14的透明度，从而控制经由彩膜层12转化后的红光、绿光、及蓝光的透过率与亮度，实现彩色多灰阶显示，尤其是当施加于电致变色层14上的电压足够大时，电致变色层14呈黑态，从而能够实现黑色显示。相比于传统的液晶显示面板，本发明的电致变色显示面板结构简单，通过电致变色层14及薄膜封装层16的设置能够减少一层玻璃基板、两层偏光板、液晶层、及配向层的使用，大大降低了显示面板的厚度，提升了显示面板的穿透率，且该电致变色显示面板只采用黑色电致变色材料，驱动较简单。
[0044]请参阅图4，并结合图1、与图2，本发明还提供一种电致变色显示面板的制作方法，包括如下步骤:
[0045]步骤1、提供一阵列基板11，在所述阵列基板11上制作彩膜层12。
[0046]具体地，如图2所示，所述阵列基板11包括:衬底基板110、设于所述衬底基板110上的TFT层111、及设于所述TFT层111上的绝缘保护层112，所述衬底基板110优选玻璃基板，所述绝缘保护层112的材料可选择氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
[0047]进一步地，所述衬底基板110具有呈阵列排布的数个子像素区域1101，所述TFT层111包括对应数个子像素区域1101的数个TFT，所述TFT包括:设于所述衬底基板110上的栅极1110、设于所述栅极1110及衬底基板110上的栅极绝缘层1111、设于所述栅极绝缘层1111上的半导体层1114、设于所述栅极绝缘层1111上分别接触所述半导体层1114两侧的源极1112与漏极1113、及设于半导体层1114上位于源极1112与漏极1113之间的刻蚀阻挡层1115。
[0048]所述彩膜层12包括对应数个子像素区域1101依次设置的红色滤光层121、绿色滤光层122、及蓝色滤光层123。所述红色滤光层121、绿色滤光层122、及蓝色滤光层123能够将入射的白光分别转化为红光、绿光、及蓝光。
[0049]步骤2、在所述彩膜层12上制作像素电极层13。
[0050]具体地，所述像素电极层13的材料为ΙΤ0，所述像素电极层13通过贯穿所述彩膜层12与绝缘保护层112的过孔131与漏极1113相接触。
[0051]步骤3、在所述像素电极层13上制作电致变色层14，所述电致变色层14采用黑色电致变色材料制作，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态。
[0052]具体地，所述步骤3包括:
[0053]步骤31、在对应数个不同子像素区域1101的彩膜层12及像素电极层13上蒸镀形成图案化的像素分割层141。
[0054]步骤32、向所述像素分割层141的空隙内蒸镀填充电致变色层14。
[0055]步骤4、在所述电致变色层14上覆盖公共电极层15，在所述公共电极层15上制作薄膜封装层16进行封装，形成电致变色显示面板1。
[0056]具体地，所述公共电极层15的材料为ΙΤ0。
[0057]经过上述电致变色显示面板的制作方法制得的电致变色显示面板，通过对像素电极层13、及公共电极层15通电，在电致变色层14上施加不同大小的电压能够控制电致变色层14的透明度，从而控制经由彩膜层12转化后的红光、绿光、及蓝光的透过率与亮度，实现彩色多灰阶显示，尤其是当施加于电致变色层14上的电压足够大时，电致变色层14呈黑态，从而能够实现黑色显示。相比于传统的液晶显示面板，该方法制得的电致变色显示面板结构简单，能够减少一层玻璃基板、两层偏光板、液晶层、及配向层的使用，大大降低了显示面板的厚度，提升了显示面板的穿透率，且该电致变色显示面板只采用黑色电致变色材料，驱动较简单。
[0058]综上所述，本发明的电致变色显示面板，设置有彩膜层与电致变色层，通过彩膜层将背光源的背光进行滤光，所述电致变色层采用黑色电致变色材料，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态，从而可以通过改变施加在电致变色层上的电压来控制光线的透过率，实现彩色多灰阶显示与黑色显示，再结合薄膜封装能够降低显示面板的厚度，简化显示面板结构，提升显示面板的穿透率，且该电致变色显示面板只采用黑色电致变色材料，驱动较简单。本发明的电致变色显示面板的制作方法，能够简化显示面板的制作工艺，制得的电致变色显示面板结构简单、厚度薄、穿透率高，能够实现彩色显示与黑色显示。
[0059]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种电致变色显示面板，其特征在于，包括:阵列基板(11)、设于所述阵列基板(11)上的彩膜层(12)、设于所述彩膜层(12)上的像素电极层(13)、设于所述像素电极层(13)上的电致变色层(14)、设于所述电致变色层(14)上的公共电极层(15)、及设于所述公共电极层(15)上的薄膜封装层(16); 所述电致变色层(14)采用黑色电致变色材料，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态。2.如权利要求1所述的电致变色显示面板，其特征在于，所述阵列基板(11)包括:衬底基板(110)、设于所述衬底基板(110)上的TFT层(111)、及设于所述TFT层(111)上的绝缘保护层(112)； 所述衬底基板(110)具有呈阵列式排布的数个子像素区域(1101)，所述TFT层(111)包括对应数个子像素区域(1101)的数个TFT，所述TFT包括:设于所述衬底基板(110)上的栅极(1110)、设于所述栅极(1110)及衬底基板(110)上的栅极绝缘层(1111)、设于所述栅极绝缘层(1111)上的半导体层(1114)、设于所述栅极绝缘层(1111)上分别接触所述半导体层(1114)两侧的源极(1112)与漏极(1113)、及设于半导体层(1114)上位于源极(1112)与漏极(1113)之间的刻蚀阻挡层(1115)。3.如权利要求2所述的电致变色显示面板，其特征在于，所述彩膜层(12)包括对应数个子像素区域(1101)依次设置的红色滤光层(121)、绿色滤光层(122)、及蓝色滤光层(123)ο4.如权利要求2所述的电致变色显示面板，其特征在于，所述像素电极层(13)通过贯穿所述彩膜层(12)与绝缘保护层(112)的过孔(131)与漏极(1113)相接触。5.如权利要求2所述的电致变色显示面板，其特征在于，对应于不同子像素区域(1101)的电致变色层(14)之间设有像素分割层(141)。6.一种电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供一阵列基板(11)，在所述阵列基板(11)上制作彩膜层(12); 步骤2、在所述彩膜层(12)上制作像素电极层(13); 步骤3、在所述像素电极层(13)上制作电致变色层(14)，所述电致变色层(14)采用黑色电致变色材料制作，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态； 步骤4、在所述电致变色层(14)上覆盖公共电极层(15)，在所述公共电极层(15)上制作薄膜封装层(16)进行封装，形成电致变色显示面板(1)。7.如权利要求6所述的电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板(II)包括:衬底基板(110)、设于所述衬底基板(110)上的TFT层(111)、及设于所述TFT层(III)上的绝缘保护层(112); 所述衬底基板(110)具有呈阵列式排布的数个子像素区域(1101)，所述TFT层(111)包括对应数个子像素区域(1101)的数个TFT，所述TFT包括:设于所述衬底基板(110)上的栅极(1110)、设于所述栅极(1110)及衬底基板(110)上的栅极绝缘层(1111)、设于所述栅极绝缘层(1111)上的半导体层(1114)、设于所述栅极绝缘层(1111)上分别接触所述半导体层(1114)两侧的源极(1112)与漏极(1113)、及设于半导体层(1114)上位于源极(1112)与漏极(1113)之间的刻蚀阻挡层(1115)。8.如权利要求7所述的电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，所述彩膜层(12)包括对应数个子像素区域(1101)依次设置的红色滤光层(121)、绿色滤光层(122)、及蓝色滤光层(123)。9.如权利要求7所述的电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，所述像素电极层(13)通过贯穿所述彩膜层(12)与绝缘保护层(112)的过孔(131)与漏极(1113)相接触。10.如权利要求7所述的电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤3具体包括: 步骤31、在对应数个不同子像素区域(1101)的彩膜层(12)及像素电极层(13)上蒸镀形成图案化的像素分割层(141); 步骤32、向所述像素分割层(141)的空隙内蒸镀填充电致变色层(14)。
【专利摘要】本发明提供一种电致变色显示面板及其制作方法。该电致变色显示面板包括：阵列基板(11)、设于所述阵列基板(11)上的彩膜层(12)、设于所述彩膜层(12)上的像素电极层(13)、设于所述像素电极层(13)上的电致变色层(14)、设于所述电致变色层(14)上的公共电极层(15)、及设于所述公共电极层(15)上的薄膜封装层(16)；所述电致变色层(14)采用黑色电致变色材料，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转为变黑态。该电致变色显示面板结能够实现彩色显示与黑色显示，简化显示面板结构，降低显示面板的厚度，提升显示面板的穿透率。
【IPC分类】G02F1/153
【公开号】CN105278199
【申请号】CN201510790801
【发明人】徐向阳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年11月17日