[0082]参照图5，在第三实施例的预充电电路17中，在参考电源电压VCI2被提供给升压电路14之前，正侧栅极电源电压VGH通过使用按照负侧模拟电源电压VSN的预充电电压来升高(图5的虚线)。
[0083]参照图6，在第三实施例中，预充电电压VPC2向结点N20的提供操作(负侧栅极电源电压VGL)按照包含控制信号SEQ_0N和控制信号VGIN2的控制信号124来控制。
[0084]图14是示出第三实施例中的预充电电路17的配置的示例的简图。参照图14，第三实施例的预充电电路17具有CMOS电路73和预充电控制开关74。通过N沟道M0S晶体管来例示的N沟道晶体管MN40适合于本实施例的预充电控制开关74。N沟道晶体管MN40连接在结点N52 (其作为CMOS电路73的输出)与结点N20 (对其提供负侧栅极电源电压VGL)之间。将控制信号VGIN2提供给N沟道晶体管MN40的栅极。CMOS电路73包括具有与结点N53 (对其提供负侧模拟电源电压VSN)连接的源极的N沟道晶体管MN30以及具有连接到地电压的结点N54的源极的P沟道晶体管MP30。P沟道晶体管MP30的栅极和N沟道晶体管丽30的栅极共同与结点N50连接，以及各漏极共同与结点N52连接。
[0085]当控制信号SEQ_0N转变成高电平时，CMOS电路73向结点N52提供模拟电源电压VSNo因此，结点N52的电压VSNIN下降到模拟电源电压VSN。对于这个时间周期，当提供高电平的控制信号VGIN2时，N沟道晶体管MN40导通，以及结点N52的电压VSNIN作为预充电电压VPC2来提供给结点N20。因此，结点N20的电压(负侧栅极电源电压VGL)下降到模拟电源电压VSN。也就是说，当控制信号SEQ_0N处于高电平并且控制信号VGIN2处于高电平时，预充电电路17向结点N20提供预充电电压VPC2，并且负向升高(预充电)负侧栅极电源电压VGL。
[0086]对结点N20的预充电周期(负侧栅极电源电压VGL)通过控制信号VGIN2来控制。详细来说，当控制信号VGIN2转变成低电平时，N沟道晶体管MN40截止，以阻断向结点N20提供预充电电压VPC2。
[0087]这样，预充电电路17能够对基于控制信号SEQ_0N和控制信号VGIN2所确定的周期将结点N20的电压(负侧栅极电源电压VGL)降低(或者对结点20进行预充电)到预定电压(例如模拟电源电压VSN)。注意，本实施例中的预充电周期由控制信号生成电路12来设置。
[0088]在上述配置中，通过适当地控制从外部电源(未示出)的电源电压以及控制信号120、123和124的提供定时，能够防止参考电源电压VCI2在驱动器1C 1的启动时设置成低于负侧栅极电源电压VGL。下面将详细描述在驱动器1C 1的启动的时的电源电压的提供定时以及负侧栅极电源电压VGL的降压操作的提供定时。
[0089](电源电压的提供定时和负侧栅极电源电压VGL的降压操作)
图15是示出第三实施例中的电源电压的提供定时的示例的时序图。图16也是示出第三实施例中的驱动器1C的启动操作的示例的时序图。
[0090]参照图15，逻辑电源电压VDDI以及模拟电源电压VSP和VSN在时间tl从外部电源(未示出)来提供。这时，正侧栅极电源电压VGH按照正侧模拟电源电压VSP的上升来上升。虽然在这里省略了详细描述，但是第三实施例中的正侧电荷栗电路具有与图3所示电荷栗电路40相同的配置，以及正侧模拟电源电压VSP经过二极管(未示出)来提供给结点N10。因此，在时间tl，正侧栅极电源电压VGH上升。另外，逻辑电源电压VDD随逻辑电源电压VDDI的提供而达到预期电压，以开始控制信号生成电路12的操作。
[0091]在逻辑电源电压VDD以及模拟电源电压VSP和VSN达到预期电压并且然后经过了足够时间之后，在时间t2采用负电压对负侧栅极电源电压VGL进行预充电。参照图16，在时间t2，控制信号SEQ_0N转变成高电平，以及CMOS电路73的输出结点(结点N52)处的电压VSNIN基于负侧模拟电源电压VSN降低。这时，因为控制信号VGIN2固定到高电平，所以升压电路14的负侧输出结点(结点N20)(负侧栅极电源电压VGL)的电压因按照电压VSNIN的预充电电压VPC2而降低。另外，在时间t2，因为控制信号SEQ_DC2固定到低电平，所以参考电源电压VCI2没有提供给升压电路14，并且升压电路14没有执行升压操作(包含负向升压操作)，如图8所示。
[0092]随后，在时间t3，当负侧栅极电源电压VGL升高到差不多等于负侧模拟电源电压VSN的电压时，控制信号SEQ_DC2转变成高电平。因此，参考电源电压VCI2开始被提供给升压电路14，以便由升压电路14开始升压操作。另一方面，与控制信号SEQ_DC2转变成高电平基本上同时或者在控制信号SEQ_DC2转变成高电平之后，控制信号VGIN2转变成低电平。这样，预充电控制开关74(N沟道晶体管MN40)截止，使得由预充电电路17对负侧栅极电源电压VGL的负向升压操作(预充电操作)结束。
[0093]自时间t3以后，通过升压电路14进行的负向升压操作，负侧栅极电源电压VGL负向升高到预定电压(例如-15 V)。另外，参照图15，在时间t4，当负侧栅极电源电压VGL稳定在预定电压时，正侧栅极电源电压VGH升高到预定电压(例如15 V)，与常用升压电路相似。
[0094]在这里，当电荷栗电路50的升压开关SW21至SW24的衬底电压VP(N沟道晶体管MN1的背栅极电压)低于负侧栅极电源电压VGL时，寄生晶体管在参考电源电压VCI2下降到低于负侧栅极电源电压VGL时进行操作以引起闩锁效应。但是，在本实施例中，参考电源电压VCI2的提供不是在自时间t2至时间t3的时段内执行的，使得负侧栅极电源电压VGL下降到预定电压(在这种情况下为负侧模拟电源电压VSN(例如-6 V))。因此，即使具有短下降时间的参考电源电压VCI2在时间t3开始被提供，参考电源电压VCI2也从不下降到低于负侧栅极电源电压VGL。因此，寄生晶体管在升压电路14的升压开关SW21至SW24中从未导通，这抑制闩锁效应的发生。
[0095][第四实施例]
第四实施例是第二实施例的修改示例，并且向升压电路14提供参考电源电压VCI2以及对结点N20(对其提供负侧栅极电源电压VGL(又称作输出电压))的预充电操作按照由预充电电路17所生成的控制信号来控制。下面参照图10、图11、图13和图15至图17，将描述按照本发明的第四实施例的显示设备100。
[0096](显示设备的配置)
图10是示出第四实施例中的显示设备100的配置的示例的简图。参照图14，显示设备100具有驱动器1C 1和显示面板2。第四实施例与第三实施例的不同之处在于如下方面:参考电源电压VCI2的生成和升压电路14进行的负向升压操作由预充电电路17来控制。除了这个差异点之外的配置与第三实施例的配置是相同的。下面将描述与第三实施例的差异点。
[0097]参照图11，第四实施例的升压电路14的升压操作按照包含时钟信号CLK和CLKB的控制信号123以及从预充电电路17所输出的控制信号SEQ_DC2来控制。
[0098]在参考电源电压VCI2被提供给升压电路14之前，第四实施例的预充电电路17基于预充电电压VPC2来升高结点N20(对其提供负侧栅极电源电压VGL)的电压。详细来说，参照图11，在第四实施例中，预充电电压VPC2向结点N20的提供操作按照包含控制信号SEQ_0N的控制信号124来控制。
[0099]图17是示出按照第四实施例的预充电电路17的配置的示例的简图。参照图17，第四实施例的预充电电路17具有CMOS电路73、预充电控制开关74、比较器CMP2、逆变器INV20以及电平移位器LS3和LS4。通过N沟道M0S晶体管来例示的N沟道晶体管MN40适合于本实施例的预充电控制开关74。N沟道晶体管MN40连接在结点N52 (其作为CMOS电路73的输出)与结点N20 (对其提供负侧栅极电源电压VGL)之间。将控制信号VGIN2提供给N沟道晶体管MN40的栅极。CMOS电路73包括具有与结点N53 (对其提供负侧模拟电源电压VSN)连接的源极的N沟道晶体管丽30以及具有连接到地电压的结点N54的源极的P沟道晶体管MP30。P沟道晶体管MP30的栅极和N沟道晶体管丽30的栅极共同与结点N50连接，以及各漏极共同与结点N52连接。逆变器INV20连接在比较器CMP2的输出端子与电平移位器LS3的输入端子之间，以便使比较器CMP2的输出反向，以输出到电平移位器LS3。
[0100]结点N52 (CMOS电路73的输出)与比较器CMP2的非反向输入端子连接，并且经过预充电控制开关74 (N沟道晶体管MN40)与结点N20连接。结点N53与比较器CMP2的反向输入端子连接。比较器CMP2的输出端子与电平移位器LS4的输入端子连接，并且经过逆变器INV20与电平移位器LS3的输入端子连接。电平移位器LS3的输出端子经过结点N40与模拟电源电路13和升压电路14连接(参照图11和图17)。电平移位器LS4的输出端子与预充电控制开关74的控制结点(在这种情况下为N沟道晶体管MN40的栅极)连接。
[0101]比较器CMP2向电平移位器LS3和LS4输出按照提供给结点N53的模拟电源电压VSN和结点N52的电压VSNIN的比较结果的逻辑电平的信号。电平移位器LS2将比较器CMP2的输出信号电平从模拟电源电压电平(VSN)移位到逻辑电源电压电平(VDD)，并且将它作为控制信号SEQ_DC2来输出。电平移位器LS4将比较器CMP2的输出信号电平从模拟电源电压电平(VSN)移位到栅极电源电压电平(VGH-VGL)，并且将它作为控制信号VGIN2来输出。
[0102]当控制信号SEQ_0N转变成高电平时，CMOS电路73向结点N52提供模拟电源电压VSNo因此，结点N52的电压VSNIN下降到模拟电源电压VSN。当电压VSNIN大于负侧模拟电源电压VSN时，比较器CMP2输出高电平的信号。具体来说，当电压VSNIN大于通过从负侧模拟电源电压VSN中减去偏移电压(例如VSN - 100 mV)所得到的值时，比较器CMP2输出高电平的信号。这时，从电平移位器LS2所输出的控制信号VGIN2设置成高电平，以使N沟道晶体管MN40导通。因此，结点N52的电压VSNIN作为预充电电压VPC2来提供给结点N20，以及结点N20的电压(负侧栅极电源电