阵列基板及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于阵列基板技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
【背景技术】
[0002]液晶显示装置等的阵列基板包括用于进行显示的显示区(AA区)和位于显示区外的引入区。显示区中的栅极线、数据线等引线的驱动信号均通过引入区引入。但在引入区中，数据线经常因为电化学腐蚀而发生断线，从而导致暗线不良等问题。
【发明内容】
[0003]本发明针对现有阵列基板中引入区的数据线易引起暗线不良的问题，提供一种可避免暗线不良的阵列基板及其制备方法。
[0004]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，分为显示区和引入区，并包括基底，基底上依次设有第一引线、第一绝缘层、第二引线、第二绝缘层，所述引入区中设有位于第一引线上方并贯穿第二绝缘层和第一绝缘层的第一过孔，以及位于第二引线上方并贯穿第二绝缘层的第二过孔；且所述阵列基板还包括:
[0005]设于第二引线和第二绝缘层间、位于第二过孔处第二引线上的保护层，所述保护层由导电金属氧化物构成。
[0006]本发明的阵列基板中，在第二过孔处设有位于第二引线和第二绝缘层间的导电金属氧化物保护层，在形成过孔的过程中，保护层可保护第二引线不受刻蚀，且保护层本身具有较强的抗腐蚀能力，故不会产生针孔(Pinhole)，可消除暗线不良。
[0007]优选的是，所述导电金属氧化物为氧化铟锡。
[0008]进一步优选的是，所述阵列基板为液晶显示装置的阵列基板；所述显示区中还包括与所述保护层同步形成的像素电极或公共电极。
[0009]优选的是，所述阵列基板还包括设于所述第二绝缘层上方的引入线，其中，所述引入线一端用于连接驱动芯片，另一端通过第一过孔连接第一引线，或通过第二过孔连接第二引线上的保护层；所述引入线由与保护层相同的材料构成。
[0010]优选的是，所述第一引线为栅极线；所述第一绝缘层为栅绝缘层；所述第二引线为数据线；所述第二绝缘层为钝化层。
[0011]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，分为显示区和引入区，并包括基底，基底上依次设有第一引线、第一绝缘层、第二引线、第二绝缘层，所述阵列基板还包括与所述第一引线同层设置的第一辅助引线；且
[0012]所述引入区中设有分别位于第一引线和第一辅助引线上方并贯穿第二绝缘层和第一绝缘层的第一过孔；
[0013]在显示区中，所述第一辅助引线通过第一绝缘层中的连通过孔与第二引线相连。
[0014]本发明的阵列基板中，引入区的过孔均贯穿至同一层，由此其不存在引线被过度刻蚀的问题，可消除暗线不良。
[0015]优选的是，所述第一引线为栅极线；所述第一绝缘层为栅绝缘层；所述第二引线为数据线；所述第二绝缘层为钝化层。
[0016]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，分为显示区和引入区，并包括基底，基底上依次设有第一引线、第一绝缘层、第二引线、第二绝缘层，所述阵列基板还包括与所述第二引线同层设置的第二辅助引线；且
[0017]所述引入区中设有分别位于第二引线和第二辅助引线上方并贯穿第二绝缘层的第二过孔；
[0018]在显示区中，所述第二辅助引线通过第一绝缘层中的连通过孔与第一引线相连。
[0019]本发明的阵列基板中，引入区的过孔均贯穿至同一层，由此其不存在引线被过度刻蚀的问题，可消除暗线不良。
[0020]优选的是，所述第一引线为栅极线；所述第一绝缘层为栅绝缘层；所述第二引线为数据线；所述第二绝缘层为钝化层。
[0021]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板制备方法，所述阵列基板分为显示区和引入区，所述阵列基板制备方法包括在基底上依次形成第一引线、第一绝缘层、第二引线、第二绝缘层的步骤；且还包括:
[0022]通过构图工艺，在引入区中形成贯穿第二绝缘层的过孔，所述过孔包括位于第二引线上方的第二过孔，以及位于第一引线上方的单层过孔；
[0023]通过构图工艺，在第一绝缘层中对应单层过孔的位置形成过孔，与所述单层过孔共同构成第一过孔。
[0024]本发明的阵列基板制备方法中，包括单独的刻蚀第一绝缘层的步骤，故在刻蚀第二绝缘层时只要能将其本身刻穿即可，而不必进行过度刻蚀，由此第二引线表面不会产生针孔，可消除暗线不良。
[0025]优选的是，所述第一引线为栅极线；所述第一绝缘层为栅绝缘层；所述第二引线为数据线；所述第二绝缘层为钝化层。
【附图说明】
[0026]图1为本发明的实施例的一种阵列基板上引线和过孔的分布示意图；
[0027]图2为本发明的实施例的一种阵列基板中第一过孔和第二过孔处的局部剖面结构对比示意图；
[0028]图3为本发明的实施例的另一种阵列基板上引线和过孔的分布示意图；
[0029]图4为本发明的实施例的另一种阵列基板中两种第一过孔处的局部剖面结构对比示意图；
[0030]图5为本发明的实施例的另一种阵列基板中连通过孔处的局部剖面结构示意图；
[0031]图6为本发明的实施例的另一种阵列基板上引线和过孔的分布示意图；
[0032]图7为本发明的实施例的另一种阵列基板中两种第二过孔处的局部剖面结构对比示意图；
[0033]图8为本发明的实施例的另一种阵列基板中连通过孔处的局部剖面结构示意图；
[0034]图9为本发明的实施例的一种阵列基板制备方法所制阵列基板上引线和过孔的分布示意图；
[0035]图10为本发明的实施例的一种阵列基板制备方法中在钝化层中形成过孔后第一过孔和第二过孔处的局部剖面结构对比示意图；
[0036]图11为本发明的实施例的一种阵列基板制备方法中在栅绝缘层中形成过孔后第一过孔和第二过孔处的局部剖面结构对比示意图；
[0037]图12为本发明的实施例的一种阵列基板制备方法所制阵列基板中第一过孔和第二过孔处的局部剖面结构对比示意图；
[0038]其中，附图标记为:11、栅极线；111、第一辅助引线；12、数据线；121、第二辅助引线；21、栅绝缘层；22、钝化层；31、第一过孔；32、第二过孔；38、连通过孔；39、单层过孔；5、保护层；7、引入线；9、基底；91、显不区；92、引入区。
【具体实施方式】
[0039]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0040]实施例1:
[0041]如图1、图2所示，本实施例提供一种阵列基板，其分为显示区91和引入区92，并包括基底9，基底9上依次设有第一引线、第一绝缘层、第二引线、第二绝缘层。
[0042]在本实施例中，以第一引线为栅极线11、第一绝缘层为栅绝缘层21、第二引线为数据线12、第二绝缘层为钝化层22为例进行说明，但应当理解，其并不是对本发明的限定，其中的引线和绝缘层也可为其他不同的形式。
[0043]也就是说，如图1所示，本实施例的阵列基板包括用于进行显示的显示区91，以及设于显示区91周边的引入区92。在显示区91中，设有薄膜晶体管、栅极线11、数据线12、像素(液晶像素、有机发光二极管像素等)等用于进行显示的结构，而引入区92则用于将驱动芯片的驱动信号引入栅极线11、数据线12之中。
[0044]其中，引入区92中设有位于栅极线11上方并贯穿钝化层22和栅绝缘层21的第一过孔31，以及位于数据线12上方并贯穿钝化层22的第二过孔32 ;阵列基板还包括:设于数据线12和钝化层22间、位于第二过孔32处数据线12上的保护层5，保护层5由导电金属氧化物构成。
[0045]也就是说，如图2所示，在本实施例的阵列基板中，栅极线11和数据线12与现有技术类似，仍然是分别通过其上方的第一过孔31和第二过孔32与驱动芯片连接的。但与现有技术不同的是，在第二过孔32处的数据线12上，还设有由导电金属氧化物构成的保护层5，从层间关系上看，该保护层5