骤热炸裂,使激光功率以50W/min的速率逐步升高 至氧化物共晶定向凝固时所需的功率,本实施例中,激光功率逐步升高至200W,此时预制 体被激光区熔;开启抽拉旋转系统中的旋转机构,该旋转机构转速为50Rpm ;开启抽拉旋转 系统中的抽拉机构,使预制体按8 μ m/s速率从上至下移动,实现氧化物共晶的定向凝固。 重复上述过程,逐一对其余各预制体进行定向凝固直至结束;凸透镜镜体中心点至由第二 反射镜与第三反射镜反射的激光束的交点之间的距离均为270mm,在预制体表面形成直径 均为3mm的光斑;激光功率均以50W/min的速率逐步升高至200W ;抽拉旋转系统转速均为 50Rpm,其余各预制体的抽拉速率分别为16、32、64、96、1观、192、256、30(^111/8。完成预制体 的定向凝固。第三步,取定向凝固后各个试样的纵截面及横截面;各个试样的纵截面过试样的 中心轴线;各个试样的横截面垂直于试样的中心轴线;对得到的10个试样纵截面及横截面 经过常规金相处理后,表面喷金,从而得到Al203/Dy3Al5012 二元共晶熔体生长陶瓷在不同生 长速率下的组织形貌。实施例七本实施例是一种用于实施上述各实施例中提出的获得氧化物熔体生长陶瓷组织 形貌的方法的激光悬浮区熔定向凝固的装置。所述的激光悬浮区熔定向凝固的装置包括激 光器1、分光镜2、反射镜、两片凸透镜6、两片平透镜8及凸透镜平移装置7、真空室9、抽拉 旋转系统10和两个电机组11。本实施例中,平面反射镜三片包括第一反射镜3、第二反射 镜4和第三反射镜5,并且分光镜2、第一反射镜3、第二反射镜4和第三反射镜5依次分布 在真空室9外周边。激光器1位于真空室9一侧。两个圆形的平透镜8分别嵌装在真空室 9两侧壳体上;该平透镜8的中心轴线过抽拉旋转系统10的轴线并垂直于抽拉旋转系统10 的轴线,使经过两片凸透镜6聚焦后的两束激光通过两片平透镜8进入真空室9后落在抽 拉旋转系统10的轴线上,实现对安装在抽拉旋转系统10上预制体13的熔融,进而在预制 体13上形成熔区14。分光镜2、第一反射镜3、第二反射镜4和第三反射镜5,以及凸透镜6、平透镜8的 平面垂直于水平面。分光镜2的中心距离激光器出光口为lm,与激光束成45°角,激光器1产生的激 光水平通过分光镜2,后分成互相垂直的两束等质量的激光,两束激光所处平面水平。第一 反射镜3中心与分光镜2中心之间的距离为lm,与经过分光镜2透射的激光夹角为45°。 第二反射镜4中心位于由第一反射镜3反射的光束中心,其中心与第一反射镜3中心距离 为lm,并与激光束成50°夹角。第三反射镜5中心位于由分光镜2反射的光束中心,其中 心与分光镜2中心距离为lm,并与激光束成50°夹角,最终经第二反射镜4及第三反射镜 5反射后的两束激光夹角为160°。两片凸透镜6镜体的中心点分别经过第二反射镜4第三反射镜5反射的激光束中 心,由两片凸透镜6镜体的中心点到两束激光交点距离通过凸透镜平移装置7能够调整,本 实施例中,所述的凸透镜镜体中心点至由第二反射镜4和第三反射镜5反射的激光束的交 点之间的距离为270 310mm。所选用的凸透镜6的焦距为200mm。
抽拉旋转系统10包括上夹头和下夹头,抽拉旋转系统10的轴线竖直,并且该抽拉 旋转系统10的两端分别与两个电机组11固连,通过电机组11实现抽拉系统的同步运动及 旋转。抽拉旋转系统10的上夹头和下夹头均为圆形杆件,并且该上夹头和下夹头外圆周的 一端均有凸出的台阶,使其外形呈“T”形;在上夹头和下夹头有凸出的台阶一端的端面中 心均有盲孔,该盲孔的内径略大于预制体13的外径。预制体13的两端分别装入位于抽拉系统10上夹头和下夹头一端端面中心的盲孔 内,并旋紧定位螺栓12将预制体紧固定位。预制体13与抽拉旋转系统10同轴。
权利要求
1.一种获得氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷组织形貌的方法,其特征在于,所述的获 得氧化物熔体生长陶瓷组织形貌的方法包括以下步骤第一步,制作预制体;通过混料、研磨、压制、烧结和成形,获得多个预制体;第二步,对多个预制体分别进行定向凝固;对多个预制体分别进行定向凝固的具体过 程是,将其中一个预制体装夹在抽拉系统上,并使凸透镜镜体中心与两束激光交点之间距 离为270 310mm ;打开激光器,使激光功率以50W/min的速率逐步升高至200W将预制体 区熔;启动试样旋转系统和抽拉机构,实现第一个预制体的定向凝固;将第二个预制体装 夹在抽拉系统上;并使凸透镜镜体中心与两束激光交点之间距离为270 310mm ;打开激光 器,使激光功率以50W/min的速率逐步升高至200W ;重复上述过程,逐一对其余各预制体进 行定向凝固直至结束;定向凝固中,试样旋转系统的转速为50Rpm ;各预制体的抽拉速率为 1 300ym/s ;获得多个定向凝固后的试样;第三步,取定向凝固后各个试样的纵截面及横截面;各个试样的纵截面过试样的中心 轴线;各个试样的横截面垂直于试样的中心轴线;对得到的多个试样的纵截面及横截面经 过常规金相处理后,表面喷金;得到氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷在不同生长速率下的 组织形貌。
2.如权利要求1所述一种获得氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷组织形貌的方法,其特 征在于,所述的氧化物二元共晶是由氧化铝与稀土氧化物形成的氧化铝基二元共晶熔体生 长陶瓷。
3.如权利要求1所述一种获得氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷组织形貌的方法,其特 征在于,激光束在预制体表面形成的光斑直径为3 4mm。
全文摘要
一种获得氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷组织形貌的方法,通过激光悬浮区熔定向凝固装置,对氧化铝基氧化物的多个预制体进行定向凝固。取定向凝固后各个预制体的纵截面及横截面,经常规金相处理后表面喷金,得到氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷在不同生长速率下的组织形貌。定向凝固中,激光功率为200W,试样旋转系统的转速为50Rpm;各预制体的抽拉速率为1~300μm/s。本发明实现了预制体固液界面前沿温度场均匀平直的目的,克服了传统方法中的造价高昂,结构复杂的缺陷,能够对熔点高、不导电材料进行定向凝固组织演化研究。
文档编号C04B35/622GK102050617SQ20101053558
公开日2011年5月11日 申请日期2010年11月4日 优先权日2010年11月4日
发明者傅恒志, 刘林, 宋衎, 张军, 苏海军 申请人:西北工业大学
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