压VGL)下降到模拟电源电压VSN。另一方面，从电平移位器LS3所输出的控制信号SEQ_DC2设置成低电平，以停止由模拟电源电路13对参考电源电压VCI1的生成操作以及升压电路14进行的升压操作(或者阻止开始操作)。
[0103]当电压VSNIN变成小于负侧模拟电源电压VSN时，比较器CMP2输出低电平的信号。具体来说，当电压VSNIN小于通过从负侧模拟电源电压VSN中减去偏移电压(例如VSN-100 mV)所得到的值时，比较器CMP2输出低电平的信号。这时，从电平移位器LS4所输出的控制信号VGIN2设置成低电平，以使N沟道晶体管MN40截止。因此，阻断预充电电压VPC2向结点N20的提供。另一方面，从电平移位器LS3所输出的控制信号SEQ_DC2设置成高电平，使得执行由模拟电源电路13对参考电源电压VCI 1的生成操作以及升压电路14进行的升压操作。
[0104]也就是说，也在这个实施例中，预充电电路17对于控制信号SEQ_0N处于高电平并且控制信号VGIN2处于高电平的周期向结点N20提供预充电电压VPC2以及降低(预充电)负侧栅极电源电压VGL，与第三实施例相似。另外，在第四实施例中，检测结点N52的电压VSNIN变成基本上等于模拟电源电压VSN，以及这被反馈给控制信号SEQ_DC2 (参考电源电压VCI2的生成操作以及升压电路14进行的降压操作的控制)。因此，与第三实施例进行比较，在第四实施例的驱动器1C 1中，不需要输出作为控制信号120和123的控制信号SEQ-DC2以及输出作为来自控制信号生成电路12的控制信号124的控制信号VGIN1 (参照图6和图11)。
[0105]在上述配置中，通过适当地控制从外部电源(未示出)的电源电压以及控制信号124的提供定时，能够防止参考电源电压VCI2在驱动器1C 1的启动时超过负侧栅极电源电压 VGL。
[0106](电源电压的提供定时和正侧栅极电源电压VGH的升压操作)
下面参照图15和图16，将详细描述在第四实施例中、在驱动器1C 1的启动时的电源电压的提供定时和负侧栅极电源电压VGL的升压操作。
[0107]参照图15，逻辑电源电压VDDI以及模拟电源电压VSP和VSN在时间tl从外部电源(未示出)来提供。这时，正侧栅极电源电压VGH按照正侧模拟电源电压VSP的降低来上升。另外，逻辑电源电压VDD随逻辑电源电压VDDI的提供而达到预期电压，以开始控制信号生成电路12。
[0108]在逻辑电源电压VDD以及模拟电源电压VSP和VSN达到预期电压并且然后经过了足够时间的时间t2对负侧栅极电源电压VGL进行预充电。参照图16，在时间t2，控制信号SEQ_0N转变成高电平，以及CMOS电路73的输出结点(结点N52)处的电压VSNIN基于负侧模拟电源电压VSN来降低。这时，因为控制信号VGIN2在电压VSNIN超过模拟电源电压VSN的同时固定到高电平，所以升压电路14的负侧输出结点(结点N20)处的电压(负侧栅极电源电压VGL)基于按照电压VSNIN的预充电电压VPC2来降低。另外，对这个操作的周期，因为控制信号SEQ_DC2固定到低电平，所以参考电源电压VCI2没有提供给升压电路14，并且升压电路14没有执行升压操作(包含负向升压操作)，如图15所示。
[0109]随后，在时间t3，当负侧栅极电源电压VGL降低到基本上等于负侧模拟电源电压VSN的电压时，控制信号SEQ_DC2转变成高电平。因此，参考电源电压VCI2开始被提供给升压电路14，使得升压电路14开始升压操作。另外，在时间t3，当负侧栅极电源电压VGL降低到基本上等于负侧模拟电源电压VSN的电压时，控制信号VGIN2转变成低电平。因此，预充电控制开关74(N沟道晶体管MN40)截止，以及由预充电电路17对负侧栅极电源电压VGL的负向升压操作(预充电)结束。
[0110]自时间t3以后，通过升压电路14进行的升压操作，负侧栅极电源电压VGL升高到预定电压(例如-15 V)。另外，参照图15，在负侧栅极电源电压VGL稳定在预定电压时的时间t4，与常用升压电路相似，正侧栅极电源电压VGH负向升高到预定电压(例如15 V)。
[0111]在本实施例中，虽然参考电源电压VCI2的提供对于从时间t2至时间t3的周期没有执行，但是负侧栅极电源电压VGL降低到预定电压(在这种情况下为负侧模拟电源电压VSN(例如-6 V))。因此，即使具有短下降时间的参考电源电压VCI2在时间t3开始被提供，参考电源电压VCI2也从不下降到低于负侧栅极电源电压VGL。因此，当升压电路14中的升压开关SW21至SW24的衬底电压VP低于负侧栅极电源电压VGL时，不存在升压开关SW21至SW24的寄生晶体管导通的情况，使得抑制闩锁效应的发生。
[0112]另外，本实施例中的预充电电路17按照负侧栅极电源电压VGL的电压电平来控制参考电源电压VCI2的生成开始以及升压电路14的升压操作的开始。因此，在第三实施例中是必要的、来自控制信号生成电路12的控制信号SEQ_DC2和VGIN2变为不需要。
[0113]如上所述，按照本发明，不需要外部元件、例如肖特基势皇二极管，因为在驱动器1C 1中加载的内部电路的启动时能够防止升压电路的闩锁效应。因此，有可能防止在驱动器1C的启动时的闩锁效应的发生，同时抑制安装面积和成本的增加。
[0114]另外，因为正侧栅极电源电压VGH的升压操作或者负侧栅极电源电压VGL的负向升压操作通过使用在参考电源电压VCI 1和VCI2的提供之前从外部电源所提供的模拟电源电压VSP或模拟电源电压VSN来执行，所以一直到栅极电源电压VGH和VGL在预期值变稳定之前所需的时间能够减少到比常规技术要短。
[0115]此外，在本发明中，当在栅极电源电压VGH和VGL其中之一(例如正侧栅极电源电压VGH)的升压操作的开始时间处防止闩锁效应时，另一个(例如负侧栅极电源电压VGL)能够如同常规操作中一样来升高。也就是说，按照本发明，足以将用于防止闩锁效应的上述配置结合到栅极电源电压VGH和VGL之一中，并且不需要改变用于控制另一个的配置。
[0116]以上详细描述了本发明的实施例。但是，本发明并不局限于上述实施例的特定配置，以及在没有背离本发明的主旨的范围中的修改包含在本发明中。例如，在上述实施例中，参考电源电压VCI1和VCI2由作为内部电路的模拟电源电路13来生成。但是，它们可从外部电源来提供。在这种情况下，参考电源电压VCI1和VCI2的提供定时必须处于上述定时。
[0117]另外，在上述实施例中，例示用于驱动显示面板2的驱动器1C的集成电路装置，但是本发明并不局限于此。如果升压操作(包含负向升压操作)在参考电源电压的提供之前执行并且在升压操作的开始时能够防止闩锁效应，则本发明能够适用于另一个设备(例如驱动存储器单元的驱动器1C)。
【主权项】
1.一种集成电路装置，包括: 升压电路，配置成基于参考电源电压来升高输出电压；以及 预充电电路，配置成在所述参考电源电压被提供给所述升压电路之前基于另一个电源电压来升高所述输出电压， 其中所述升压电路通过对其背栅极提供所述输出电压的晶体管的开关操作来升高所述输出电压。2.如权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述预充电电路包括预充电控制开关，其配置成基于第一控制信号来控制对其提供所述输出电压的第一结点和对其提供另一个电源电压的第二结点的连接，以及 其中所述预充电控制开关在所述参考电源电压被提供给所述升压电路之前连接所述第一结点和所述第二结点。3.如权利要求2所述的集成电路装置，还包括: 控制信号生成电路，配置成向所述预充电电路输出所述第一控制信号，并且向所述升压电路输出第二控制信号， 其中由所述升压电路对所述输出电压的所述升压操作基于所述第二控制信号来控制。4.如权利要求2所述的集成电路装置，其中，所述预充电电路输出基于所述输出电压和提供给所述第二结点的电压的比较结果所确定的逻辑电平的所述第一和第二控制信号，以及 其中由所述升压电路对所述输出电压的所述升压操作基于所述第二控制信号来控制。5.如权利要求3所述的集成电路装置，还包括: 电源电路，配置成生成所述参考电源电压，以输出到所述升压电路， 其中由所述电源电路对所述参考电源电压的生成操作基于所述第二控制信号来控制。6.如权利要求4所述的集成电路装置，还包括: 电源电路，配置成生成所述参考电源电压，以输出到所述升压电路， 其中由所述电源电路对所述参考电源电压的生成操作基于所述第二控制信号来控制。7.如权利要求2至5中任一项所述的集成电路装置，其中，所述预充电电路还包括配置成控制所述其它电源电压向所述第二结点的提供的CMOS电路。8.—种显不面板驱动器，包括: 如权利要求1至7中任一项所述的集成电路装置；以及 栅极驱动电路，配置成基于所述输出电压来生成栅极线驱动信号，以驱动所述显示面板的栅极线。9.一种显不设备，包括: 如权利要求8所述的显示面板驱动器；以及 显示面板，具有通过所述栅极线驱动信号所驱动的所述栅极线。10.一种升压方法，包括: 基于在参考电源电压被提供给升压电路之前所提供的另一个电源电压来升高输出电压；以及 由所述升压电路基于所述参考电源电压来升高所述输出电压， 其中所述升压电路通过对其背栅极提供所述输出电压的晶体管的开关操作来升高所述输出电压。11.如权利要求10所述的升压方法，还包括: 基于所提供的另一个电源电压、基于所述输出电压和所述所提供的另一个电源电压的比较结果来控制所述输出电压的所述升压操作的开始和结束。12.如权利要求10或11所述的升压方法，还包括: 基于所述参考电源电压、基于所述输出电压和所述所提供的另一个电源电压的比较结果来控制所述输出电压的所述升压操作的开始和结束。13.如权利要求10或11所述的升压方法，还包括: 基于所述输出电压和所述所提供的另一个电源电压的比较结果来控制所述参考电源电压向所述升压电路的提供开始。
【专利摘要】一种集成电路装置基于在参考电源电压被提供之前的另一个电源电压来升高将要基于参考电源电压所升高的输出电压。
【IPC分类】G09G3/20
【公开号】CN105427779
【申请号】CN201510576452
【发明人】佐伯穣, 金重健一
【申请人】辛纳普蒂克斯显像装置合同会社
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年9月11日
【公告号】US20160079976