技术总结
本发明涉及图案化光致抗蚀剂的去除。具体的，本发明提供一种用于执行光刻工艺的方法。所述方法在光致抗蚀剂已被用作为蚀刻掩模后，促进光致抗蚀剂从晶片的去除。所述光致抗蚀剂可以是负色调光致抗蚀剂，其经历曝露于电磁能的交联过程。通过降低的曝光后烘烤温度和/或减少交联剂加载来限制所述交联，所述光致抗蚀剂或者至少其一部分可具有减小的溶剂式剥除阻力。由于所述减小的溶剂式剥除阻力，所述光致抗蚀剂的一部分可使用溶剂式剥除加以去除。在所述溶剂式剥除之后，可执行干蚀刻以去除所述光致抗蚀剂的剩余部分。
技术研发人员：郑雅玲;张庆裕;陈建志
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510859346
技术研发日：2015.11.30
技术公布日：2016.11.30