电子/光子集成电路架构及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种装置，其包括：衬底；无源光子层，其位于所述衬底上方且包含至少一个以硅为基础的介电无源光子元件，所述至少一个无源光子元件经配置以在其中传播光学信号；电子层，其位于所述衬底与所述无源光子层之间且包含至少一个电子装置，所述至少一个电子装置经配置以在其中传播电信号；及有源光子层，其位于所述无源光子层上方且包含以III-V为基础的有源光子装置，所述有源光子装置光学地耦合到所述以硅为基础的介电无源光子元件且经配置以在所述电信号与所述光学信号之间转换，并且其中以III-V为基础的有源光子装置至少部分地位于所述以硅为基础的介电无源光子元件的上方，或至少部分地位于以硅为基础的半导体光学过渡元件的上方，所述以硅为基础的半导体光学过渡元件与所述以硅为基础的介电无源光子元件重叠。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述有源光子层包含激光，所述激光经配置以响应于所述电信号而产生所述光学信号。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述有源光子层包含二极管，所述二极管经配置以响应于所述光学信号而产生所述电信号。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述以III-V为基础的有源光子装置包含调制器，所述调制器经配置以响应于所述电信号而调制所述光学信号。5.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括导通孔结构，所述导通孔结构经定位以在所述以III-V为基础的有源光子装置与所述电子装置之间传导所述电信号。6.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括以硅为基础的半导体光学过渡元件，所述以硅为基础的半导体光学过渡元件光学地耦合于所述以III-V为基础的有源光子装置与所述以硅为基础的介电无源光子元件之间。7.根据权利要求6所述的装置，其进一步包括在所述电子层及所述以硅为基础的光学过渡元件内的导通孔结构，所述导通孔结构经配置以对所述光学过渡元件加偏压。8.根据权利要求1所述的装置，其中所述光子层经配置以在波长为约1200纳米到约2000纳米的范围内操作。9.一种方法，其包括：在装置衬底上方形成无源光子层，所述无源光子层包含至少一个无源光子元件，所述至少一个以硅为基础的介电无源光子元件经配置以在其中传播光学信号；形成位于所述装置衬底与所述无源光子层之间的电子层，所述电子层包含至少一个电子装置，所述至少一个电子装置经配置以在其中传播电信号；及在所述无源光子层上方形成有源光子层，所述有源光子层包含以III-V为基础的有源光子装置，所述以III-V为基础的有源光子装置光学地耦合到所述以硅为基础的介电无源光子元件且经配置以在所述电信号与所述光学信号之间转换，其中以III-V为基础的有源光子装置至少部分地位于所述以硅为基础的介电无源光子元件的上方，或至少部分地位于以硅为基础的光学过渡元件的上方，所述以硅为基础的光学过渡元件与所述以硅为基础的介电无源光子元件重叠。10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述以III-V为基础的有源光子层包含将半导体层从处置衬底转移到所述装置衬底。11.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述无源光子层包含首先在处置衬底上方形成所述无源光子层，且接着将所述无源光子层接合到所述电子层。12.根据权利要求9所述的方法，其中所述光子层经配置以在波长为约1200纳米到约2000纳米的范围内操作。