阵列基板及液晶显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
【背景技术】
[0002] 液晶显示面板中包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的 液晶层，液晶层通过设置在阵列基板的边缘的胶框固定在阵列基板和彩膜基板之间。
[0003] 其中胶框一般由亚克力、环氧树脂以及光起始剂组成，通过加热或UV光照射胶框 的方式使其固化，从而使彩膜基板和阵列基板粘结在一起。
[0004] 如图1所示，图1为现有的阵列基板的结构示意图。该阵列基板10包括衬底基板 11，胶框12以及金属线13,如数据线或扫描线。其中部分胶框12位于金属线13的上方， 这样使用UV光照射固化胶框12时，由于金属线13的阻挡，导致图1中的A部分的胶框12 固化不良。未完全固化的胶框12处有可能出现液晶泄露的现象，同时未完全固化的胶框12 可能会对液晶造成污染，从而导致相应的液晶显示面板的显示不良。
[0005] 故，有必要提供一种阵列基板及液晶显示面板，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种可有效的对所有胶框进行固化，且可避免未固化的胶 框对液晶造成污染的阵列基板及液晶显示面板；以解决现有的阵列基板及液晶显示面板的 胶框固化率较低且未固化的胶框易对液晶造成污染的技术问题。
[0007] 为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
[0008] 本发明实施例提供一种阵列基板，其包括：
[0009] 基板衬底；
[0010] 非透光区域，设置在所述基板衬底上；
[0011] 反射层，设置所述非透光区域与所述基板衬底之间，其包括多个用于使固化UV光 通过所述非透光区域之间的间隙，并反射至所述非透光区域上的反射面；以及
[0012] 胶框层，设置在所述非透光区域上，用于形成胶框。
[0013] 在本发明所述的阵列基板上，所述反射面设置在所述非透光区域下。
[0014] 在本发明所述的阵列基板上，所述胶框层还设置在相邻的两个所述非透光区域之 间。
[0015] 在本发明所述的阵列基板上，所述反射层和所述非透光区域满足以下条件：
【主权项】
1. 一种阵列基板，其特征在于，包括： 基板衬底； 非透光区域，设置在所述基板衬底上； 反射层，设置所述非透光区域与所述基板衬底之间，其包括多个用于使固化UV光通过 所述非透光区域之间的间隙，并反射至所述非透光区域上的反射面；以及 胶框层，设置在所述非透光区域上，用于形成胶框。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射面设置在所述非透光区域 下。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述胶框层还设置在相邻的两个所 述非透光区域之间。
4. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层和所述非透光区域满足 以下条件：
其中α为所述反射面与所述非透光区域所在平面的夹角，b为所述反射层的厚度，c为 所述非透光区域的厚度，s为相邻的所述非透光区域之间的间距。
5. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述固化UV光垂直于所述基板衬底 所在平面入射。
6. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非透光区域为数据线、扫描线或 黑色矩阵。
7. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射面为金属反射面。
8. -种液晶显示面板，其特征在于，包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩 膜基板之间的液晶层，其中所述阵列基板和所述彩膜基板通过胶框连接； 其中所述阵列基板包括： 基板衬底； 非透光区域，设置在所述基板衬底上； 反射层，设置所述非透光区域与所述基板衬底之间，其包括多个用于使固化UV光通过 所述非透光区域之间的间隙，并反射至所述非透光区域上的反射面；以及 胶框层，设置在所述非透光区域上，用于形成胶框。
9. 根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述反射面设置在所述非透光 区域下。
10. 根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述反射层和所述非透光区域 满足以下条件：
其中α为所述反射面与所述非透光区域所在平面的夹角，b为所述反射层的厚度，c为 所述非透光区域的厚度，s为相邻的所述非透光区域之间的间距。
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板，该阵列基板包括基板衬底、非透光区域、反射层以及胶框层；反射层设置在非透光区域以及基板衬底之间，其包括多个将固化UV光通过非透光区域之间的间隙、反射至非透光区域上的反射面。本发明还提供一种液晶显示面板。本发明的阵列基板及液晶显示面板通过反射层的设置可以提高胶框的固化率，避免液晶显示面板的显示不良。
【IPC分类】G02F1-1362
【公开号】CN104635394
【申请号】CN201510080431
【发明人】陈珍霞, 马小龙, 李泳锐
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年2月13日