1.一种二次电子发生(SEG)组合物，包括：
(i)二次电子发生器，其包括具有大于或等于15的有效原子序数(Zeff)的化合物(可选地，其中Zeff排除在100kPa压力下具有小于或等于150℃的沸点的任何溶剂化物)；以及
(ii)基础成分
其中，所述有效原子序数(Zeff)被计算为：
Zeff＝ΣαiZi
其中，Zi是所述化合物中第i元素的原子序数，以及αi是由所述第i元素组成的所述化合物中所有原子的原子序数的总和的分数。
2.根据权利要求1所述的SEG组合物，其中，所述SEG组合物是抗蚀剂组合物。
3.根据权利要求2所述的SEG组合物，其中，所述抗蚀剂组合物是电子束抗蚀剂组合物。
4.根据任一前述权利要求所述的SEG组合物，其中，所述二次电子发生器是或者包括具有大于或等于30的有效原子序数(Zeff)的化合物。
5.根据任一前述权利要求所述的SEG组合物，其中，所述二次电子发生器或其化合物具有比所述基础成分至少高出20个单位的Zeff。
6.根据任一前述权利要求所述的SEG组合物，其中，所述二次电子发生器具有比所述基础成分的密度大的密度。
7.根据任一前述权利要求所述的SEG组合物，其中，所述二次电子发生器具有大于或等于2.5g/cm3的密度。
8.根据任一前述权利要求所述的SEG组合物，其中，所述二次电子发生器是包括具有+1或更高的氧化态的金属物质的金属化合物或者包括所述金属化合物。
9.根据权利要求8所述的SEG组合物，其中，所述金属物质具有大于或等于21的原子序数(Z)。
10.根据权利要求9所述的SEG组合物，其中，所述金属物质具有大于或等于57的原子序数(Z)。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的SEG组合物，其中，所述金属物质具有小于或等于82的原子序数(Z)。
12.根据任一前述权利要求所述的SEG组合物，其中，所述二次电子发生器能够溶于所述SEG组合物。
13.根据任一前述权利要求所述的SEG组合物，其中，所述基础成分是或者包括具有小于或等于10的有效原子序数(Zeff)的化合物。
14.根据任一前述权利要求所述的SEG组合物，其中，所述基础成分是基础聚合物成分。
15.根据权利要求14所述的SEG组合物，其中，所述基础聚合物成分选自包括以下项的组：
聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(1-萘基甲基丙烯酸酯)、聚(1-乙烯基萘)、聚(2,6-萘乙炔)、聚(2-氯苯乙烯)、聚(2,6-二氯苯乙烯)、聚(2-乙烯基噻吩)、聚(N-乙烯基酞酰亚胺)、聚(乙烯基苯基硫化物)或其任何合适的混合物。
16.根据权利要求15所述的SEG组合物，其中，所述基础聚合物成分是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
17.根据任一前述权利要求所述的SEG组合物，其中，所述SEG组合物是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物(基本上)不含交联剂。
18.根据权利要求1至16中任一项所述的SEG组合物，其中，所述SEG组合物是负性抗蚀剂组合物，所述负性抗蚀剂组合物另外包括交联剂。
19.根据权利要求18所述的SEG组合物，其中，所述交联剂是双季戊四醇五丙烯酸酯(DPEPA)或季戊四醇四丙烯酸酯(PET)。
20.根据任一前述权利要求所述的SEG组合物，其中，所述SEG组合物是包括以下项的抗蚀剂组合物：
-20-95pbw基础成分；以及
-20-95pbw二次电子成分。
21.根据权利要求1所述的SEG组合物，其中，所述SEG组合物是包括以下项的抗蚀剂组合物：
(i)基础成分，其具有小于或等于15的有效原子序数(Zeff)且具有小于或等于2g/cm3的密度；以及
(ii)二次电子发生器，其包括具有大于或等于30的有效原子序数(Zeff)和大于或等于2.5g/cm3的密度的化合物；以及
(iii)可选地，交联剂；
其中，所述二次电子发生器能够溶于所述SEG组合物并且SEG组合物是溶液；
(可选地，其中密度和/或Zeff中的任一个或两者排除在100kPa压力下具有小于或等于150℃的沸点的任何溶剂化物)。
22.根据权利要求1所述的SEG组合物，其中，所述SEG组合物是包括以下项的抗蚀剂组合物：
(i)基础聚合物成分，其选自包括以下项的组：聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(1-萘基甲基丙烯酸酯)、聚(1-乙烯基萘)、聚(2,6-萘乙炔)、聚(2-氯苯乙烯)、聚(2,6-二氯苯乙烯)、聚(2-乙烯基噻吩)、聚(N-乙烯基酞酰亚胺)、聚(乙烯基苯基硫化物)；以及
(ii)二次电子发生器，其包括具有大于或等于40的有效原子序数(Zeff)和大于或等于2g/cm3的密度的金属化合物；以及
(iii)可选地，交联剂；
其中，所述SEG组合物是溶液；
(可选地，其中密度和/或Zeff中的任一个或两者排除在100kPa压力下具有小于或等于150℃的沸点的任何溶剂化物)。
23.根据权利要求1所述的SEG组合物，其中，所述SEG组合物是包括以下项的抗蚀剂组合物：
(i)20-95pbw基础聚合物成分，其选自包括以下项的组：聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(1-萘基甲基丙烯酸酯)、聚(1-乙烯基萘)、聚(2,6-萘乙炔)、聚(2-氯苯乙烯)、聚(2,6-二氯苯乙烯)、聚(2-乙烯基噻吩)、聚(N-乙烯基酞酰亚胺)、聚(乙烯基苯基硫化物)；以及
(ii)20-95pbw二次电子发生器，其包括具有大于或等于40的有效原子序数(Zeff)、大于或等于2g/cm3的密度的金属化合物，并且包括具有大于或等于39而小于或等于82的原子序数(Z)的金属物质；以及
(iii)可选地，5-30pbw交联剂；
其中，所述SEG组合物是包括20wt％和99wt％之间的溶剂的溶液；
(可选地，其中密度和/或Zeff中的任一个或两者排除在100kPa压力下具有小于或等于150℃的沸点的任何溶剂化物)；
所述SEG组合物包括至少1wt％的组合的所有规定成分(排除任何稀释剂/溶剂)。
24.一种涂覆SEG的材料，包括用如权利要求1至23中任一项所述的SEG组合物的涂层涂覆的基础衬底，其中，所述涂层可选地是固化的和/或干燥的涂层。
25.根据权利要求24所述的涂覆SEG的材料，其中，所述涂覆SEG的材料是涂覆抗蚀剂的材料，所述涂覆抗蚀剂的材料包括用以如权利要求1至23中任一项所述的SEG组合物为特征的抗蚀剂组合物的涂层涂覆的所述基础衬底。
26.根据权利要求24至25中任一项所述的涂覆SEG的材料，其中，所述基础衬底是电子组件衬底，所述电子组件衬底选自包括以下项或者(基本上)由以下项制成的衬底：硅、铜、铬、铁、铝或玻璃。
27.根据权利要求26所述的涂覆SEG的材料，其中，所述基础衬底是硅衬底。
28.一种制备曝光的涂覆SEG的材料的方法(或曝光涂覆SEG的材料的方法)，所述方法包括将如权利要求24至27中任一项所述的涂覆SEG的材料的涂层的部分暴露于辐射；以及可选地执行曝光后烘焙。
29.根据权利要求28所述的制备曝光的涂覆SEG的材料的方法，其中，所述辐射是电子束。
30.一种能够通过如权利要求28至29中任一项所述的制备曝光的涂覆SEG的材料的方法(或曝光涂覆SEG的材料的方法)获得的曝光的涂覆抗蚀剂的材料。
31.一种曝光的涂覆SEG的材料，所述曝光的涂覆SEG的材料包括如权利要求24至27中任一项所述的涂覆SEG的材料，其中，所述涂覆SEG的材料的所述涂层的部分是显影剂可溶的涂层部分，以及所述涂层的部分是显影剂不溶的涂层部分。
32.一种制造光刻掩膜(例如，光掩模)的方法，所述方法包括：
i)提供如权利要求24所述的涂覆SEG的衬底或者将SEG涂层施加到衬底；
ii)将所述SEG涂层的部分暴露于辐射，以提供曝光的SEG涂层；
iii)使所述曝光的SEG涂层显影以生成SEG图案层，所述SEG图案层包括：所述SEG涂层的显影剂不溶的涂层部分(即，脊)；以及通过所述SEG图案层延伸的凹槽的阵列；
iv)可选地，选择性地将所述SEG图案层下面的所述衬底、衬底表面或其部分进行改性；
v)可选地，去除所述SEG图案层以提供改性的衬底；
其中，所述SEG涂层包括可选地被干燥的和/或固化的如权利要求1至23中任一项所述的SEG组合物。
33.一种能够通过如权利要求32所述的方法获得的光刻掩膜。
34.一种制造集成电路管芯或包括多个集成电路管芯的集成电路晶圆的方法，所述管芯或每个管芯包括多个电子组件，其中，所述方法包括：
i)提供如权利要求25所述的涂覆SEG的衬底或者将SEG涂层施加到衬底；以及
ii)将所述SEG涂层的部分暴露于辐射，以提供曝光的SEG涂层；
或者
i)提供涂覆抗蚀剂的衬底或者将抗蚀剂涂层施加到衬底，以用于通过如权利要求33所述的光刻掩膜曝光；以及
ii)通过所述光刻掩膜将所述抗蚀剂涂层的部分暴露于辐射，以提供曝光的抗蚀剂涂层；
以及
iii)使所述曝光的SEG涂层或曝光的抗蚀剂涂层显影以生成SEG图案层或抗蚀剂图案层，所述SEG图案层或抗蚀剂图案层包括：SEG或抗蚀剂涂层的显影剂不溶的涂层部分(即，脊)；以及通过所述SEG图案层或抗蚀剂图案层延伸的凹槽的阵列；
iv)将所述SEG图案层或抗蚀剂图案层下面的所述衬底、衬底表面或其部分进行改性；
v)去除所述SEG图案层或抗蚀剂图案层以提供改性的衬底；
vi)可选地，在所述改性的衬底上用SEG涂层或可选的抗蚀剂涂层来一次或多次重复步骤iv)和/或步骤i)-v)；
vii)可选地，(如果还没有在一个或多个衬底/衬底表面改性步骤期间被执行)将所述管芯或每个管芯的所述电子组件与导体进行导电地互连，以提供具有外部接触端子的集成电路；
viii)可选地，执行一个或多个进一步的整理步骤；
ix)可选地，将集成电路管芯从包括多个集成电路管芯的晶圆分隔开；
其中，所述SEG涂层包括可选地被干燥的和/或固化的如权利要求1至23中任一项所述的SEG组合物；以及
其中，用于通过所述光刻掩膜曝光的所述涂覆抗蚀剂的衬底或抗蚀剂涂层可选地是：
a.涂覆SEG的衬底或SEG涂层；或
b.可选的涂覆抗蚀剂的衬底或可选的抗蚀剂涂层。
35.一种制造集成电路封装的方法，所述集成电路封装包括多个引脚和具有导电地连接到对应的多个引脚的外部接触端子的集成电路管芯，其中，所述方法包括：
i)通过如权利要求34所述的制造集成电路管芯的方法来制造集成电路管芯；
ii)将所述集成电路管芯附接到封装衬底，其中，所述封装衬底包括电触点，所述电触点中的每一个可选地被连接到对应的引脚或者能够连接到对应的引脚；
iii)将所述集成电路管芯的外部接触端子中的每一个导电地连接到所述封装衬底的对应的电触点；
iv)可选地(以及如有必要)，将所述封装衬底的所述电触点连接到对应的引脚；
v)将所述集成电路管芯进行封装。
36.一种产生电路板的方法，所述方法包括制造如权利要求35所述的集成电路封装；以及将所述集成电路封装导电地连接到电路板。
37.一种产生电子设备的方法，所述方法包括产生如权利要求36所述的电路板；以及将所述电路板并入到电子设备。
38.一种抗蚀剂组合物、形成涂覆抗蚀剂的材料的方法、涂覆抗蚀剂的材料、制备曝光的涂覆抗蚀剂的材料的方法(或曝光涂覆抗蚀剂的材料的方法)、曝光的涂覆抗蚀剂的材料、制备图案化衬底的方法(或使涂覆抗蚀剂的材料图案化的方法)、图案化衬底、制备被镀衬底的方法(或镀图案化衬底的方法)、被镀衬底、电子组件或如基本上以上参考所附示例和附图描述的用途。