一种阵列基板、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，随着显示技术的发展，对显示产品的分辨率要求越来越高，进而对阵列基板的制作工艺要求也越来越高。
[0003]一般地，现有的阵列基板的结构如图1所示，与每个像素单元N对应的栅极G延伸到像素区域的面积较大，几乎为整个栅极G的面积，进而栅极G延伸到像素区域的边缘周长较长，在阵列基板的制作工艺中，有源层成膜之后进行的清洗工艺过程中，随着清洗溶液的流动有源层金属则易较多的残留于栅极延伸到像素区域的边缘处，造成有源层金属沿着栅极的边缘形成残留，同时，由于残留的有源层残留物中含有N+导电金属，在阵列基板完成制作源漏电极的工艺之后，易造成像素电极与数据线之间通过残留的导电金属在图1中虚线框标注的区域形成短路，在后期单色画面点灯测试时，像素电极的电流会随着残留的有源层金属流向相邻的数据线，进而使得像素电极上的电压变小，驱动液晶翻转的能力下降，造成显示画面出现多暗点，影像了显示画面的质量。
[0004]因此，如何减少阵列基板制作工艺中，有源层金属沿着栅极的边缘处的残留，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以解决现有技术中存在的在阵列基板的制作工艺中，有源层金属较多的残留于栅极的边缘处的问题。
[0006]本发明实施例提供了一种阵列基板，包括:栅极、栅线、数据线、像素电极和公共电极线；其中，所述公共电极线与所述栅线延伸方向相同，所述像素电极位于相邻的所述栅线和相邻的所述数据线定义的区域；
[0007]所述栅线沿其延伸方向贯穿于与所述栅线位于同一行的所述栅极；
[0008]所述像素电极靠近所述栅线的一端与所述栅线之间具有间隙。
[0009]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述栅极在垂直于所述栅线的方向上相对于所述栅线具有突出部。
[0010]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述像素电极靠近所述公共电极线的一端与所述栅线对应的区域具有突出部。
[0011]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述公共电极线与所述栅极对应的区域沿着背离所述栅极的方向弯折，其余区域向着靠近所述栅线的方向弯折。
[0012]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述公共电极线与所述栅线同层设置。
[0013]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括与所述公共电极线相连的公共电极。
[0014]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括:有源层、源极和漏极；其中，
[0015]所述有源层位于所述栅极之上；
[0016]所述数据线与所述源极同层设置且电性相连；
[0017]所述像素电极位于所述漏极之上且与所述漏极电性相连。
[0018]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述像素电极的材料为透明导电金属。
[0019]本发明实施例提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
[0020]本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。
[0021]本发明实施例的有益效果包括:
[0022]本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括:栅极、栅线、数据线、像素电极和公共电极线；其中，公共电极线与栅线延伸方向相同，像素电极位于相邻的栅线和相邻的数据线定义的区域；栅线沿其延伸方向贯穿于与栅线位于同一行的栅极，像素电极靠近栅线的一端与栅线之间具有间隙，这样可以将像素电极沿着背离栅线的方向减小，使栅线可以沿着靠近像素电极的方向移动，进而栅线可以水平穿过栅极，使得栅极延伸到像素区域的面积减小，随之栅极延伸到像素区域的边缘的周长可以减小，在阵列基板的制作工艺中，有源层成膜后的清洗过程中，有源层金属在栅极边缘处的残留可以减少，从而有效降低阵列基板制作工艺中有源层金属的残留，可以提高阵列基板的产品良率。
【附图说明】
[0023]图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；
[0024]图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；
[0025]图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之二 ；
[0026]图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之三。
【具体实施方式】
[0027]下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0028]附图中各膜层的厚度和区域的大小形状不反映阵列基板各部件的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
。
[0029]本发明实施例提供了一种阵列基板，如图2所示，可以包括:栅极1、栅线2、数据线3、像素电极4和公共电极线5 ;其中，公共电极线5与栅线2延伸方向相同，像素电极4位于相邻的栅线2和相邻的数据线3定义的区域；栅线2沿其延伸方向贯穿于与栅线2位于同一行的栅极I ;像素电极4靠近栅线2的一端与栅线2之间具有间隙。
[0030]本发明实施例提供的上述阵列基板中，包括:栅极1、栅线2、数据线3、像素电极4和公共电极线5 ;其中，公共电极线5与栅线2延伸方向相同，像素电极4位于相邻的栅线2和相邻的数据线3定义的区域；栅线2沿其延伸方向贯穿于与栅线2位于同一行的栅极1，像素电极4靠近栅线2的一端与栅线2之间具有间隙，这样将可以像素电极4沿着背离栅线2的方向减小，使栅线2可以沿着靠近像素电极4的方向移动，进而栅线2可以水平穿过栅极1，如图2所示，使得栅极I延伸到像素区域的面积(图2中虚线框M标注的区域)减小，随之栅极I延伸到像素区域的边缘的周长可以减小，相对于现有技术中栅线沿着栅极靠近公共电极线的一端的边缘穿过，栅极整个面积几乎全部延伸到像素区域，本发明实施例提供的阵列基板中，栅线水平穿过栅极，使得栅极延伸到像素区域的面积减小，随之栅极延伸到像素区域的边缘的周长可以减小，这样在阵列基板的制作工艺中，有源层成膜后的清洗过程中，有源层金属在栅极边缘处的残留可以减少，从而有效降低阵列基板制作工艺中有源层金属的残留，可以提高阵列基板的产品良率。
[0031]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，栅极在垂直于栅线的方向上相对于栅线具有突出部，具体地，本发明实施例提供的上述阵列基板中，例如图2所示，栅极I与栅线2为一体结构，图2中栅极I的三角形状仅为示意，其栅极I的形状不限于此，栅线2延其延伸方向从栅极I的中间穿过，栅极I在垂直于栅线2的方向上相对于栅线2具有突出部，这样栅极I延伸到像素区域的部分仅为栅极I相对于栅线2靠近像素电极4的突出部分，这样使得栅极延伸到像素区域的面积减小，随之栅极延伸到像素区域的边缘的周长可以减小，这样在阵列基板的制作工艺中，有源层成膜后的清洗过程中，有源层金属在栅极边缘处的残留可以减少，从而有效降低阵列基板制作工艺中有源层金属的残留，可以提尚阵列基板的广品良率。
[0032]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，像素电极4靠近公共电极线5的一端与与栅线2对应的区域具有突出部B。
[0033]具体地，本发明实施例提供的上述阵列基板中，为了使栅线2可以水平穿过栅极1，因此将像素电极4沿着背离栅线2的方向减小，这样使得像素电极4的面积减小，因此为了保证像素电极4的面积不会因为使栅线2水平穿过栅极I而减小，因此如图3所示，可以将像素电极4靠近公共电极线5的一端设置成与栅线2对应的区域具有突出部B，这样可以通过改变像素电极4的形状，像素电极4靠近公共电极线5的一端与栅线2对应的区域的突出部B可以补偿像素电