专利名称：一种光子晶体多层膜的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种光子晶体多层膜的制备方法，属光学材料的制备及应用的技术领域。
背景技术：
光子晶体是近年来出现的一种新的光学材料，是由介电参数不同的两种材料周期性排列构成的人工晶体材料；是继电子半导体材料应用以来，最有希望开辟电子信息时代的新材料。光子晶体以光子禁带和光子局域的存在为主要特征，其特性使光子晶体在微光电子器件的集成、光互连、光通讯领域得到应用。光子晶体的带隙结构是最重要的特性，也是光子晶体应用开发的基础，多层膜系结构的光子晶体的禁带内能量损失较低，但禁带宽度有限，而且出现较宽的全角高反射很难；而金属材料与这类光子晶体相比，虽然在宽的频率范围内，在任意入射方向下会有很强的反射性，但是吸收导致了较大的能量损失；由于大部分材料在低于可见光波段存在严重的吸收，研究较少；但由于存在潜在的应用前景，已成为重要的研究课题。磁控溅射技术是重要的薄膜沉积技术之一，已在电子、电气、光学、半导体、航空、 制镜、美术陶瓷、工艺装饰领域得到了应用，光子晶体多层膜也可利用磁控溅射技术制备。
发明内容
发明目的本发明的目的是针对背景技术的状况，采用直流磁控溅射、射频磁控溅射技术，在导电玻璃上溅射金属、陶瓷多层膜，以大幅度提高光子晶体多层膜的光学性能、力学性能， 使光子晶体多层膜得以在高性能光电子产品中应用。技术方案本发明使用的化学物质材料为氧化钛靶材、铜靶材、丙酮、无水乙醇、去离子水、 氩气，其组合用量如下以毫米、毫升、厘米3为计量单位氧化钛靶材TiO2 铜靶材Cu 丙酮CH3COCH3 无水乙醇Oi3CH2OH 去离子水H2O 氩气Ar 导电玻璃ITO
Φ 76mm X 15mm Φ 76mm X 15mm 200mL±lmL 200mL±l mL IOOOmLilOmL 10000 cm 3士 100 cm
3
20 mm χ 20 mm X 2 mm 光子晶体多层膜为14层结构，由基层、氧化钛层、铜层、氧化钛层组成，第I层为基层，即导电玻璃ITO层，第II层为氧化钛层，第III层为铜层，第IV层为氧化钛层，第V层为铜层，第VI层为氧化钛层，第VII层为铜层，第VIII层为氧化钛层，第IX为铜层，第X为氧化钛层，第XI层为铜层，第XII层为氧化钛层，第XIII层为铜层，第XIV层为氧化钛层。
制备方法如下
(1)对制备需要的化学物质材料要进行精选，并进行质量纯度控制
氧化钛靶材固态固体铜靶材固态固体丙酮液态液体无水乙醇液态液体去离子水液态液体氩气气态气体
99.99% 99.99 % 99.5 % 99.9% 99.99 % 99.99 %
表面粗糙度Ra0.04-0.08pm
导电玻璃固态固体(2)清洗导电玻璃基片①将导电玻璃基片垂直置于超声波清洗器中，加入丙酮IOOmL,进行超声清洗，时间20min，清洗后晾干；②将导电玻璃基片置于另一超声波清洗器中，加入无水乙醇IOOmL进行超声清洗，时间20min，然后晾干；③将导电玻璃置于另一超声清洗器中，用去离子水200mL进行超声洗涤，时间 20min，洗涤后晾干；(3)干燥将清洗后的导电玻璃基片置于石英舟中，然后置于真空干燥箱中干燥，干燥温度50°C，真空度18Pa，干燥时间30min，干燥时输入保护气体氩气；(4)磁控溅射制备光子晶体多层膜光子晶体多层膜的制备是在磁控溅射炉中进行的，是在抽真空、氩气保护、直流磁控溅射、射频磁控溅射、外水循环冷却下完成的；①置放导电玻璃基片打开磁控溅射炉，将导电玻璃平直置于工作台上，正面向上；②开启外水循环冷却装置，进行外水循环冷却；③抽取炉内空气关闭磁控溅射炉，开启真空泵，抽取炉内空气，使炉内压强为0. OOOSPa ；④调节炉内工作气压开启氩气瓶、氩气阀，向炉内输入氩气，氩气输入速度30cm7min，使炉内压强恒定在 6. OPa ；⑤开启工作台转动电机，使工作台勻速正反方向转动，转动速度5r/min，并进行正反方向转换，正反方向转换间隔时间为3min ；⑥开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min，溅射时间 120min，溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第II层；⑦开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率10W，直流电压300V，直流电流0. 036A，溅射速率7. 7nm/min，溅射时间4. 5min，溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第III层；⑧开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min，溅射时间 120min，溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第IV层；⑨开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率10W，直流电压300V，直流电流0. 036A，溅射速率7. 7nm/min，溅射时间4. 5min，溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第V层；⑩开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min，溅射时间 120min,溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第VI层；⑩开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率10W，直流电压300V，直流电流0. 036A，溅射速率7. 7nm/min，溅射时间4. 5min，溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第VII层； 开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min，溅射时间 120min，溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第VIII层； 开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率10W，直流电压300V，直流电流0. 036A，溅射速率7. 7nm/min，溅射时间4. 5min，溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第IX层； 开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min,溅射时间 120min,溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第X层；⑩开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率10W，直流电压300V，直流电流0. 036A，溅射速率7. 7nm/min，溅射时间4. 5min，溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第XI层；⑩开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min，溅射时间 120min，溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第XII层；(g)开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率10W，直流电压300V，直流电流0. 036A，溅射速率7. 7nm/min，溅射时间4. 5min，溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第XIII层；⑩开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min，溅射时间 120min，溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第XIV层；⑩溅射完成后，关闭溅射调控器，关闭工作台电机，使产品在氩气保护和外水循环冷却下，随炉冷却至25 °C ；⑩关闭氩气阀停止输氩气，关闭外水循环冷却泵；打开磁控溅射炉，取出导电玻璃，即导电玻璃光子晶体多层膜；(5)真空低温回火将导电玻璃光子晶体多层膜置于石英产物舟中，然后置于低温回火炉中，进行低温回火，回火温度200°C，真空度1.3Pa，回火时间60min ；低温回火后取出，即为终产物光子晶体多层膜；(6)检测、分析、表征对制备的光子晶体多层膜产物的形貌、膜层厚度、成分、光学性能进行检测分析表征；用场发射扫描电子显微镜SEM对光子晶体多层膜进行形貌表征；用紫外-可见分光光度计对光子晶体多层膜的光学性能进行测试；用X射线小角衍射仪对光子晶体多层膜的晶体结构进行测试；结论光子晶体多层膜为层状结构，膜层厚度为纳米级，多层膜在300-350nm处带隙的反射率达85%以上，多层膜结构为氧化钛和铜；(7)储存将光子晶体多层膜储存于棕色透明的玻璃容器中，密闭避光保存，并置于洁净、阴凉干燥处，要防潮、防晒、防酸碱盐侵蚀，储存温度25°C 士2°C，相对湿度彡10%。有益效果本发明与背景技术相比具有明显的先进性，是针对光子晶体在光学材料中的应用情况，采用导电玻璃做基片，以氧化钛、铜做膜层，通过磁控溅射，在基片上重复溅射氧化钛层、铜层，形成多层膜结构，然后对多层膜进行低温回火，提高多层膜的化学物理性能和力学性能，此制备方法工艺先进、严密，技术参数准确翔实，产品质量好，具有很好的光学性能，是十分理想的光子晶体多层膜的制备方法。
图1为光子晶体多层膜磁控溅射状态2为光子晶体多层膜结构3光子晶体多层膜横截面扫描电镜结构4为光子晶体多层膜紫外漫反射图谱图5为光子晶体多层膜X射线衍射强度图谱图中所示，附图标记清单如下1、磁控溅射炉，2、炉座，3、炉盖，4、显示屏，5、指示灯，6、电源开关，7、氧化钛靶源调控器，8、铜靶源调控器，9、真空泵开关，10、炉腔，11、左观察窗，12右观察窗13、出气管， 14、工作台，15、氧化钛射频靶，16、氧化钛靶材，17、铜直流溅射靶，18、铜靶材，19、氩气瓶， 20、氩气阀，21、氩气管，22、氩气，23、真空泵，24、真空阀，25、真空管，26、导电玻璃，27、光子晶体多层膜，28、水冷箱，29、水冷泵，30、水冷管，31、转动电机，32、工作台转动开关，33、水冷开关。I、导电玻璃，II、氧化钛层，III、铜层，IV、氧化钛层，V、铜层，VI、氧化钛层，VII、铜层，VIII、氧化钛层，IX、铜层，X、氧化钛层，XI、铜层，XII、氧化钛层，XIII、铜层，XIV、氧化钛层。
具体实施例方式以下结合附图对本发明作进一步说明图1所示，为光子晶体多层膜磁控溅射状态图，各部位置、联接关系要正确，按量配比，按序操作。制备使用的化学物质材料的量值是按预先设置的范围确定的，以毫米、毫升、厘米
3为计量单位。光子晶体多层膜的制备是在磁控溅射炉中进行的，磁控溅射炉1的下部为炉座2， 在炉座2的前部控制面板上设有显示屏4、指示灯5、电源开关6、氧化钛靶源调控器7、铜靶源调控器8、真空泵开关9、工作台转动开关32、水冷开关33 ；磁控溅射炉1的上部为炉盖3， 在炉盖3上设有出气管13、氧化钛射频靶15、铜直流溅射靶17，并分别深入炉腔10内，并分别联接氧化钛靶材16、铜靶材18 ；在炉腔10内的底部设有工作台14，工作台14内为转动电机31，在工作台14上水平放置导电玻璃沈，在导电玻璃沈上为光子晶体多层膜27 ； 在磁控溅射炉1的上部分左右设有左观察窗11、右观察窗12 ；在炉座2的右部设有真空泵 23，并通过真空阀M、真空管25联通炉腔10内；在炉座2的左部设有氩气瓶19，并通过氩气阀20、氩气管21联通炉腔10内，并输入氩气22 ；在磁控溅射炉1的左外部设有水冷箱 28，并通过水冷泵四、水冷管30环绕溅射炉腔进行外水循环冷却；氧化钛射频靶15由氧化钛靶源调控器调控；铜直流溅射靶17由铜靶源调控器8调控；水冷泵四由水冷开关33控制；真空泵23由真空泵开关9控制；工作台转动电机31由工作台控制开关32控制。图2所示，为光子晶体多层膜结构图，共计14层结构，底部为基层即导电玻璃I，基层上部为氧化钛层II，氧化钛层上部为铜层III，铜层上部为氧化钛层IV，氧化钛层上部为铜层V，铜层上部为氧化钛层VI，氧化钛层上部为铜层VII，铜层上部为氧化钛层VIII，氧化钛层上部为铜层IX，铜层上部为氧化钛层X，氧化钛层上部为铜层XI，铜层上部为氧化钛层 XII，氧化钛层上部为铜层XIII，铜层上部为氧化钛层XIV。图3所示为，光子晶体多层膜横截面扫描电镜结构图，由图可知各膜层结合紧密，颜色发亮的为铜层，灰色的为氧化钛层，薄膜厚度为800nm。图4所示，为光子晶体多层膜紫外漫反射光谱图，由图可知4周期的薄膜在 300-450nm范围内反射率达88 %，6周期的薄膜在300_450nm范围内反射率达92 %。图5所示，为光子晶体多层膜X射线衍射强度图谱，由图可知通过X射线衍射分析可以看出多层膜有氧化钛和铜的特征峰，氧化钛峰高，铜峰低。
权利要求
1. ー种光子晶体多层膜的制备方法，其特征在于使用的化学物质材料为氧化钛靶 材、铜靶材、丙酮、无水乙醇、去离子水、氩气，其組合用量如下以毫米、毫升、厘米3为计量 単位氧化钛靶材TiO2076mmX15mm铜靶材CuO 76mm X 15mm丙酮CH3COCH3200mL±lmL无水乙醇CH3CH2OH200mL±lmL去离子水H2O1000mL±10mL氩气Ar10000 cm 3± 100 cm 3导电玻璃ITO20 mmX20 mmX2 mm光子晶体多层膜为14层结构，由基层、氧化钛层、铜层、氧化钛层组成，第I层为基层， 即导电玻璃ITO层，第II层为氧化钛层，第III层为铜层，第IV层为氧化钛层，第V层为铜 层，第VI层为氧化钛层，第VII层为铜层，第VIII层为氧化钛层，第IX为铜层，第X为氧化 钛层，第XI层为铜层，第XII层为氧化钛层，第XIII层为铜层，第XIV层为氧化钛层。制备方法如下(1)对制备需要的化学物质材料要进行精选，并进行质量纯度控制 氧化钛靶材固态固体99.99%铜靶材固态固体99.99%丙酮液态液体99.5 %无水乙醇液态液体99.9%去离子水液态液体99.99%氩气气态气体99.99%导电玻璃固态固体表面粗糙度Ra0.04-0.08fmi(2)清洗导电玻璃基片①将导电玻璃基片垂直置于超声波清洗器中，加入丙酮IOOmL,进行超声清洗，时间 20min，清洗后晾干；②将导电玻璃基片置于另ー超声波清洗器中，加入无水乙醇IOOmL进行超声清洗，时 间20min，然后晾干；③将导电玻璃置于另ー超声清洗器中，用去离子水200mL进行超声洗涤，时间20min， 洗涤后晾干；(3)干燥将清洗后的导电玻璃基片置于石英舟中，然后置于真空干燥箱中干燥，干燥温度50°C， 真空度18Pa，干燥时间30min，干燥时输入保护气体氩气；(4)磁控溅射制备光子晶体多层膜光子晶体多层膜的制备是在磁控溅射炉中进行的，是在抽真空、氩气保护、直流磁控溅射、射频磁控溅射、外水循环冷却下完成的；①置放导电玻璃基片打开磁控溅射炉，将导电玻璃平直置于工作台上，正面向上；②开启外水循环冷却装置，进行外水循环冷却；③抽取炉内空气关闭磁控溅射炉，开启真空泵，抽取炉内空气，使炉内压强为0. OOOSPa ；④调节炉内工作气压开启氩气瓶、氩气阀，向炉内输入氩气，氩气输入速度30cm7min，使炉内压强恒定在 6. OPa ；⑤开启工作台转动电机，使工作台勻速正反方向转动，转动速度5r/min，并进行正反方向转换，正反方向转换间隔时间为3min ；⑥开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min,溅射时间 120min，溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第II层；⑦开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率 10W,直流电压300V，直流电流0. 036A,溅射速率7. 7nm/min,溅射时间4. 5min,溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第III层;⑧开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min,溅射时间 120min，溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第IV层；⑨开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率 10W,直流电压300V，直流电流0. 036A，溅射速率7. 7nm/min,溅射时间4. 5min,溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第V层；⑩开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min,溅射时间 120min,溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第VI层； 开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率 10W,直流电压300V，直流电流0. 036A,溅射速率7. 7nm/min,溅射时间4. 5min,溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第VII层；⑩开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min,溅射时间 120min，溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第VIII层； 开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率 10W,直流电压300V，直流电流0. 036A,溅射速率7. 7nm/min,溅射时间4. 5min,溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第IX层；(0)开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min,溅射时间 120min,溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第X层； 开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率 10W,直流电压300V，直流电流0. 036A,溅射速率7. 7nm/min,溅射时间4. 5min,溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第XI层；⑩开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min,溅射时间 120min，溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第XII层；⑩开启直流磁控溅射调控器，使铜靶材对准工作台上的导电玻璃，进行溅射，溅射功率 10W,直流电压300V，直流电流0. 036A,溅射速率7. 7nm/min,溅射时间4. 5min,溅射膜层厚度30nm，为铜层，即第XIII层；⑩开启射频磁控溅射调控器，使氧化钛靶材对准工作台上的导电玻璃，进行射频磁控溅射，溅射功率100W，射频电压80V，射频电流0. 15A，溅射速率0. 67nm/min,溅射时间 120min，溅射膜层厚度80nm，为氧化钛层，即第XIV层；⑩溅射完成后，关闭溅射调控器，关闭工作台电机，使产品在氩气保护和外水循环冷却下，随炉冷却至25 °C ；⑩关闭氩气阀停止输氩气，关闭外水循环冷却泵；打开磁控溅射炉，取出导电玻璃，即导电玻璃光子晶体多层膜；(5)真空低温回火将导电玻璃光子晶体多层膜置于石英产物舟中，然后置于低温回火炉中，进行低温回火，回火温度200°C，真空度1.3Pa，回火时间60min ； 低温回火后取出，即为终产物光子晶体多层膜；(6)检测、分析、表征对制备的光子晶体多层膜产物的形貌、膜层厚度、成分、光学性能进行检测分析表征； 用场发射扫描电子显微镜SEM对光子晶体多层膜进行形貌表征； 用紫外-可见分光光度计对光子晶体多层膜的光学性能进行测试； 用X射线小角衍射仪对光子晶体多层膜的晶体结构进行测试； 结论光子晶体多层膜为层状结构，膜层厚度为纳米级，多层膜在300-350nm处带隙的反射率达85%以上，多层膜结构为氧化钛和铜；(7)储存将光子晶体多层膜储存于棕色透明的玻璃容器中，密闭避光保存，并置于洁净、阴凉干燥处，要防潮、防晒、防酸碱盐侵蚀，储存温度25°C 士2°C，相对湿度彡10%。
2.根据权利要求1所述的一种光子晶体多层膜的制备方法，其特征在于光子晶体多层膜的制备是在磁控溅射炉中进行的，磁控溅射炉(1)的下部为炉座0)，在炉座O)的前部控制面板上设有显示屏⑷、指示灯(5)、电源开关(6)、氧化钛靶源调控器(7)、铜靶源调控器(8)、真空泵开关(9)、工作台转动开关(32)、水冷开关(33)；磁控溅射炉(1)的上部为炉盖(3)，在炉盖(3)上设有出气管(13)、氧化钛射频靶(15)、铜直流溅射靶(17)，并分别深入炉腔(10)内，并分别联接氧化钛靶材(16)、铜靶材(18)；在炉腔(10)内的底部设有工作台(14)，工作台(14)内为转动电机(31)，在工作台(14)上水平放置导电玻璃( )，在导电玻璃06)上为光子晶体多层膜(XT)；在磁控溅射炉(1)的上部分左右设有左观察窗 (11)、右观察窗(12)；在炉座(2)的右部设有真空泵(23)，并通过真空阀(M)、真空管05) 联通炉腔(10)内；在炉座(2)的左部设有氩气瓶(19)，并通过氩气阀(20)、氩气管联通炉腔(10)内，并输入氩气02)；在磁控溅射炉(1)的左外部设有水冷箱( )，并通过水冷泵(四)、水冷管(30)环绕溅射炉腔进行外水循环冷却；氧化钛射频靶(1 由氧化钛靶源调控器(7)调控；铜直流溅射靶(17)由铜靶源调控器(8)调控；水冷泵09)由水冷开关 (33)控制；真空泵03)由真空泵开关(9)控制；工作台转动电机(31)由工作台控制开关 (32)控制。
3.根据权利要求1所述的一种光子晶体多层膜的制备方法，其特征在于光子晶体多层膜为14层膜层结构，由基层、氧化钛层、铜层、氧化钛层组成，底部为导电玻璃层I，基层上部为氧化钛层II，氧化钛层上部为铜层III，铜层上部为氧化钛层IV，氧化钛层上部为铜层V，铜层上部为氧化钛层VI，氧化钛层上部为铜层VII，铜层上部为氧化钛层VIII，氧化钛层上部为铜层IX，铜层上部为氧化钛层X，氧化钛层上部为铜层XI，铜层上部为氧化钛层 XII，氧化钛层上部为铜层XIII，铜层上部为氧化钛层XIV。
全文摘要
本发明涉及一种光子晶体多层膜的制备方法，是针对光子晶体在光学材料中的应用情况，采用导电玻璃做基片，以氧化钛、铜作膜层，通过磁控溅射，在基片上溅射TiO2、Cu膜层，以TiO2、Cu交替形成14层多层膜结构，然后对多层膜进行低温回火，提高多层膜的化学物理性能及力学性能，此制备方法工艺先进严密，技术参数准确翔实，产品质量好，纯度高，光学性能好，是十分理想的光子晶体多层膜的制备方法。
文档编号C23C14/35GK102358936SQ201110282819
公开日2012年2月22日 申请日期2011年9月21日 优先权日2011年9月21日
发明者张彩丽, 张竹霞, 张雪, 李玉平, 王丽萍, 韩培德 申请人:太原理工大学